【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ３の天面付近の側壁には、給気ユニット４１が配置されている。給気ユニット４１の給気口４３からは、側壁２に沿って水平方向に流れるクリーンエアが、処理チャンバ３内に供給される。処理チャンバ３内の雰囲気は、処理チャンバ３の底部に配置された排気ユニット５１，５２の排気口５３，５４から斜め下方に向けて吸い込まれて排気される。給気ユニット４１，４２から、処理チャンバ３の内部にクリーンエアが供給されるとともに、排気ユニット５１内が強制的に排気されると、処理チャンバ３内に、カップ５のまわりを周回しながら下降する渦状の気流が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の処理テーブルや基板搬送系に付着している種々の大きさの異物を簡便かつ確実に除去するクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、シリコンウェハのミラー面搬送による異物捕集能力とは異なる異物捕集能力を有するクリーニング部材を搬送すること、および、該クリーニング部材の搬送の後、シリコンウェハのミラー面搬送を行うことを含む。好ましくは、異物捕集能力は、異物の大きさにより規定される。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が２５回繰り返し実行されることにより、２５枚のウエハに対する処理が行われる。２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理カップ内における気液分離効率を低下させることなく、処理カップからの薬液のミストの漏出を防止または抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理カップ２５の上段には、第２構成部材２２の第２案内部３８の上端部３８ｂと第３構成部材２３の上端部２３ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向し、第１薬液を捕獲する第１薬液捕獲口としての第３開口５７が形成される。処理カップ２５内の下段には、傾斜部４１の先端部と第４構成部材２４の傾斜部４６の先端部との間に、第１雰囲気捕獲口５８が形成される。第３開口５７と第１雰囲気捕獲口５８との上下方向における中間位置（中段）に、処理カップ２５内に下降気流を発生するための羽根部材６１が配置されている。羽根部材６１は、スピンチャック３のスピンベース８に、一体回転可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間１６２が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板上における気流の乱れを抑制または防止できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを所定の回転軸線Ｃ１まわりに回転させる基板回転手段と、基板回転手段により回転されるウエハＷの主面に向けて、かつ基板回転手段によるウエハＷの回転方向下流側に向けて、気体を吐出し、ウエハＷの主面上にウエハＷの回転方向に沿う気流を形成するための複数の気体吐出ノズルとを含む。ウエハＷ上に形成される気流の流速は、ウエハＷの回転軸線Ｃ１からの距離が異なる各位置において、ウエハＷの周速と一致されている。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎの成膜工程で使用した成膜装置部品の表面に付着・堆積した堆積物を、基材をできる限り傷めることなく、しかも短時間で除去する洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、ステンレス又はアルミナセラミックス等から構成される成膜装置部品の表面を算術平均粗さＲａとして５ミクロン以上に粗面化することで、Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ堆積膜の形状を粒状に制御し、次いで硫酸とフッ化水素酸からなる洗浄液で洗浄することにより、堆積膜を除去する方法であり、粗面化した部品表面としては、部品表面にアルミニウム又はチタンの溶射膜を設けて粗面化したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板処理を対象とした基板処理装置において、処理液を用いて、均一かつ効率的な処理を可能とする。
【解決手段】搬送台に載せた基板に対して搬送しながら処理を行う基板処理装置である。かかる基板処理装置は、基板の搬送方向の上流側から順に、処理液を吸引するための吸引ユニットと、前記処理液を塞き止めるための塞き止めユニットと、を配置している。さらに、基板の表面をブラシがけするためのブラシを備えた洗浄ユニットを上流に配置することができる。洗浄ユニットは、それぞれ独立して位置調節が可能な複数のブラシユニットで構成することができる。 （もっと読む）

【目的】基板への金属汚染を低減させる研磨装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の研磨装置５００は、基板３００を研磨する研磨パッド５２５が配置される研磨テーブル５２０と、研磨パッド５２５と相対的に移動可能に配置され、研磨パッド５２５の表面と相対的に摺動する、イオン交換樹脂とキレート樹脂とのうち少なくとも１つの樹脂を用いた樹脂部材５５４，５５６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板への金属汚染を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 疎水性基板に対し腐食することなく、表面の粒子および金属を効果的に除去できる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】 水を滴下したときの表面の接触角が７０度以上である半導体基板に用いられる、脂肪族ポリカルボン酸類と界面活性剤とを含む洗浄液組成物であって、前記半導体基板に滴下したときの接触角が５０度以下となる、前記洗浄液組成物。 （もっと読む）

