【課題】被処理基板への影響を低減しつつ良好な洗浄、乾燥処理を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置２に設けられた洗浄槽２２１では、洗浄液供給部から洗浄液を供給しながら当該洗浄液に被処理基板Ｗを縦向きの状態で浸漬して洗浄が行われ、この洗浄槽２２１の上方領域と連通する乾燥室２１では、洗浄槽２２１から引き上げられた被処理基板Ｗの乾燥が行われる。そして、第１の乾燥ガス供給部及び第２の乾燥ガス供給部からは、洗浄後の被処理基板Ｗの上端が洗浄液の液面より上方に引き上げられた後、少なくとも被処理基板が晒される領域に、前記洗浄槽の上方領域から乾燥室内に至るまでの雰囲気に液体除去用の溶剤蒸気を含む第１の乾燥ガスと、前記溶剤蒸気を含まない第２の乾燥ガスとが交互に供給される。 （もっと読む）

【課題】基板上面の周縁部における処理幅を精密に制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷはスピンチャックにより水平姿勢で保持されている。スピンチャックに保持されたウエハＷの下面の中央部には、下ノズル６からの処理液が供給される。下下ノズル６は、ウエハＷの下面から間隔Ｇ１を隔てて対向する上面５２を有している。上面５２には、処理液吐出口６ａが形成されている。ウエハＷを回転させつつ、処理液吐出口６ａから処理液を吐出すると、その吐出された処理液によって、ウエハＷの下面と下ノズル６の上面５２との間の空間５３が液密状態にされる。ウエハＷの下面に接液する処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて回転半径外方側へと広がり、ウエハＷの周端面１０２から上面に回り込む。 （もっと読む）

【課題】溶剤中の純水濃度を極力低くすることにより、純水に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部９７は、基板Ｗを純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤を注入して純水を溶剤で置換する置換処理を行い、処理液の流れを第１の分岐配管４９に切り換え、油水分離フィルタ５１によって純水を処理液から除去する分離除去処理の後、処理液の流れを第２の分岐配管５３に切り換え、吸着フィルタ５５により吸着除去処理を行う。したがって、分離除去処理によっても除去しきれない微量の純水だけを吸着フィルタ５５によって吸着除去することができ、溶剤中の純水濃度を極力低くすることができる。その結果、溶剤中の純水に起因する乾燥不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の全域を均一に洗浄処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、基板Ｗを保持して洗浄液に浸漬させる基板保持装置２０とを備えている。このうち基板保持装置２０は、個別に移動自在な第１基板保持部２０ａと第２基板保持部２０ｂとを有している。第１基板保持部２０ａおよび第２基板保持部２０ｂは、第１保持棒２１ａ、２１ｂと、基板Ｗの中心を通る垂直方向軸線に対して第１保持棒２１ａ、２１ｂとは反対側に設けられた第２保持棒２２ａ、２２ｂとをそれぞれ有している。 （もっと読む）

【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置３は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器８を備える。処理液容器８の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっている。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続され、配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８に気体を導入することによって重力落下により基板Ｗに吐出され、処理液容器８への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための溶液を均一に混合して定量を基板に提供する。
【解決手段】薬液供給ユニットは本体、第１供給管、第２供給管、及び回転防止部材を含む。本体は薬液を受け入れる円形断面を有する内部空間及び内部空間と連結されて薬液を下方に吐き出す吐出口を有する。第１供給管は本体の側面に備わって内部空間と接線形態で連結され、第１薬液が内部空間に沿って回転するように第１薬液を内部空間に供給する。第２供給管は本体を貫通して本体の中心側と隣接する端部を有し、第１薬液と混合するように第２薬液を内部空間に供給する。回転防止部材は吐出口に配置し、第１薬液と第２薬液の混合薬液が回転しながら吐き出すことを防ぐために混合薬液の回転を減少させる。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに流量調整バルブ４２ｄが設けられると共に、主配管２０を液供給機構４０に対して他側から開閉し得る主開閉機構２２が設けられている。前記混合比に基づいて流量調整バルブ４２ｄと主開閉機構２２とが制御される。 （もっと読む）

【課題】供給管からの反応ガスを吹出方向と交差する方向に均一に分布させて吹き出す表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】ノズル本体１０の耐反応ガス材料製の部材１２内に導入流路２０を形成し、その両端に反応ガスの供給管３をそれぞれ連ねる。複数の分岐流路２１を導入通路２０から吹出方向の先端側に延ばし拡散室２２に連ねる。拡散室２２内に整流板３０を設け、拡散室２２を整流板３０より基端側の室部２３と先端側の室部２５とに仕切る。整流板３０の両側の連通路２４にて室部２３，２５を連通する。好ましくは、支持部材４０にて整流板３０を支持し、室部２３内にスペーサ５０を設ける。 （もっと読む）

