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Fターム[5F157DA15]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 安全性確保を目的とするもの (1,023) | 環境衛生 (82) | 排水、廃液汚染防止 (27)

Fターム[5F157DA15]に分類される特許

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【課題】 水蒸気と水の混相流体による基板処理において、広い面積のレジスト膜を剥離可能な添加剤の提供。
【解決手段】 連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、
前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤。 (もっと読む)


【課題】エッチングガスの使用効率の高い洗浄装置、洗浄方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】トレイクリーニング装置1は、トレイ20を少なくとも1つ収容できる密閉可能な密閉容器2と、密閉容器2内にエッチングガスを供給できるガス供給口10と、密閉容器2内のガスを排気できるガス排気口11と、密閉容器2に収容されたトレイ20の開口部を貫通可能に配設された軸部材3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 被洗浄物上から付着物を効果的に除去可能な被洗浄物の洗浄方法を提供することである。
【解決手段】 スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄液を供給しながら洗浄する被洗浄物の洗浄方法であって、被洗浄物を該スピンナテーブルで保持する保持ステップと、該スピンナテーブルで保持された該被洗浄物上に少なくとも凝集剤を含む洗浄液を供給して、該被洗浄物上に付着している付着物を凝集させて付着物凝集塊を形成する洗浄ステップと、該洗浄ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させつつ該被洗浄物上に純水を噴出して、該被洗浄物上の該付着物凝集塊を該被洗浄物上から除去する除去ステップと、該除去ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させて該被洗浄物を乾燥させる乾燥ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ハロゲンを含まない酸化剤を用いて、従来のハロゲン型酸化剤並みの高い洗浄能力を備えつつ、環境負荷の小さい洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄装置M1は、洗浄対象物13を洗浄する洗浄装置であって、洗浄対象物13と対向配置されたカーボンナノチューブ層11と、カーボンナノチューブ層11と洗浄対象物13との間に純水12を供給する純水供給装置と、カーボンナノチューブ層11に紫外線L1を照射する紫外線照射装置と、を有し、前記紫外線照射装置によってカーボンナノチューブ層11の表面に接する純水12に紫外線L1を照射し、これにより生成したオキソニウムイオンを酸化剤として洗浄対象物13を洗浄することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】溶存ガス濃度が低濃度(低飽和度)であるガス溶解水を安定して供給することが可能なガス溶解水供給装置及びガス溶解水の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス供給配管31から気相室13内に酸素ガスを供給すると共に、真空ポンプ35を作動し、気相室13内を真空排気する。また、原水配管21から液相室12内に原水を供給する。気相室13内の酸素の一部は、気体透過膜11を透過して液相室12内の原水に溶存し、ガス溶解水が製造される。気相室13内の酸素の残部は、凝縮水と共に真空ポンプ35で吸引されて排気配管33から排出される。ガス溶解水の溶存酸素濃度が溶存ガス濃度計23で測定され、この測定濃度が目標値となるように、ガス流量制御弁32の開度が調節される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、不揮発性記憶装置の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力の影響を抑制することができるとともに、ガルバニック腐食を抑制することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の状態と第2の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物の平面度を維持しながら洗浄を行い、被洗浄物の反り、破損及び被洗浄物の下面側に洗浄液が液侵するのを抑制しつつ、被洗浄物の支持体との接触部分の洗浄残の発生を抑制できる枚葉式洗浄装置。
【解決手段】円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を上面部に複数有し、被洗浄物の直下に配設される吸着浮上テーブルと、吸着浮上テーブルの周辺に配設され、吸着浮上テーブルの直上の被洗浄物の側面を支持する支持体を有し、支持体で支持した被洗浄物を中心軸で回転させるスピンテーブルとを具備し、被洗浄物を非接触な状態で吸着浮上させつつ、支持体で被洗浄物の側面を支持し、スピンテーブルによって前記被洗浄物を中心軸で回転させて上面を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 (もっと読む)


