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Fターム[5F157DB37]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 最適処理を目的とするもの (4,470) | 洗浄むら、すすぎむら、乾燥むら防止 (543)

Fターム[5F157DB37]に分類される特許

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【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Wが薬液処理される。次に、基板Wを回転させながら、基板Wにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Wを回転させながら、基板Wを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Wの中心部にリンス液を供給しながら、基板Wの回転数をリンス処理工程時の基板Wの回転数より低い第1の回転数まで低下させる工程と、基板Wの回転数を第1の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、基板Wの中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、リンス液供給位置を移動させる工程の後、基板に乾燥液を供給する工程と、を有している。 (もっと読む)


【課題】処理モジュールに処理液を共通の塗布ノズルを用いて供給するときに、複数準備される薬液ノズルの処理液供給配管同士の擦れを防ぎ、同時に塗布ノズルを把持して移動するときにノズル搬送アームへの無用な負荷を掛けないようにすること。
【解決手段】処理液供給ノズル10を接続し、上部に第1の把持穴40を設けるノズルブロック部17と、上部に第2の把持穴25を設ける把持用ブロック部18と、両ブロック部を直状に接続する接続管19と、を備える。処理液供給ノズルに連通される処理液供給管21は、接続管の中に配管され、ノズル把持アーム12は、第1の把持穴及び第2の把持穴にそれぞれ嵌合可能な第1及び第2の把持用凸部41,42を備え、ウエハWの上方に処理液供給ノズルを移動する際は、ノズルブロック部の第1の把持穴と把持用ブロック部の第2の把持穴にそれぞれ第1及び第2の把持用凸部を同時に嵌合して把持した状態で移動させる。 (もっと読む)


【課題】基板に付着するリンス液に起因する基板の処理不良を防止することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Wが回転するとともに、気液供給ノズル453の液体ノズル453aが回転する基板Wの中心部WCの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル453aから回転する基板Wにリンス液が吐出される。気液供給ノズル453が基板Wの外方位置に向かって移動する。ガスノズル453bが回転する基板Wの中心部WCの上方位置に到達することにより、気液供給ノズル453が一時的に停止する。気液供給ノズル453が停止した状態で、回転する基板W上の中心部WCに一定時間不活性ガスが吐出される。その後、気液供給ノズル453が再び基板Wの外方位置に向かって移動する。 (もっと読む)


【課題】突起部との接触による小さなエッチング異常の発生を防止することが可能なウェーハエッチング用治具を提供する。
【解決手段】ウェーハエッチング用治具10は、円板形状を有する側板11A,11Bと、側板11Aと側板11Bとを連結する複数のシャフト12a〜12eと、側板11Aと側板11Bとの間において個々のウェーハの収容空間を規定する複数のプレート13と、各プレート13の両面に設けられた突起部と、シャフト12b,12c,12dの上方に設けられた撹拌フィン15a,15b,15cとを備えている。撹拌フィン15a,15b,15cは、シャフト12b,12c,12dと平行に延設された板状部材であり、治具と共に回転してエッチング槽内のエッチング液を撹拌する。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能であり、かつ配管構成を簡素化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を真空処理空間において処理する基板処理装置であって、少なくとも2枚以上の基板を載置する基板載置台を備え、前記基板載置台は載置される基板の数に対応する数の基板載置部から構成され、前記基板載置部には載置された基板の中央部を冷却させる中央温調流路と、基板の周縁部を冷却させる周縁温調流路と、が互いに独立して形成され、前記基板載置台には前記周縁温調流路に温調媒体を導入させる温調媒体導入口が1つ設けられ、前記周縁温調流路から温調媒体を排出させる温調媒体排出口が載置される基板の数に対応する数だけ設けられる、基板処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】リブと半導体基板との間の貼り付きを防止し、洗浄液、エッチング液を半導体基板表面にスムーズに流し、均一なエッチングが実現できる方法を提供する。
【解決手段】基板カセットに設けられた複数のリブ10の間に、単結晶シリコン基板を配置し、基板カセットをエッチング液が収容された槽内に浸漬し、単結晶シリコン基板の表面処理を行う半導体装置の製造方法であって、基板カセットのリブ10の表面に単結晶シリコン基板との接触面積を低下させる穴部101が設けられている。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、互いに対向する一対の側壁10a、10bを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽10と、複数の基板を起立させて保持する保持部21と、保持部21に連結され、処理槽10内に搬入された際に、保持部21に保持された基板と処理槽10の一方の側壁10aとの間に介在される背部22とを有し、保持部21に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構20とを備えている。処理槽10に、貯留された薬液を加熱する加熱器80が設けられている。この加熱器80は、一方の側壁10aに設けられた第1加熱器81と、他方の側壁10bに設けられた第2加熱器82と、を有しており、第1加熱器81の出力と第2加熱器82の出力は個別に制御される。 (もっと読む)


