【課題】基板の回転速度にかかわらず、基板の表面に供給した処理液を良好に回収できるようにすること。
【解決手段】本発明では、回転する基板（２）に処理液を供給して前記基板（２）の処理を行う基板液処理装置（１）において、前記基板（２）を水平に保持しながら回転させるための回転テーブル（２８）と、前記基板（２）に供給された処理液を回収するために前記基板（２）の外周下方に配置した環状の回収カップ（３９）と、前記回収カップ（３９）の内周壁（４３）と外周壁（４２）との間に形成した回収溝（４４）と、前記回収カップ（３９）の内周壁（４３）に配置し、前記回収溝（４４）に向けて内側へ傾斜状に張出したカップカバー（４７）とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】被処理面を処理する処理液によって被処理面の外周部が処理されることを防ぎつつ、被処理面をより効果的に処理する技術を提供すること。
【解決手段】第１処理液を供給する供給口５６を備えた処理治具５０を、供給口５６が開口している貯留空間部５２を処理治具５０と被処理面１８ｂとが挟むようにして配置し、貯留空間部５２に第１処理液を貯留する貯留処理工程と、被処理体１８を回転させながら、外周部１８ａ上に第２処理液を供給しつつ、供給口５６から被処理面１８ｂ上に第１処理液を供給する回転処理工程とを包含しており、回転処理工程において、処理治具５０を被処理体１８の回転方向とは異なる方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ性処理液及び酸性処理液を用いても、新たなパーティクルの発生を抑制し得る基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗとともに回転可能なプレート１ａと、プレート１ａの外側に備えられたカップ１ｈとを有する基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａと、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して酸を含む処理液を供給する第２の処理液供給部２ｂとを備える処理液供給機構２と、基板保持部１の外側に設けられ、基板保持部１の周囲に設けられた外周壁３ａを備えるドレインカップ３と、ドレインカップ３の外側に設けられた外カップ４と、ドレインカップ３と外カップ４との間で昇降する昇降カップ８と、ドレインカップ３と外カップ４の間に設けられた昇降カップ８を洗浄する昇降カップ洗浄室４ｂとを具備し、昇降カップ８は、カップ１ｈの外側にある。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、ろ過効果を高めることが可能な薬液供給システムを提供する。
【解決手段】開示される薬液供給システムは、薬液を貯留する第１の容器および第２の容器と、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第１の配管に設けられ、第１の容器に貯留される薬液を第２の容器へ流す第１のポンプと、第１の配管に設けられ、第１の容器から第２の容器へ向かって第１の配管内を流れる薬液をろ過する第１のフィルタと、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第２の配管と、第２の配管に設けられ、第２の容器に貯留される薬液を第１の容器へ流す第２のポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板に薬液を滴下し、基板を回転することによって基板を処理する基板処理装置であって、当該基板処理装置内の環境を大きく乱すことなく浮遊ミストを低減することが可能な基板処理装置およびこれを備える塗布現像システムを提供する。
【解決手段】基板に薬液を滴下し、基板を回転して基板を処理する基板処理装置が開示される。この基板処理装置は、基板の裏面を保持する基板保持部と、基板保持部を回転する基板回転部と、基板保持部に保持される基板に薬液を滴下する薬液滴下部と、凹形状を有し、基板保持部に保持される基板を囲むように設けられるカップ部と、基板保持部に保持される基板とカップ部の内周面との間に配置される吸気ポートと、基板回転部により駆動されるとともに、吸気ポートと連通して吸気ポートより吸引される気体を基板保持部の下方の空間に吐出する気体吐出部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコーンゴム製の粘着シートから取り外した半導体ウェーハに移行物が移行して汚染が生じ、後の工程に不具合が生じるのを有効に防ぐことのできる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコーンゴム製の粘着シートの平坦な表面に半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持させ、この半導体ウェーハＷに所定の処理を施した後、粘着シートから半導体ウェーハＷを剥離してその少なくとも粘着シートに粘着していた裏面をプラズマ洗浄装置１０でプラズマ洗浄する。例え粘着シートから半導体ウェーハＷにシリコーンゴムのシロキサンが移行して付着しても、シロキサンを酸素プラズマで分解洗浄するので、半導体ウェーハＷの汚染により、後の製造工程に支障を来たすおそれを排除できる。 （もっと読む）

