【課題】応力集中が発生するのを抑制しながら基板の被処理面に形成された液膜を効率的に凍結させる。
【解決手段】基板Ｗの下面に向けて、液膜１１ｆ、１１ｂを構成するＤＩＷの凝固点より低い温度を有する冷却ガスが供給されて液膜１１ｆ、１１ｂの凍結が行われる。また、冷却ガスは基板Ｗの下面中央部に向けて局部的に吐出され、該下面中央部に対する冷却能力が基板Ｗの下面周縁部に対する冷却能力よりも高くなっている。このため、液膜１１ｆ、１１ｂ全体のうち基板中央部に対応する液膜部分がまず凍結し、それに続いて、液膜凍結が基板周縁部に向けて進行する。したがって、基板Ｗの周縁部に対応する液膜部分が最終的に凍結することとなる。その結果、最終的に凍結する部分、つまり液膜の周縁部分では、体積膨張による応力の一部は外周方向に解放されて応力集中が抑制される。 （もっと読む）

ウェハ(1010)又は基板の表面を洗浄する装置であって、ウェハ(1010)又は基板の表面に対して隙間を隔てて配設され且つ該ウェハ(1010)又は基板の表面に垂直な軸周りに回転するプレート(1008)を含む。ウェハ又は基板の表面に対向する回転プレートの表面には、洗浄効率を高めるために、規則的なパターン及び不規則なパターンを有する溝が形成されている。他の実施例では、上記洗浄装置は、洗浄処理中に回転プレートを振動させる超音波変換器又はメガソニック変換器を更に含む。
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【課題】超臨界流体の存在下に被処理基板に対して成膜工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の加工を容易に行うことのできる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板が設置された反応室内に超臨界流体を充填し、該超臨界流体に溶解させた原料を基板の表面近傍で反応させることで基板の表面を加工する基板の製造方法であって、基板を、反応室内の天井部１０に基板の表面を下方に向けて設置するものである。 （もっと読む）

プラズマプロセスの処理均一性を改善する装置及び方法。プラズマ加工中に加工物３０の外周縁３１の周りに延在する犠牲体１０４は、プラズマによって除去可能な材料から構成される。犠牲体１０４は、円形の幾何学的形状を画定するように配置される複数のセクション１６８、１７０を含むことができる。犠牲体１０４は、加工物３０の有効外径を増大させるように働き、加工物３０の外周縁３１付近のエッチング速度を効果的に低減することによって、プラズマ加工に特有の有害なエッジ効果を緩和するように動作する。
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【課題】搬送途中で被処理体の表面が酸化したり汚染されるのを防止すること。
【解決手段】本発明では、被処理体（ウエハ２）に対して所定の処理を行う第１の処理室（たとえば、第１の洗浄室12）と第２の処理室（たとえば、第２の洗浄室13）との間で被処理体（ウエハ２）を搬送する搬送装置（搬送手段15）において、被処理体（ウエハ２）の表面に液体（36）を供給する液体供給口（34）と、前記液体供給口（34）から供給された液体（36）によって被処理体（ウエハ２）の表面を被覆した状態に保持するために被処理体（ウエハ２）の周縁上方に配置した液体保持具（33）とを有し、液体（36）で被処理体（ウエハ２）の表面を被覆した状態で被処理体（ウエハ２）を搬送することにした。 （もっと読む）

【課題】容易かつ効果的に洗浄されるリソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置を効果的に洗浄する方法を提供する。
【解決手段】表面を洗浄するメガソニックトランスデューサを有する液浸リソグラフィ投影装置、及び液体を通じてメガソニック波を使用して液浸リソグラフィ投影装置を洗浄する方法が開示される。液体には流れ、望ましくは放射状流れが誘起される。 （もっと読む）