基材,例えば電子デバイス基材,例えば超小型電子ウェハまたはフラットパネルディスプレイからの有機物質の除去のために有用な組成物および方法を提供する。最小体積の組成物をコーティングとして無機基材に適用することによって、十分な熱を加え、そして直ちに水でリンスして完全な除去を実現する方法を提供する。これらの組成物および方法は、ポジ型およびネガ型の種類のフォトレジスト、更に電子デバイスからの熱硬化性ポリマーを除去および完全に溶解させるのに特に好適である。 (もっと読む)


【課題】 被処理物を回転させながら処理液を供給する枚葉式ウエット処理において、被処理物表面に形成された導電性部材のガルバニックコロージョンを抑制可能であり、更には、ナノレベルのパーティクルをも除去することが可能なウエット処理装置及びウエット処理方法を提案する。
【解決手段】被処理物Wの被処理面Waの少なくとも一部を被覆する被覆手段13を備え、保持手段11に保持された被処理物Wの被処理面Waと被覆手段13との間に間隙gを形成した状態にて、処理液供給手段14により脱酸素状態の処理液を供給する。更に、被処理物Wの被処理面Waと対向する位置に配される対向電極31aと、被処理物Wに接続可能な被処理物用電極32との間に、電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、基板(2)を処理するための基板処理部(21)と、基板(2)を処理する処理流体を基板処理部(21)に供給するための処理流体供給部(22)と、噴霧ノズル(48,49)から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部(21)より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部(23)とを設けることにした。また、前記排気処理部(23)は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板(52、53、54)を設けることにした。 (もっと読む)


【課題】SPM洗浄法を用いた半導体洗浄装置に組み込める簡易なシステムであって、過酸化水素に由来する洗浄液の硫酸濃度の低下を抑制することにより硫酸溶液寿命を延長し、これにより環境負荷低減を図ることができる洗浄システムを実現すること。
【解決手段】本発明の洗浄システムは、硫酸溶液と過酸化水素の混合液を洗浄液として半導体基板を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段から洗浄液を排出して前記洗浄手段に還流させる循環ラインと、内部が分子ふるい型水分子選択性透過膜で隔てられた濃縮側と透過側の領域を有し、前記濃縮側の領域を前記循環ラインに介設した脱水モジュールを有する脱水手段と、前記脱水手段の透過側を減圧する真空ポンプと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】洗浄槽に純水を安定して供給でき、かつ、設備の大型化やコストアップを抑えることができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽3に設けられたノズル27に、フープ洗浄用に純水を収容する水タンク32をバルブ46を介して接続し、水タンク32に水圧送用の圧気を供給するための圧気供給手段53を接続し、洗浄槽3に、フープ洗浄後に洗浄槽3内の水を排出すると共に、フープ乾燥時に洗浄槽3内の空気を排出するための排気排水口34を形成し、排気排水口34に気液分離器9を介して空気吸引手段42を接続し、空気吸引手段42と水タンク32を同一のケーシング47内に収容してユニット化したものである。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池の光吸収層などに使用することができ、しかも高い変換効率を有する硫化物系化合物半導体を提供すること。
【解決手段】Na共存下において、Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。極性溶媒は、水が好ましい。 (もっと読む)


【課題】ウェハー研磨機とウェハー洗浄機とを備えたCMP装置において、ウェハー洗浄機による洗浄後にも残存する残存スラリーを低減することを課題とする。
【解決手段】ウェハーホルダーと、ウェハー研磨機と、ウェハー洗浄機とを備えたCMP装置であって、前記ウェハー洗浄機は、洗浄容器と、前記洗浄容器内に洗浄液を導入する洗浄液導入装置とを備え、前記洗浄容器は、前記ウェハーの研磨面に対応する前記ウェハーホルダーのウェハー担持面より大きな上部開口部を備え、かつその上端が洗浄時に前記ウェハーホルダーの少なくとも側面に位置することを特徴とするCMP装置により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの乾燥プロセスで発生した有機溶剤を効率よく除去してVOCガスの発生を抑制する。
【解決手段】ウェーハWを洗浄するウェーハ洗浄装置30A〜30Cと、洗浄された前記ウェーハWをIPAにより乾燥させる乾燥機DSと、を備える半導体製造装置1に、乾燥処理で用いられたIPAを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクDTを内蔵させる。 (もっと読む)