【課題】インシチュでのチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】インシチュでのチャンバ洗浄方法は、ガス分布部材を有するチャンバ内で行われ、ガス分布部材は複数の開口部を備えている。洗浄ガス流は、これらの開口部の一部を介してチャンバに供給され、その間、残りの開口部を介しては洗浄ガス流は供給されない。洗浄ガス流はイオン化され、イオン化された洗浄ガスラジカルを用いてチャンバを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の上方の雰囲気が周囲に拡散することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。基板の周囲の側方の雰囲気が基板の上方の空間に流入するのを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック１と、スピンチャック１に保持されたウエハＷに処理液（たとえばＳＰＭ）を供給するための処理液ノズル２と、スピンチャック１を取り囲み、開口３３が形成された筒状の処理カップ３と、スピンチャック１の上方に配置された雰囲気遮断機構４とを備えている。雰囲気遮断機構４の雰囲気遮断部材３８からは、処理カップ３の上端１８ｄに沿うように空気が筒状に吐出される。ウエハＷにＳＰＭが供給されるとき、開口３３の上方の空間は、雰囲気遮断部材３８から吐出された筒状のエアーカーテンによって取り囲まれる。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板洗浄装置及び方法を開示したものであり、基板の移動方向と直交する方向に対して傾斜してブラシを配置し基板を洗浄処理することを特徴とする。
前記特徴によると、基板の洗浄效率を向上させ、基板の移動安全性を向上させ、洗浄液のチャンバ外部への漏出を抑制する基板洗浄装置及び方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状物品の周縁領域をウェット処理するための装置及び方法
【解決手段】開示されるのは、ウエハ状物品Ｗの周縁領域をウェット処理するための装置（１）である。装置は、ウエハ状物品をその端部において保持して回転させるための保持手段（２０，５０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第１の液体処理ユニット（３０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第２の液体処理ユニット（６０）とを含む。保持手段は、ウエハ状物品をその端部において駆動するためのローラ（２３，５３）を含む。第１の液体処理ユニットは、第１の液体を提供して周縁領域の第１の区域を濡らすための第１の液体キャリアと、第１の液体キャリアに液体を供給するための第１の液体供給ノズルと、第１の液体キャリアから液体を除去するための第１の液体排出路とを含む。第２の液体処理ユニットは、第２の液体を提供して周縁領域の第２の区域を濡らすための第２の液体キャリアと、第２の液体キャリアに液体を供給するための第２の液体供給ノズルと、第２の液体キャリアから液体を除去するための第２の液体排出路と、第２のガス処理部であって、第２の液体によって処理された周縁領域に向けてガスを供給して周縁領域から第２の液体の大半を除去するためのガス供給ノズルと、ガス及び除去された液体を排出するためのガス排出路とを含む第２のガス処理部と、を含む。更に、関連の方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】処理液の液密空間への気体の混入を抑制または防止して、基板の一方面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上処理空間４１および下処理空間４２にそれぞれＩＰＡ液が供給される。空間４１，４２に供給される薬液によって、空間４１，４２に元から存在する空気は、空間４１，４２外に押し出される（（ａ）参照）。空間４１，４２がＩＰＡ液により液密状態にされた後（（ｂ）参照）、空間４１，４２に薬液が供給される（（ｃ）参照）。空間４１，４２が液密状態に維持されつつ、空間４１，４２内のＩＰＡ液が薬液に置換されていく。その後、空間４１，４２が薬液により液密状態にされて、ウエハＷの上面および下面が薬液により洗浄される（（ｄ）参照）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンウエハーの洗浄方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、（Ｓ１１）シリコンウエハーの表面を標準洗浄１に従うＳＣ‐１洗浄液で洗浄する段階；（Ｓ１２）上記（Ｓ１１）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；（Ｓ１３）上記（Ｓ１２）段階でリンスされたシリコンウエハーの表面を塩酸、オゾン水及び脱イオン水を含んでなる洗浄液を用いて洗浄する段階；（Ｓ１４）上記（Ｓ１３）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；及び（Ｓ１５）上記（Ｓ１４）段階でリンスされたシリコンウエハーを乾燥させる段階；を含んで行うことを特徴とする。本発明によれば、洗浄工程とともにシリコンウエハーの表面に強い酸化力を持つ物質を用いて安定した表面酸化膜を形成することで、時間が経過しても外部の不純物がシリコンウエハーの表面に吸着されるなどの問題を解決することができ、かつ工程が簡単で安全に行える長所がある。 （もっと読む）

【課題】ウェハーシッピングボックスの洗浄工程が終了した後、トレーを上昇するときに発生する負荷を減らし、乾燥工程を行うときの２次汚染の発生を防止する構造を持つボックスクリーナーを提供すること。
【解決手段】本発明によるボックスクリーナーは、純水が満たされる収容空間が設けられて下部には超音波発生機が配置された超音波洗浄槽と、ウェハーシッピングボックスが積載されるトレーと、前記トレーを前記超音波洗浄槽の内部に投入または搬出させるための駆動力を提供する昇降機構と、洗浄工程が完了した後、前記シッピングボックスを乾燥する乾燥装置を含むボックスクリーナーにおいて、前記超音波洗浄槽の一側には、洗浄工程が完了したときに前記シッピングボックスの内部に気体を噴射して前記シッピングボックス内部の純水を押し出すことで排水する気体噴射部が備えられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】 この発明は回転テーブルの回転数を増大させても、処理槽内の圧力が上昇するのを防止できるようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】 半導体ウエハ１０を回転させて処理するスピン処理装置において、
処理チャンバ１と、この処理チャンバ内に設けられたカップ体２と、このカップ体内に設けられ上記半導体ウエハを保持して駆動モータ８により回転駆動される回転テーブル５と、この回転テーブルの回転速度に応じて変化する上記処理チャンバ内の圧力を制御する制御装置３５とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）