【課題】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法において、従来のウェット処理等、拡散律速型処理による表面処理で問題視されていた反応ムラを効果的に抑制し、表面性状に優れたウェーハを提供する。
【解決手段】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】短い洗浄時間にて基板の全面を洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄ヘッド６０の底面には２０個の吐出孔を所定の配列間隔で一列に並べた孔列ＮＲを４列設けている。また、洗浄ヘッド６０の外壁面には圧電素子が貼設されている。洗浄ヘッド６０の内部に洗浄液を供給しつつ、圧電素子により洗浄液に振動を付与することによって、合計８０個の吐出孔６４から直径が一定である洗浄液の液滴を生成して一定速度にて連続して吐出する。洗浄ヘッド６０から液滴を吐出する際には、カバーリンスノズル８０から基板Ｗの上面にカバーリンス液を吐出して液膜を形成しつつ洗浄ヘッド６０を基板Ｗの中心部と端縁部との間でスキャンさせる。８０個の吐出孔６４から液滴を吐出することによって、短い洗浄時間にて基板Ｗの全面を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第１の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程（ａ）と、設備パラメータに基づいて、工程（ａ）における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程（ｂ）と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程（ｃ）と、工程（ａ）の後に、第１の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクなどに用いられる石英基板の洗浄方法であって、傷が発生せず、洗浄効果も高い研磨した石英ガラス基板のスクラブ洗浄方法を提供する。
【解決手段】２流体ジェット洗浄によりスクラブ洗浄時にスクラブ材にからんで基板に傷をつけるような異物を除去し、その後、スクラブ材として３０％圧縮応力が２０〜１００ｋＰａ、２０ｋＰａにおける圧縮弾性率が５０〜２００ｋＰａであるスクラブ材を用いて、スクラブ洗浄することで、スクラブ洗浄による傷の発生を抑制し、なおかつ基板の主表面のみならず端面まで細かい付着物を除去する。 （もっと読む）

【課題】直径の大きい基板のためのチャンバ内で、処理ガスを均一に散布するガス分配器を備えた処理チャンバを得る。
【解決手段】半導体基板を処理する処理チャンバ（２５）は、基板（５０）を支持する支持装置を含む。処理ガスをチャンバ（２５）に導入するガス分配器（９０）は、基板（５０）平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ（２５）に噴射するガスノズルを有する。隋的に、ガス流制御装置（１００）は、処理ガスの流れを１つ又はそれ以上のガスノズル（１４０）を通して制御してパルス化する。排気装置はチャンバ（２５）からの処理ガスを排出するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面をスピン洗浄するにあたり、基板上に残存する水滴を低減し、例えば露光後の加熱処理時における水滴あるいはウオータマークによる加熱むらを抑えること。
【解決手段】 洗浄液ノズル５の吐出口よりもウエハＷの回転方向における下流側に洗浄液を拘束する液押さえ面部を設ける。具体的には洗浄液ノズル５の底面７０は長方形状に成形され、底面７０にはスキャン方向前方に向けて開いている概ねＶ字状の凹部７１が形成されると共に凹部７１の天井面７２における根元側に吐出口７３が形成される。洗浄液ノズル５からの洗浄液の供給位置を基板の中央部から周縁に向かって移動させると、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液は、液押さえ面部により拘束されて液の塊ができるので、低回転でも遠心力が大きくなってその液の塊が外に向かう作用が大きくなる。 （もっと読む）

【解決手段】板状物品を乾燥させるための方法が開示される。該方法は、水性すすぎ液によるすすぎと、有機溶媒による後続のすすぎとを含み、有機溶媒は、２０重量％未満の含水量を有し、有機溶媒は、少なくとも３０℃で、かつ６０℃を超えない溶媒温度で供給される。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を使用することなく、目視不可能な程度に薄い液膜や微小な液滴を含めて、濡れた基板表面から液体を残留させることなく迅速かつ完全に除去して、ウォーターマークの生成を最小限に抑えることができるようにする。
【解決手段】液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板表面に対向させて配置した気液吸引ノズル２８と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を該表面から剥離させつつ近傍の気体と共に気液吸引ノズル２８で吸引し、基板表面に対向させて配置した乾燥ガス供給ノズル４４と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を剥離させた領域に向けて乾燥ガス供給ノズル４４から乾燥ガスを吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム照射部の窓を保護するとともに良好な表面処理結果を得ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１は、処理溶液８１により処理対象物９０の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部１０，溶液供給部２０，ガス吹出部３０，ガス吸引部４０，ガス量調整部５０および回転部６０を備える。電子ビーム照射部１０は、窓１４を通過した電子ビームを処理対象物９０表面上の処理溶液８１に照射して、その処理溶液８１を活性化させる。ガス吹出部３０は、電子ビーム照射部１０の窓１４に対し略平行に不活性ガス８２を吹き出す。ガス吸引部４０は、ガス吹出部３０から吹き出された不活性ガス８２を吸引する。 （もっと読む）

