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Fターム[5F157DA31]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 安全性確保を目的とするもの (1,023) | 機械的、電気的損傷、トラブル防止 (71)

Fターム[5F157DA31]に分類される特許

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【課題】基板に液体を供給する供給部からの液体の液だれを防ぐことが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理の対象となる基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部が保持する基板に対して前記所定の液体を供給する供給手段と、液体供給部から前記供給手段に液体を供給する供給管と、前記供給管に設けられ、前記液体の供給を開始し、又は停止する供給弁と、前記供給弁に対して設けられ、前記供給弁の開閉速度を制御する速度制御器と、前記供給弁よりも前記液体供給部側において前記供給管から分岐し、前記供給管を流れる前記液体を排液するドレイン管と、前記ドレイン管に設けられる第1の開閉弁とを備える液処理装置により上記の課題を達成する。 (もっと読む)


【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板を載置する載置台32と、載置台32を基板とともに回転させる回転部35と、基板の表面に光を照射する光源88と、基板の表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部89と、回転部35及び検出部89の動作を制御する制御部100とを有し、制御部100は、検出した光量の検出値が予め決められた所定値よりも小さいか否かを判定する判定処理を、回転部35により基板の検出位置を変えながら複数回行い、検出値が所定値よりも小さいと判定された回数の合計が予め決められた回数に達したとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 (もっと読む)


【課題】占有面積の増加を招くことなくハンド洗浄のための構成を設けることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、インデクサロボット11と、主搬送ロボット12と、処理ユニット6と、受渡ユニット9と、ハンド洗浄ユニット15とを含む。インデクサロボット11および主搬送ロボット12は、基板を保持するインデクサハンド20および主搬送ハンド30をそれぞれ有している。インデクサロボット11と主搬送ロボット12とは、受渡ユニット9を介して基板を受渡する。ハンド洗浄ユニット15は、受渡ユニット9の上方または下方に配置され、インデクサハンド20および主搬送ハンド30を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】低圧放電灯点灯装置において、ランプ点灯開始後の立ち上がり期間中の無用な保護動作を回避する。
【解決手段】交流電力を低圧放電灯に投入する電力供給回路、低圧放電灯のランプ電圧を検出する電圧検出回路、及び電圧検出回路の検出ランプ電圧に基づいて電力供給回路を制御する制御回路を備えた低圧放電灯点灯装置において、制御回路が、検出ランプ電圧が所定の閾値以下となった場合に電力供給回路の保護動作を行うように構成され、所定の閾値として、放電灯点灯開始後から所定期間内は第1の閾値を適用し、所定期間経過後は第2の閾値を適用するように構成され、第1の閾値が該第2の閾値よりも低くなるようにした。 (もっと読む)


【課題】基板の一方面中央部を保護しつつ基板に処理を施すことができるとともに、回転軸線方向に異なる複数の位置で所定の回転処理を基板に良好に施すことが可能な基板保持回転装置および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック3は、ウエハWの下面中央部を支持するためのセンターチャック7と、ウエハWの下面周縁部を支持するための外周リング部材8と、ウエハWの下面周縁部と外周リング部材8との間をシールするための第1シール部材9とを備える。吸着ベース10は昇降モータによって、処理位置と、下面リンス位置と、取合位置との間で昇降されるようになっている。吸着ベース10の上面10aには、吸引口26と吸引溝27とが形成されている。吸引溝27には、吸着ベース10の側面に開口するオリフィス30が接続されている。 (もっと読む)


【課題】供給管からの反応ガスを吹出方向と交差する方向に均一に分布させて吹き出す表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】ノズル本体10の耐反応ガス材料製の部材12内に導入流路20を形成し、その両端に反応ガスの供給管3をそれぞれ連ねる。複数の分岐流路21を導入通路20から吹出方向の先端側に延ばし拡散室22に連ねる。拡散室22内に整流板30を設け、拡散室22を整流板30より基端側の室部23と先端側の室部25とに仕切る。整流板30の両側の連通路24にて室部23,25を連通する。好ましくは、支持部材40にて整流板30を支持し、室部23内にスペーサ50を設ける。 (もっと読む)


