【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ミスト等に起因する基板へのウォーターマークの発生を抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】スピンベース２３に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに形成される液膜を、該液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスにより凍結させる。、冷却ガスを吐出するノズル３を基板の回転中心ＡＯから基板周縁まで回動アーム３５によりスキャンさせる。これ以外のタイミングでは、ノズル３を基板上方から離れた待機位置（点線）に待機させるとともに、低流量で冷却ガスを吐出させてアイドリングを行う。吐出される冷却ガスについては、待機位置のノズル３直下に設けたガス回収ユニット３００により回収し、処理空間ＳＰに冷却ガスが流出するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量をより均一化することにより、処理槽内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、被処理体を第１開口から収容し、側面に第２開口を有する処理槽と、前記第２開口から前記処理槽内に延び、複数の第１の孔を有する配管と、前記被処理体が配置される領域と前記配管との間に位置し、第２の孔を有し、中央部分となる第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分とを有する板と、前記板と処理槽の底面との間の処理槽の側面を覆い、前記第２の部分の一部とオーバーラップする前記壁部と、を含み、前記第１の孔は、前記底面に向かうように配置され、前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分には、前記第１の部分よりも高い第２の圧力がかかる。 （もっと読む）

【課題】マランゴニー対流を用いる乾燥方式で乾燥させる際に、薄板状基板と基板支持治具との支持接点に残り易い液滴残渣を少なくし、良好な品質で安定した乾燥を可能とする基板支持治具を提供すること。
【解決手段】基板を洗浄し、その後マランゴニー乾燥させるために用いる基板支持治具が、前記基板を直立させて保持するための支持板を備え、該支持板が前記基板の支持用接点に溝を有し、前記支持板表面の純水に対する接触角が１５度以下であるとする。 （もっと読む）

【課題】薬液又はリンス液よりなる処理液を供給する処理液供給ノズルの表面への処理液の付着を防止或いは低減することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部３０、４０と、基板保持部３０、４０に保持されている基板Ｗ上に、第１の処理液を吐出する複数の第１の処理液吐出口が配列されてなる第１の処理液吐出口列を含む第１の処理液供給部と、第１の処理液吐出口列と略平行に、第２の処理液を吐出する複数の第２の処理液吐出口が配列されてなる第２の処理液吐出口列を含む第２の処理液供給部と、第１の処理液吐出口列と第２の処理液吐出口列との間に、ガスを吐出する複数の第１のガス吐出口が配列されてなる第１のガス吐出口列を含む第１のガス供給部とを有する。複数の第１のガス吐出口の各々は、第２の処理液供給部側へ向けてガスを吐出するように、配列されている。 （もっと読む）

【課題】長尺ノズルにより複数の処理液を供給して基板を均一に処理することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部と、回転駆動部と、第１の方向に沿って長尺に形成され、第１の処理液を供給する第１の処理液供給部８１と、第１の方向に沿って長尺に形成されており、第１の処理液供給部８１と平行に設けられた、第２の処理液を供給する第２の処理液供給部８３と、第１の処理液供給部８１と第２の処理液供給部８３とを、第２の方向に移動させる移動駆動部１２３と、制御部２００とを有する。制御部２００は、第１の処理液を供給するときは、第１の処理液が基板の回転中心に到達するように、第１の処理液供給部８１を移動駆動部１２３により移動させ、第２の処理液を供給するときは、第２の処理液が基板の回転中心に到達するように、第２の処理液供給部８３を移動駆動部１２３により移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に液処理することができる２流体ノズルや同２流体ノズルを用いた基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、第１の液体を吐出する第１の液体吐出口（４５）と、気体を吐出する気体吐出口（４７）とを有し、第１の液体吐出口（４５）から吐出した第１の液体と気体吐出口（４７）から吐出した気体とを外部で混合して被処理体（基板２）に向けて混合流体（５２）を噴霧する２流体ノズル（３４）において、被処理体（基板２）に噴霧された混合流体（５２）の被処理体上での外縁部に第２の液体を供給するための第２の液体吐出口（５３）を有することにした。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄チャンバ、チャンバコンポーネント及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】液切れのよいノズルアームを備える基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、ノズルを保持するノズルアーム４とを含む。ノズルアーム４は、水平面に沿う長手方向Ｄ１に延びている。ノズルアーム４の少なくとも一部の直交断面Ｃ１は、直交断面Ｃ１において最も上に位置している頂部４５と、頂部４５より側方に位置している側部４２と、頂部４５から側部４２まで下降し続けている上側傾斜部４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の洗浄をより効率的に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】半導体基板２０をその主面を鉛直方向及び水平方向から傾斜させて保持し、酸を含む洗浄液２６に半導体基板２０を浸漬する。 （もっと読む）