【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈを備えた洗浄ライン２Ａ，２Ｂを下層及び上層の２段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽２ａ〜２ｈに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段６と、下層及び上層の各洗浄ライン２Ａ，２Ｂにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段１６と、上層の洗浄ライン２Ｂにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン２Ａにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】純水洗浄の省略が許容される被洗浄物を洗浄する装置において、洗浄時間が長くなるのを防止しつつ洗浄液の長寿命化を図る。
【解決手段】外側容器１４と、外側容器１４内に配設され、洗浄液が貯溜されるとともに被洗浄物Ｗを出し入れ可能な開口部が設けられた内側容器３８と、被洗浄物Ｗに付着した洗浄液が蒸発する程度に外側容器１４の内部を減圧させるための減圧手段２０と、洗浄液を浄化するためのフィルタ５８と、内側容器３８の開口部を気密状に塞ぐための蓋５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】乾燥工程において、半導体ウェハ表面が汚染されることを防止することのできる、スピン乾燥装置を提供すること。
【解決手段】スピンウェハ乾燥装置１は、半導体ウェハＷを内部に収容する有底円筒形状のチャンバ３と、チャンバ３の円筒内側面に形成された排気口３３に接続され、半導体ウェハＷを回転させることにより、外方に飛散した半導体ウェハＷ表面に付着した液体を捕集して強制的に外部に排出する排気手段７と、蓋部材４に対して所定の隙間Ｄを設けて配置され、該隙間Ｄが外周端部でチャンバ３内部の空間と連通する内蓋部材５と、蓋部材４に形成され、内蓋部材５と対向位置に開口する蓋部排気口４３と、蓋部排気口４３に接続され、チャンバ３内部の液体分を含む気体を強制的に外部に排出する蓋部排気手段８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、処理カップＷＣ内で半導体ウェハ１の被処理面Ｓに対し、所望の液体７，９を用いた処理を施す工程であって、はじめに、処理カップＷＣ内に載置した半導体ウェハ１を回転させた状態で、処理カップＷＣの開口部５から、液体供給ノズル６によって半導体ウェハ１に液体７，９を供給し、所望の処理を施す。続いて、半導体ウェハ１に回転を施すことで乾燥させるという、一連の工程からなる。そして、上記の工程中、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐようなカバー８を設置することにより、そのカバー８を通じて、処理カップＷＣの外へ飛散しようとする液体７，９を処理容器ＷＣに備えられた液体回収部４に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送物通過用開口部が形成された境界部を介して直列に隣接配置された複数のクリーンルーム内を連続搬送される平面状の搬送物の除塵方法及び装置において、平面状の搬送物への異物付着による欠陥を抑制して高得率で製造することができる搬送物の除塵方法及び装置を提供する。
【解決手段】搬送物通過用開口部４０が形成された境界部を介して直列に隣接配置された複数のクリーンルーム１、２内を連続搬送される平面状の搬送物１５の除塵方法において、搬送物通過用開口部４０の位置に、搬送物１５の表裏面のうち一方面をローラ５０で支持しながら、該ローラ５０に対向配置された加圧風噴出装置４８により搬送物１５の他方面に気体を吹き付けて搬送物１５に付着した異物を風圧により除去する除塵工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダクト２０の内部に処理槽４が設けられている。処理槽４内で処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。また、ダクト２０にはドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３は処理槽４の上端部近傍においてほぼ同じ高さに配置される。排気ダクト９１，９２は、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の上方でほぼ同じ高さに配置される。ドライエア供給ダクト６２を通して基板ＷにドライエアＤＦが供給される。基板Ｗに供給されたドライエアＤＦは排気ダクト６３，９１，９２から排気される。 （もっと読む）

【課題】 基板に乾燥欠陥が生じることを十分に防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内槽４０内で洗浄された基板Ｗが、基板移動機構３０により内槽４０の上方へ引き上げる。そこで、処理槽４上では、引き上げられた基板ＷにドライエアＤＦが供給される。これにより、基板Ｗに付着した純水がドライエアＤＦにより置換され、基板Ｗの表面が乾燥される。ここで、基板Ｗが内槽４０から引き上げられる直前において、処理液ミキシング装置５０は、一時的に内槽４０へ供給する処理液の量を増加させる。これにより、内槽４０の上端から外槽４３に流れ出る純水の量が増加する。このとき外槽４３に流れ込む純水の一部は、処理液排出管４４から排出される。さらに、外槽４３に流れ込む純水のうち処理液排出管４４から排出しきれない純水は、外槽４３のドライエア排気ダクト６３側の上端からさらに補助槽４５に流れ出る。 （もっと読む）