【課題】 CZ引上げ法による半導体用シリコン単結晶の製造や、太陽電池用多結晶シリコンの製造等に溶解原料として使用される多結晶シリコンを高度に洗浄する。洗浄コストを下げる。シリコンロス、薬液使用量、廃液による環境負荷を軽減する。NOxガス発生の問題を解決する。
【解決手段】 シーメンス法により還元反応炉内で多結晶シリコンを製造した後、還元反応炉を開放する前に、還元反応炉内に水蒸気を含む清浄なガスを導入し、多結晶シリコン1の表面に汚染が少ない酸化膜2を形成する。その多結晶シリコン1にフッ酸による洗浄処理を行い、多結晶シリコン1の表面に形成された汚染が少ない酸化膜2を除去する。 (もっと読む)


【課題】排気中の溶剤を回収することにより、排気中の溶剤濃度を低減して排気設備の負担を軽減できる。
【解決手段】処理槽1を囲うチャンバ11内に溶剤ノズル17を介して高濃度のイソプロピルアルコールの蒸気が供給される場合であっても、スタティックミキサ63により排気が純水と混合される。したがって、気体にイソプロピルアルコールの蒸気が含まれていても、純水とともに気液分離部53に送られるので、イソプロピルアルコールの蒸気は純水とともに排出される。その結果、気液分離部53からの排気中のイソプロピルアルコールの濃度を低減できる。 (もっと読む)


【課題】基板の上方の雰囲気が周囲に拡散することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。基板の周囲の側方の雰囲気が基板の上方の空間に流入するのを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハWをほぼ水平に保持するスピンチャック1と、スピンチャック1に保持されたウエハWに処理液(たとえばSPM)を供給するための処理液ノズル2と、スピンチャック1を取り囲み、開口33が形成された筒状の処理カップ3と、スピンチャック1の上方に配置された雰囲気遮断機構4とを備えている。雰囲気遮断機構4の雰囲気遮断部材38からは、処理カップ3の上端18dに沿うように空気が筒状に吐出される。ウエハWにSPMが供給されるとき、開口33の上方の空間は、雰囲気遮断部材38から吐出された筒状のエアーカーテンによって取り囲まれる。 (もっと読む)


【課題】ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ1の周囲に複数のエッチングユニット6を配置する。このエッチングユニット6内に設けられたエッチングローラー10には、各エッチングユニット6ごとにエッチングしようとする絶縁膜やメタル膜に最適のエッチング液が供給される。ウエーハの上下にはリングブロー20,21が設けられ、ホットエアーをウエーハの半径方向の環状に噴き出し、エッチング液のガスをエッチングユニット内に吹き戻すと共にウエーハを加温している。エッチングユニットの中心軸8部分の排気口から上記エッチング液はエッチング液ごとに回収され、再利用することができる。 (もっと読む)


【課題】 スピンコ−タ−カップ、半導体ウェハ、液晶ガラスなどに付着したレジスト及びレジスト被膜、油膜、塗料及び塗膜等の有機成分及び有機被膜を、短時間で除去すると共に、洗浄液を多数回繰り返し洗浄できる生産性・経済性の優れた洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄室内に被洗浄物を保持する保持カゴを回転可能に自立させ、更に洗浄液噴射用、すすぎ液噴射用及び乾燥用を共有するノズルを有するノズルヘッダーを回転可能に配設して、保持カゴとノズルヘッダーとの回転方向が双方対向するように設置して、被洗浄物を炭酸アルキレンによる洗浄後エアーで液切りさせた後、精製水によるすすぎを行って、エアー噴射により短時間で乾燥仕上げ処理することと、洗浄後の洗浄液はオゾンを用いた洗浄液再生装置で有機成分を分解して、循環再使用して経済効率を改善する。 (もっと読む)


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