【課題】低圧蒸気放電灯の消灯時に冷却ベース部の温度及び発光管部の温度を適切に制御する。
【解決手段】発光管部(10)の端部に発光管内の水銀蒸気圧を制御するための冷却ベース部(15)を備えた低圧水銀蒸気放電灯(17)、冷却ベース部を冷却する第一の冷却装置(31)、発光管部を冷却する第二の冷却装置(32)、点灯信号及び消灯信号を受けて低圧水銀蒸気放電灯の点灯及び消灯を行なう点灯装置(20)、並びに第一の冷却装置、第二の冷却装置及び点灯装置を制御する制御部(40)を備えた紫外線照射装置において、制御部が、消灯信号を受けると、放電灯を点灯させたまま冷却ベース部の温度と発光管部の温度の温度勾配が小さくなるように第一の冷却装置及び第二の冷却装置の動作状態を制御した後に、点灯装置に低圧水銀蒸気放電灯を消灯させるよう構成した。 (もっと読む)


【課題】CVD酸化膜−シリコン間でのウェーハ貼り合わせにおいて、ボイドの発生を防止可能なウェーハ貼り合わせ方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ界面に介在される酸化膜(埋め込み酸化膜)としてCVD酸化膜を採用した場合でも、第1のウェーハと第2のウェーハとを貼り合わせる前処理として、少なくとも第1のウェーハのCVD酸化膜の表面(貼り合わせ界面)に対して、有機物の除去後、表面ラフネスを小さくすれば、両ウェーハの貼り合わせ界面における有機物と表面ラフネスとを原因としたボイドの発生を防止可能である。 (もっと読む)


【課題】ランプハウス内に断面扁平4角形状のエキシマランプと、その上方に不活性ガス供給管が配置され、前記エキシマランプの上方壁には高圧側電極が、化法壁には低圧側(接地)電極が設けられたエキシマ光照射装置において、ランプとガス供給管の間に不所望の異常放電が発生することのない構造を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス供給管の前記高圧側電極に対向する角部に電解集中回避手段を施したことを特徴とし、具体的には、角部を切り落とした平坦面とし、弧状面とし、あるいは、絶縁性被膜を被覆したことを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、作製が簡単でかつ作製費が低いのはもとより、窒素ガスの噴射方向を反応副産物の流れ方向と一致させ、反応副産物ガスの流れを損なわず、効果的に噴射されるようにした半導体装備やLCD装備の窒素ガス噴射装置に関し、フランジを有する一対のフランジ配管と、一対のフランジ配管間でフランジ配管の壁体に沿ってリング状に結合され、フランジ配管の内部に窒素を供給する噴射ノズルと、窒素ガスの供給のために噴射ノズルと連結された窒素供給ラインと、を備え、噴射ノズルは、円周方向に沿って供給された窒素が移動可能に内部に中空が形成され、内部中空と連通し、供給された窒素がフランジ配管の内部に噴射されるようにする多数の噴射孔を備えるが、噴射孔は、フランジ配管の内周面から突出した位置において、前記反応副産物ガスの流れ方向に噴射されるように形成される。
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【課題】基板上に処理液が存在するか否かについて、簡易な構造で検出し、製品の歩留まりの悪化を抑えること。
【解決手段】スピンチャック2に静電センサ54A〜54Cを埋設する。静電センサ54の静電容量は、基板であるウエハW上に処理液が存在すると、存在しない場合に比べて大きくなる。従って静電センサ54A〜54Cにより、スピンチャック2上のウエハW上に処理液が存在するか否かについて検出することができる。従って所定のタイミングでウエハW上に処理液が存在するか否かについて検出することによって、処理液ノズル4からの処理液の吐出や、基板上における処理液の拡散の異常を速やかに検出できるため、これらの異常に直ちに対処でき、製品の歩留まりの悪化を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】発熱体の劣化を防止しつつ、流体の加熱効率を高めた流体加熱装置およびそれを用いた基板処理装置を提案する。
【解決手段】非磁性材料より成り内部空間内に流体が給送される配管5と、配管5の外側に巻回される誘導加熱コイル6と、磁性材料より成り誘導加熱により発熱される発熱体7とを具備してなり、誘導加熱コイル6に高周波電流を流して発熱体7を発熱させ、発熱された発熱体7により配管5内を流れる流体を加熱する流体加熱装置において、配管5は、内部中空を有する筒状の本体部50と、本体部50の軸中心C上に沿って内部空間の中途部まで延出されるとともに、本体部50の内部空間と区画されかつ外部空間と連通される収容部51とが設けられ、発熱体7が収容部51に収容されて配設される。 (もっと読む)