【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板1に対する処理を行う処理装置1において、被処理基板Wを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部2、3には、被処理基板Wの側周面を規制する規制部材52と、回動軸513周りに回動自在であり、被処理基板Wを規制部材52側に押し付けて保持する可動部材51と、当該可動部材51を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸513には、被処理基板Wの中央部寄りの位置側に回動軸513を付勢する付勢力が付与され、ガイド部517に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Wを保持する。 (もっと読む)


【課題】表面特性が良好になるようにSiC半導体を洗浄するSiC半導体の洗浄方法およびSiC半導体の洗浄装置を提供する。
【解決手段】SiC半導体の洗浄方法は、SiC半導体の表面に酸化膜を形成する工程(ステップS2)と、酸化膜を除去する工程(ステップS3)とを備え、酸化膜を除去する工程(ステップS3)では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマによって、酸化膜を除去する。酸化膜を除去する工程(ステップS3)では、ハロゲンプラズマとしてフッ素プラズマを用いることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物を超音波洗浄した後の洗浄ムラの発生を抑制できる超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、洗浄液23が入れられる洗浄槽21と、前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬された被洗浄物22に超音波振動を与える第1及び第2の超音波振動子34a,34bと、前記第1の超音波振動子に高周波出力を印加する第1の超音波発振器36と、前記第2の超音波振動子に高周波出力を印加する第2の超音波発振器37と、前記第1及び第2の超音波発振器の少なくとも一方の出力を変動させて制御するコントローラ38と、を具備し、前記第1の超音波振動子から発振された第1の超音波を、前記第2の超音波振動子から発振された第2の超音波に干渉させることを特徴とする超音波洗浄装置である。 (もっと読む)


本発明は、圧電素子の中心部で音圧が集中することなく広い面積に渡って均一な音圧が発生するようにし、被洗浄物に損傷を与えずに洗浄効率を高めることができる超音波精密洗浄装置に関する。本発明の超音波精密洗浄装置は、被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄液供給装置と、セラミック体およびセラミック体の上部および下部にそれぞれ蒸着した上部電極、下部電極を備えて超音波を発生させる圧電素子と、圧電素子の端部に結合して被洗浄物と対向するように備えられ、圧電素子で発生する超音波を被洗浄物に伝達する超音波伝達体と、ハウジングと、電源線と、を含む超音波洗浄装置であって、圧電素子または超音波伝達体の中心には垂直ホールが形成される。
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【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第1の処理工程S11と、第1の処理工程S11の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程S14と、位置変更工程S14の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第2の処理工程S15とを有する。 (もっと読む)


【課題】紫外線処理装置の周囲で大きな気流が発生しても、その影響を受けることなく、被処理物表面に紫外線を均一に照射することができ、被処理物の表面を均一に処理することができる紫外線処理装置、及び、紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】本願発明の紫外線処理装置は、鉛直方向の下方に開口を有するランプハウス1と、ランプハウス1内に収容された紫外線ランプ2及びガス噴出孔30を有する不活性ガス供給管3と、被処理物Wを搬送する搬送機構4と、被処理物Wを処理するためのチャンバー5とを備え、被処理物Wを搬送しながら紫外線を照射する紫外線処理装置において、ランプハウス1より搬送方向の上流側に被処理物Wが搬入される前方緩和室6が連結され、ランプハウス1より搬送方向の下流側に被処理物Wが搬出される後方緩和室7が連結され、チャンバー5には、搬送されてくる被処理物Wに対して鉛直方向の下方の位置に、排気管8が接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】洗浄対象面内の清浄度およびその均一性を高めさらにメンテナンスも容易なUVオゾン洗浄装置を提供すること。
【解決手段】UV照射室(10)内に2つのUVユニット(20A、20B)を備えており、これらUVユニットは所定の間隔を有するように対向して設けられている。この間隔内には、洗浄対象物(30)が基板搬送部(40)により把持された状態で搬送される。オゾン発生の源となるエアーと不活性ガスの混合ガスは第1および第2のガス供給部(50A、50B)から、UV照射室(10)内に搬送された基板(30)の表面に向けて供給される。ガス排出部(60)は、装置(100)の底部に設けられており、UV照射室(10)内で発生したオゾン含有ガスは、装置上部に設けられた排気ユニット(70A、70B)の作用により、ガス排気経路部(80A、80B)を通ってガス排出部(60)から外部へと排出される。 (もっと読む)