【課題】確実な基板保持を実現しつつ、基板表面を効率的に液処理可能な液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される液処理装置は、基板を裏面から支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を回転する回転機構と、前記基板支持部材に支持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】裏面洗浄の際に洗浄液が基板裏面に付着するのを抑制して洗浄効率の向上を図れるようにすると共に、装置の小型化を図れるようにする。
【解決手段】基板Ｇを水平状態に保持する基板保持部１０、基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転駆動部２０、基板保持部にて保持された基板の裏面に洗浄液を吐出する洗浄液供給部５０とを具備する基板洗浄装置において、基板保持部は、基板を支持する支持部材１４を立設する環状部材１３と、回転駆動部に連結される中空回転軸１１の頂部に設けられるボス部１２と、ボス部と環状部材とを連結する複数の中空状スポーク１６と、を具備する。洗浄液供給部は、洗浄液供給源５３に接続され、中空回転軸内に遊貫される洗浄液供給筒軸５１と、洗浄液供給筒軸内を流れる洗浄液をスポークの中空部１６ａに案内すべくボス部に設けられる連通流路５４と、スポークの軸方向に沿って設けられる複数の裏面洗浄ノズル５５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】処理基板の中心部と周辺部のエッチング速度が異なるローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理基板１１が載置されるステージ７が配置された陰極側電極３と、該電極に対向する陽極側電極との間に、前記陽極側電極側から前記陰極側電極側に貫通して、開口状態が調整可能な複数の開口部１００を有する障害物９を、処理基板１１の近傍に該基板の全面を覆うように配設することによって、前記基板の面内中心部のプラズマ密度を低減させて前記基板の中心部と外周部のプラズマ密度の偏りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、当該酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
（１）フッ化水素と、（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。 （もっと読む）

【課題】基板表面の洗浄均一性を向上できる流体供給部材、液処理装置、および液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される流体供給部材は、第１の点から第２の点まで第１の方向に延在する本体部と、前記本体部に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に開口し、前記第１の方向に配列される複数の流体吐出部とを備える。前記複数の流体吐出部のうち、前記第１の点側の前記流体吐出部の開口角度は、前記第２の点側の前記流体吐出部の開口角度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 基板上のパターンにダメージを与えることなく基板を良好に乾燥処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結する。次に、凍結膜を昇華乾燥すると侵入防止液の表面が露出することで平行して侵入防止液の除去が行われる。この除去工程によって凍結膜が除去されることでパターンへのダメージを生ずることなく基板表面Ｗｆを乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】高い除去率で、しかも優れた面内均一性で基板を凍結洗浄する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成されたＤＩＷ（凝固対象液）の凝固膜ＦＦに対してＤＩＷの凝固点よりも高い温度を有する融解液（ＤＩＷ）を局部的に供給するとともに、当該融解液を吐出するノズル８を基板表面Ｗｆに沿ってスキャン移動させて基板Ｗへの融解液の供給位置を変位させている。このため、基板Ｗ表面の複数位置で融解液の流速が速くなり、基板Ｗ表面の各部で高い除去率が得られるとともに、除去率の面内均一性も向上している。また、融解液により融解された領域（融解部分ＭＰ）と融解されていない領域（凝固膜ＦＦ）との界面ＩＦが基板Ｗの外周縁部側に広がるのに追随してノズル８を基板Ｗの外周縁部側に移動させているので、融解部分ＭＰで発生した氷塊による基板ダメージを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をＩＰＡに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Ｗを保持して回転させる工程と、基板の下面にＤＩＷ（純水）を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＮ_２ガスとを含むミストを供給してＤＩＷをＩＰＡで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口６２を有する、基板の下方に設けられたノズル６０により行われる。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に効率良く液体洗浄および二流体洗浄を行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持部に保持された基板（Ｗ）の下方に位置して基板の下面に液体と気体とを混合してなる二流体を吐出することができるように構成されたノズル（６０）を備える。ノズルは、液体を吐出するための複数の液体吐出路（６７ａ）と、気体を吐出するための複数の気体吐出路（６７ｂ）とを有している。ノズルは、複数の液体吐出路にそれぞれ対応する複数の液体吐出口（６１）を有している。液体吐出口は、基板保持部に保持された基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されている。液体吐出口は、気体吐出路に気体が供給されずに液体吐出路に液体が供給されているときに、液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Ｗの回転中心Ｐ（０）から基板Ｗの外縁側に離れた初期位置Ｐ（Ｒin）の上方に冷却ガス吐出ノズル７を配置し、回転している基板Ｗの初期位置Ｐ（Ｒin）に冷却ガスを供給して、初期位置Ｐ（Ｒin）および回転中心Ｐ（０）を含む初期領域に付着するＤＩＷを凝固させる。そして、初期凝固領域ＦＲ0の形成に続いて、ノズル７から冷却ガスを供給しながら初期位置Ｐ（Ｒin）の上方から基板Ｗの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Ｗの外縁側に広げて基板表面Ｗｆに付着していた全ＤＩＷ（凝固対象液）を凝固して液膜ＬＦ全体を凍結する。 （もっと読む）