【課題】異種基板と貼り合わせた窒化物系化合物半導体基板の一部を異種基板から除去することにより窒化物系化合物半導体層を異種基板上に製造する方法において、窒化物系化合物半導体層におけるリーク電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板等の支持基板20上に窒化ガリウム層30を有する基板生産物1を製造する方法であって、窒化ガリウム基板10の表面10aにイオン注入を行う工程と、表面10aを洗浄する工程と、表面10aと支持基板20の表面20aとを互いに接合させる工程と、窒化ガリウム基板10のうち表面10aを含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化ガリウム層30を支持基板20上に形成する工程とを含む。表面10aを洗浄する工程の際、洗浄後の表面10aにおけるFe,Cr,Ni,及びSiの密度を合計で1×1018[cm−3]以下とする。 (もっと読む)


【課題】洗浄により得られるウェーハの品質を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】所定の洗浄液をウェーハWに吐出して、ウェーハWを洗浄するウェーハ洗浄装置1において、ウェーハWに洗浄液を吐出するために、ウェーハWを収容するスピン槽5を備え、スピン槽5におけるノズル17が設けられたノズルキャップ16の表面を、水に対する接触角が90度以上のPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)により構成するようにする。係るウェーハ洗浄装置1によると、ノズルキャップ16における洗浄液の残留を低減することができ、得られるウェーハWの品質を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極5に第1の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第1の高周波電力より周波数の低い第2の高周波電力をウエハWの下部電極4に印加するプラズマ処理装置1を用いて、下部電極4上に載置されたウエハWの端部に付着した堆積物Dを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を400〜800mTorrに設定し、下部電極4からウエハWを離した状態で上部電極5によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする (もっと読む)


【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ12内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート3の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極4a、4b間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間3bに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 (もっと読む)


【課題】VLSI技術及びULSI技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 (もっと読む)


【課題】第1電極への直流電圧を印加する方式を採用しながら、対向電極を実質的に必要としないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、半導体ウエハWが収容され、内部が真空排気可能なチャンバ10と、チャンバ10内に互いに対向して配置される、上部電極34および半導体ウエハWを載置する下部電極16と、チャンバ10内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニット66と、下部電極16にプラズマ生成用の高周波電力を印加する第1の高周波電源48およびバイアス用の高周波電力を印加する第2の高周波電源90と、上部電極34に正負交互に変化する直流電圧を印加する直流電圧印加ユニット50とを具備する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、ウエハWを収容するチャンバ11と、該チャンバ11内に配置されてウエハWを載置する載置台12とを備え、該載置台12は、載置されたウエハWの裏面に接触して当該ウエハWを静電吸着する静電チャック21と、該静電チャック21からウエハWの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系25を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハWを除電する際、まず、プラズマP中の電子によってウエハWの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系25からウエハWに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハWの裏面の負の電荷を中和する。 (もっと読む)


【課題】枚葉式洗浄装置に断続的にオゾン水の供給を繰り返しても安定した濃度のオゾン水を供給可能で、送水ポンプが不要なオゾン水供給装置を提供する。
【解決手段】オゾン水と少なくとも大気圧以上の一定圧のオゾンガスが供給される計量槽と、計量槽の内圧が一定の圧力を超えたときオゾンガスを放出して計量槽の内圧をオゾンガス供給圧より低い一定圧に保つオゾンガス放出手段と、計量槽からオゾン水を供給するオゾン水供給給配管とを有する。 (もっと読む)


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