【課題】一対の回転ブラシを用いた枚葉式洗浄方法において、半導体用基板の表面について洗浄能力を高めるとともに、半導体用基板の回転駆動手段を省略できるようにする。
【解決手段】半導体用基板1をローラ4により回転自在に支持すると共に、半導体用基板1の表裏面に半導体用基板1の半径範囲に渡って各回転ブラシ2、3を接触させ、同一周速度で互いに逆方向に回転する前記2つの回転ブラシ2、3によって半導体用基板1を回転駆動する枚葉式ブラシ洗浄方法において、半導体用基板1の表面側の回転ブラシ2の周速度に対し、半導体用基板1の裏面側の回転ブラシ3の周速度を低下させ、半導体用基板1に与える総合的回転駆動力を低減させて、半導体用基板1を低速回転させ、半導体用基板1の表面に接触する回転ブラシ2と半導体用基板1の表面との間の周速度差を増大させて、半導体用基板1の表面の洗浄能力を上げ、高清浄度の洗浄を行うようにしている。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器31内では、被処理基板Wが縦向きの状態で液体内に浸漬されており、この液体を超臨界状態の置換流体により押し出して処理容器31より排出する。しかる後、液体と置換された後の置換流体を処理容器31から排出して当該処理容器31内を減圧し、この置換流体を超臨界状態から気体に遷移させることにより被処理基板Wを乾燥する。 (もっと読む)


【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第1処理室8および第2処理室9は、それぞれ、第1処理空間S1および第2処理空間S2を区画している。第2処理空間S2は、第1処理空間S1内に設けられ、第1処理空間S1に通じている。スピンチャック10に保持された基板Wは、チャック昇降機構36によって第1処理空間S1または第2処理空間S2に配置される。処理液供給機構12は、第2処理空間S2で基板Wに処理液を供給する。第1処理空間S1および第2処理空間S2の気圧は、排気機構23およびFFU24によって、第1処理空間S1の気圧が第1処理空間S1の外の気圧よりも高く、第2処理空間S2の気圧が第1処理空間S1の気圧よりも低くなるように制御されている。 (もっと読む)


【課題】ティーチング作業を軽減することができるとともに、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置のためのティーチング方法を提供すること。
【解決手段】透明シート30がノズル3に取り付けられる。このとき、透明シートの基準線上にノズル3が位置する。スピンベース6の上面には、模様シート50が貼着される。スピンベース6が鉛直軸線まわりに回転される。スピンベース6の上面16に、回転中心BCを中心とする同心円パターン52が表れる。回転中のスピンベース6の上面16の上方を、ノズル3および透明シート30が軌道に沿って移動する。透明シート30の縞パターンが同心円パターン52に重なると、線対称のモアレパターンが表れる。カメラによって撮像された画像に含まれるモアレパターンの対称軸が基準線に一致した時、ステッピングモータの回転量が取得される。 (もっと読む)


【課題】洗浄中での洗浄液と洗浄対象物との接触面積を制御する洗浄システム及び洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】洗浄システムは、ワーク1に洗浄液Lを供給可能な供給ノズル30と、ワーク1に供給された洗浄液Lに接触して振動させるホーン60と、ホーン60を振動させる発振器50と、ワーク1とホーン60とのクリアランスを変更可能にホーン60を移動させる昇降機80と、発振器50のインピーダンスを検出する検出分離部70と、インピーダンスに基づいて昇降機80を制御することによりクリアランスを制御する制御部10と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】被処理基板への影響を低減しつつ良好な洗浄、乾燥処理を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置2に設けられた洗浄槽221では、洗浄液供給部から洗浄液を供給しながら当該洗浄液に被処理基板Wを縦向きの状態で浸漬して洗浄が行われ、この洗浄槽221の上方領域と連通する乾燥室21では、洗浄槽221から引き上げられた被処理基板Wの乾燥が行われる。そして、第1の乾燥ガス供給部及び第2の乾燥ガス供給部からは、洗浄後の被処理基板Wの上端が洗浄液の液面より上方に引き上げられた後、少なくとも被処理基板が晒される領域に、前記洗浄槽の上方領域から乾燥室内に至るまでの雰囲気に液体除去用の溶剤蒸気を含む第1の乾燥ガスと、前記溶剤蒸気を含まない第2の乾燥ガスとが交互に供給される。 (もっと読む)


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