【課題】紫外線照度及びオゾン濃度を安定化し被洗浄物に対して面内均一な洗浄を実施できるドライ洗浄装置及びドライ洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽２内において、気体３の上流側から順に整流板５、紫外線ランプ６及び被洗浄物７を配置する。紫外線ランプ６は、２５４ｎｍ及び１８４ｎｍの波長を有する紫外線を照射する。気体３中の酸素と１８４ｎｍの紫外線により発生したオゾン及び２５４ｎｍの紫外線により被洗浄物７を洗浄する。オゾン濃度及び２５４ｎｍの紫外線照度は、オゾン濃度計９及びＵＶ照度計１０により夫々測定され、この測定結果に基づき流量制御１９により気体３の流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持ローラ１１により直立姿勢に立てた状態で保持された基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂにそれぞれ、対向部材１２Ａ，１２Ｂが近接しながら離間配置される。間隙空間Ｓ１１，Ｓ１２に処理液（薬液およびリンス液）が液密に満たされた状態に供給され、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂが処理液により均一に処理される。また、基板Ｗを乾燥させる際に、処理液が自然落下する状態に基板Ｗが直立姿勢で保持されているので、乾燥ガスの吐出により処理液（リンス液）を押し出すとともに該処理液に作用する重力を利用して基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂからリンス液が除去される。このため、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア排出ダクト６３は、吸気装置６５０に接続されている。吸気装置６５０は、ドライエア排出ダクト６３を通して処理槽４上の雰囲気を吸引し、吸引した雰囲気を外部へ排出する。ドライエア排出ダクト６３は、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅからなる。基板の処理前には、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅに対応する処理槽４上の複数の測定点Ｐ１〜Ｐ５でドライエアＤＦの流速が測定される。基板の乾燥処理時には、処理槽４に貯留された処理液から基板が引き上げられる。そして、引き上げられる基板にドライエアＤＦが供給される。このとき、予め得られた流速分布の測定結果に基づいて、排出ダクト６３ａ〜６３ｅの内部に取り付けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度が個別に調整される。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる複数種類の処理液を基板に順次供給することによって基板に対して所定の湿式処理を施す際に、複数種類の処理液を良好に分離して回収することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを配置する間隙空間Ｓ１に互いに異なる複数種類の処理液が順次供給され、各処理液ごとに基板Ｗに対して湿式処理が施される。また、湿式処理の実行ごとに湿式処理後の処理液が連通部１２４から順次放出されるが、処理ユニット１と液回収ユニット２とが相対的に移動することで連通部１２４から放出される処理液の種類に対応した回収位置に液回収槽２１〜２４が選択的に配置される。ここで、液回収ユニット２が処理ユニット１と分離して処理ユニット１の下方側に配置されるとともに、処理ユニット１の連通部１２４から間隙空間Ｓ１の下方側に鉛直方向下向きに処理液が放出される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、インターロック機構の信頼性を向上させる。
【解決手段】除電部２は、メンテナンス用の開口部２０ａをもつチャンバ本体と前記開口部２０ａを開閉する蓋体２１とを備えたチャンバ２０を有し、このチャンバ２０の内部に、基板に対して除電処理を施す軟Ｘ線式イオナイザ２６を備える。この除電部２は、閉止位置にある蓋体２１が開方向に操作されることにより作動する開閉スイッチと、この開閉スイッチの作動に基づき軟Ｘ線式イオナイザ２６を強制的に停止させる制御装置とを備える。また、処理用チャンバ２０の蓋体２１には、当該蓋体２１が前記閉止位置から開方向へ所定寸法以上変位するまで前記開口部２０ａを閉塞するためのリブ２１ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】遮断部材と基板上面との間に形成される間隙空間に発生する気流によって中心軸部材に設けられた処理液吐出口から残留処理液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】中心軸部材６の下端面６ａが遮断部材５の下面５ａに対して上方位置に配置されるとともに、混合液吐出口６２ａが中心軸部材６の下端面６ａに対して上方に退避した位置に配置されている。このため、混合液吐出口６２ａの近傍に混合液が残留付着している場合であっても、残留混合液に対する間隙空間ＳＰ１に発生する気流の影響を低減することができる。このため、混合液吐出口６２ａからの混合液の吐出が停止している間に混合液吐出口６２ａから残留混合液が基板表面Ｗｆに落下するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】閉じ込め式化学表面処理のための方法及び装置
【解決手段】プロキシミティヘッドを使用して基板の表面を前処理するための装置、システム、及び方法は、基板の表面とプロキシミティヘッドのヘッド表面との間に非ニュートン流体を塗布することを含む。非ニュートン流体は、ヘッド表面と基板の表面との間で１つまたは２つ以上のサイドに沿って閉じ込め壁を画定する。非ニュートン流体を提供された１つまたは２つ以上のサイドは、ヘッド表面と基板の表面との間の基板上に処理領域を画定する。閉じ込め壁によって画定される処理領域内に実質的に閉じ込められるように、基板の表面に、プロキシミティヘッドを通してニュートン流体が塗布される。閉じ込められているニュートン流体は、基板の表面から１種または２種以上の汚染物質を実質的に除去するのに役立つ。一例では、非ニュートン流体は、雰囲気制御された隔離領域を形成するために使用されてもよく、これは、領域内における制御式の表面処理を助けることができる。別の例では、ニュートン流体の代わりに第２の非ニュートン流体が処理領域に塗布される。第２の非ニュートン流体は、基板の表面上の１種または２種以上の汚染物質に作用し、それらを基板の表面から実質的に除去する。 （もっと読む）