本発明の目的は、ウエハの損傷を低減することができ、ガスの使用量を低減することができるウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法を提供することである。本発明は、ウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法に関する。当該装置は、側面に第１の回転軸が固定され、上部に移動可能な第２の回転軸が形成され、下部に第１の排水口が形成されているチャンバと、上記第１の回転軸と上記第２の回転軸に固定され、ウエハを実装するカセットが端部に固定されるチルトアームと、上記カセットにＩＰＡ／窒素ガスを供給する第１のノズルと、上記第２の回転軸を第１の方向または第２の方向に移動させるスクリューと、上記スクリューを回転させる駆動モータと、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で有機ガス供給装置から供給される混合ガス中の有機ガス濃度を検出できる有機ガス濃度検出方法、及び有機ガス供給装置を提供すること。
【解決手段】ガス導入管１２及びガス吐出管１３を備えたバブリングタンク１１内にＩＰＡ等の有機溶剤を収容し、該タンク内の有機溶剤１０４中に不活性ガスを通気して気化させ、ガス吐出管１３から不活性ガスと有機ガスの混合ガスを吐出す有機ガス供給装置において、ガス導入管１２に第１マスフローコントローラ１５を設け、ガス吐出管１３にマスフローメータ１６を設け、第１マスフローコントローラ１５からのガス流量測定値とマスフローメータ１６のガス流量測定値から、混合ガス中の有機ガス濃度を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(Ｗ)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
固体表面から粒子汚染物を除去する装置及び方法は、固体表面上に粘弾性材料の層を提供することを含む。粘弾性材料は、薄膜として塗布され、実質的に液体状の特性を示す。粘弾性材料は、粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する。高速の液体を、粘弾性材料が固体状の挙動を示すように粘弾性材料に付与する。したがって、粘弾性材料は、粒子汚染物と共に固体表面から取り除かれ、これにより固体表面に粒子汚染物が無い状態となる。 （もっと読む）

【課題】減圧乾燥を用いた光学素子の製造方法において、基板面内での膜厚ムラ（ばらつき）を抑制するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】給気口１０と排気口１１を具備した減圧乾燥装置において、基板１を支持するステージ３上部に、基板１に対する角度を変更可能な変速板１２を取り付ける。この装置により、基板１上の流速分布が、排気口１１に近づくにしたがって大きくなる分布となり、この結果、基板１上部の溶媒蒸気濃度を場所によらず、かつ時間によらず一定とすることができる。このため、乾燥状態が基板１全面にわたって同一となるため、膜厚ムラの少ない光学素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の洗浄効率を向上させること。
【解決手段】基板２を回転させるための基板回転手段１９と、回転する洗浄体３２で基板２の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段２１と、基板２に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段２２とを有する基板液処理装置を用いて、回転する基板２の周縁部に回転する洗浄体３２を接触させて、洗浄液で洗浄するときに、基板回転手段１９による基板２の回転方向と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転方向とを反対方向として、基板２と洗浄体３２とが接触する洗浄部分での基板２と洗浄体３２の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段１９による基板２の回転速度と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜３．５：１の範囲となるようにした。 （もっと読む）

【課題】大面積極薄ウェハを洗浄するのに適したスクラブ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】このスクラブ洗浄装置は、極薄ウェハ７の外周縁部が保持されてウェハを水平の状態で回転可能に支持する支持部材８と、支持部材を所定の回転数で回転させる駆動部と、ウェハ表面上に配置されかつウェハ表面に対して平行な回転軸を有するロールブラシ９と、ウェハ表面へ洗浄液10を供給する供給部を備え、ウェハ裏面側へ向け水流等の液体を噴射してウェハ表面の平面状態を維持させるウェハ平面維持手段としてのノズル11が設けられていることを特徴とする。そして、この装置によれば、ウェハ中心部に洗浄液が溜まり易いスクラブ洗浄中においても、ウェハ平面維持手段の作用によりウェハ表面の平面状態が維持されるため良好なスクラブ洗浄を安定して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の被処理領域が均一に処理されるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００２は、被処理領域１９０８の平面形状と同一の平面形状を有する第１の対向面１０２０を持つ第１の電極１０１２を備える第１の電極構造体１００４に支持されたワーク１９０２を線状の第２の対向面１０５０を持つ第２の電極１０４６を備える第２の電極構造体１０３６で走査する。また、プラズマ処理装置１００２は、第２の電極構造体１０３６でワーク１９０２を走査しながら第１の電極１０１２と第２の電極１０４６との間に電圧を印加し、第１の電極構造体１００４と第２の電極構造体１０３６との間隙１０３８にプラズマを発生させることにより、ワーク１９０２の上面１９０４にプラズマを作用させる。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具１３ａに載置された被洗浄物１３をＩＰＡ蒸気雰囲気４に浸漬して蒸気乾燥を行うＩＰＡ蒸気乾燥槽２の後段に余熱乾燥槽６を設け、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２で蒸気乾燥を終え、ＩＰＡ蒸気雰囲気４の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物１３および搬送治具１３ａを、余熱乾燥槽６に搬入し、当該被洗浄物１３および搬送治具１３ａ自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２におけるＩＰＡ蒸気雰囲気４への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物１３や搬送治具１３ａの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物１３のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料、粒子、または化学物質を基板から除去するためのブラシまたはパッドを作製する方法および材料を提供する。
【解決手段】ブラシまたはパッドは、多孔性パッド材料を支持するための回転可能ベースを含む。ベースは、内表面および外表面を含み、かつ多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせるための複数のチャネルをベースに含む。多孔性パッド材料は、ベースの外表面の少なくとも一部を覆い、材料を様々な基板から除去するために使用される。多孔性パッド材料は、ベースのチャネルの１つまたは複数を充填し、多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせる。チャネルは、ベースの前記内表面を外表面と流体接続し、多孔性パッド内における多孔性パッドノードの位置合わせおよび流体の分布を補助することが好ましい。 （もっと読む）