【課題】乾燥気体を効率的に使用できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】供給配管３３と排出配管３９との間で連通接続され、かつ排出配管３９に流れたドライエアを供給配管３３側へ戻す循環配管４５を設ける。基板Ｗの乾燥処理前に、第１の露点計及び第２の露点計４１が、所定の条件を満たせば、開閉弁４３を開から閉の状態、開閉弁４７を閉から開の状態にするとともに、ドライエアの循環配管４５への循環を開始し、ファン４９により循環配管４５内に十分なドライエアが送り込まれると、開閉弁を開から閉の状態、開閉弁５１を閉から開の状態にするとともに、ファンを停止させて、ドライエアの循環配管４５への循環を完了する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

処理チャンバ（２０）が、任意に過酸化水素などの酸化剤とともに硫酸などの酸の存在下で基板上に直接赤外線放射を行うことを通じて硬化フォトレジストをうまく除去する。この処理チャンバは、ウェハを保持して任意に回転させるためのウェハホルダ（２６）を含む。赤外線照射アセンブリ（１２６）が、処理チャンバ内に赤外光を放射するように配置された、処理チャンバの外側の赤外線ランプ（１４０）を有する。これらの赤外線ランプは、ホルダ上のウェハ表面の実質的に全体を照射するように配列することができる。この赤外線放射アセンブリに冷却アセンブリ（１５０）を組み合わせて、迅速な冷却を行うとともに過剰処理を回避することができる。少量の薬品溶液を使用してフォトレジストが除去される。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに、流量調整バルブ４２ｄが設けられており、更に、当該流量調整バルブ４２ｄに対して直列的に、補助流量調整機構４２ｅが設けられている。混合液の混合比調整のために、流量調整バルブ４２ｄと補助流量調整機構４２ｅとが連動して制御される。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、レギュレータ４２ｔによって制御された加圧力に従って第２液タンクから第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに、流量調整バルブ４２ｄが設けられている。混合液の混合比調整のために、流量調整バルブ４２ｄとレギュレータ４２ｔとが連動して制御される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、ＣＭＰブラシであって、ブラシの内側領域の中央ノジュールおよびブラシの端領域の１つまたは複数のエッジノジュールの組合せを有する、ＣＭＰブラシを含み、中央ノジュールおよびエッジノジュールは、互いに千鳥状または整合した配置構成にあり、ブラシ上の各エッジノジュールの上側表面は、中央ノジュールの上側表面と同じかまたはそれより大きい接触エリアを有する。各エッジノジュールの上側表面と基板エッジ領域との接触エリアは、中央ノジュールの上側表面と基板中央領域との接触エリアと同じかまたはそれより大きい。
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【課題】枚葉式、バッチ式のいずれの超音波洗浄装置であっても、形状・材質に依存せずに、低出力から高出力まで、洗浄液に印加された超音波の音圧をスムースに制御、特に微調整することができることによって、被洗浄物の表面にダメージを与えることなく十分に清浄な表面を得られる超音波洗浄装置と、それを利用した被洗浄物の洗浄方法、並びに超音波の発振方法を提供する。
【解決手段】被洗浄基板を超音波を印加した洗浄液によって洗浄する洗浄装置であって、少なくとも、超音波振動子で発振させた超音波を印加した洗浄液によって前記被洗浄物を洗浄するための洗浄機構と、前記超音波振動子から超音波を発振させるための主発振器とを具備し、前記主発振器は、発振波形としてバースト波を用いるものであることを特徴とする洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体ウェーハの超音波洗浄装置の、保持具等により超音波が遮蔽された部分のウェーハ表面の洗浄が不十分となるという問題のない半導体ウェーハの超音波洗浄方法及び半導体ウェーハの超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの超音波洗浄装置１００において、洗浄液６中の半導体ウェーハ４の上方に超音波反射板２０が傾斜して設けられている。超音波発生装置１から発振される入射超音波８が超音波反射板２０に反射される。超音波反射板２０は、反射面として平面２０ａを有しており、超音波反射板２０は、平面２０ａの法線方向に、影部分７が位置するように位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラを解消し、パーティクル除去を効果的に行うことのできる超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を伝播槽中の伝播水を介して前記洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記伝播水として、脱気した純水に、溶存ガスを飽和濃度に対して３５〜７０％の濃度で溶解させたものを用いることを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラ（洗い残し）の問題を解消し、パーティクル除去を効果的に行うこのできる超音波洗浄方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を前記洗浄槽中の洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記超音波振動子から発生する超音波による被洗浄物の洗浄を、少なくとも２以上の超音波出力条件で行うことを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給された処理液の逆流を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Ｗはローラコンベア１０によって矢印ＦＷの基板進行方向に移動される。移動される基板Ｗの面上に液盛りノズル２０，３０によって現像液が隙間無く液盛りされて、現像処理が進行する。基板Ｗ上に液膜が形成されているときに、微差圧計４０が液盛りノズル２０よりも前方側に形成される前方側空間と後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する。制御部９０は、微差圧計４０の検出結果に基づいて、後方側空間が前方側空間よりも高圧となるように、ファンフィルタユニット５０から後方側空間に供給する空気の供給流量を制御する。液盛りノズル２０よりも後方側空間を前方側空間よりも高圧にすれば、現像液の逆流を防止することができる。 （もっと読む）