【課題】１つの処理室における処理状況によりは排気圧が大きく変動することはなく、排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。
【解決手段】ＳＣ１処理、ふっ酸処理、ＩＰＡ蒸気による置換処理の場合、個別排気管のいずれかが開放されているとき、遮蔽板１１５は開放されている個別排気管に対応する開放口６５，７５を閉塞するとともに、閉塞されている個別排気管に対応する開放口６５，７５を開放しているので、この開放口６５，７５からはエアが導入されている。これにより、１つの処理室における酸系の処理時、アルカリ系の処理時等とでは排気圧が大きく変動することはなく、この排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】一の被処理面と、被処理面の外周に配置された他の露出面とに、それぞれ別々の処理を施すことができる処理装置および処理方法、ならびに、表面処理治具を提供する。
【解決手段】本発明にかかる処理装置１００は、第２被処理面１８ｂと、該第２被処理面１８ｂの外周に配置された第１被処理面１８ａとを含む被処理面を有する被処理体１８に対して処理を行なう処理装置であって、前記被処理体１８を載置する載置部１０と、第１被処理面１８ａと第２被処理面１８ｂとの略境界に第１処理液を供給する第１供給部２４と、第２被処理面１８ｂに第２処理液を供給する第２供給部４６と、を含む処理治具２０と、を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマチャンバで使用される上方電極から金属汚染物質を洗浄するための方法。方法は、濃縮水酸化アンモニウムと、過酸化水素と、水とからなる洗浄溶液に上方電極を浸す工程を含む。洗浄溶液は、フッ酸及び塩酸を含まない。方法は、更に、上方電極を希硝酸に浸し、洗浄後の上方電極をすすぐ、随意の工程を含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】搬送アームに付着しているコンタミを除去する基板処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームの洗浄方法であって、前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合において、前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加する電圧印加工程を有し、前記搬送アームに付着している異物を除去することを特徴とする搬送アームの洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の全域を均一に超音波洗浄することができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による超音波洗浄装置１は、洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、洗浄槽１０内に挿入可能に設けられ、被処理体Ｗを保持して洗浄液に浸漬させる被処理体保持装置２０と、洗浄槽１０の底部に設けられた振動子４０と、振動子４０に超音波振動を生じさせる超音波発振装置４２とを備えている。洗浄槽１０内には、被処理体Ｗを保持する側部保持部材５０が設けられている。また、被処理体保持装置２０は、駆動装置２６によって側方に移動するようになっている。制御装置４４は、被処理体Ｗを側部保持部材５０に保持させた後、被処理体保持装置２０を側方へ移動させるように駆動装置２６を制御すると共に、振動子４０に超音波振動を生じさせて振動子４０からの超音波振動を被処理体Ｗに伝播させるようになっている。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対する洗浄性に優れる洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムを含む研磨材で研磨したガラス製ハードディスク基板の洗浄に用いる洗浄剤組成物において、（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤を１〜５０質量％、（Ｂ）成分：ヒドロキシカルボン酸および／またはその塩を１〜２０質量％含有し、かつ、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比が、（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝５０／５０〜９０／１０であり、界面活性剤の含有量が１質量％未満であり、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】パターン倒壊を防止し、低ダスト・高スループットでの超臨界乾燥を実現する。
【解決手段】ウェーハ支持部３１によりウェーハＷを把持して洗浄チャンバ１からウェーハＷを搬出する前に、近接板３３をウェーハＷのデバイス面に近接させ毛細管力でリンス液ＲＬをウェーハＷ上に保持したままで、超臨界乾燥チャンバ２へ搬送する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を伴わずに異なる種類の研磨加工を実現可能な研磨工具、研磨装置および研磨加工方法を提供すること。
【解決手段】研磨工具４３の研磨面は、第１の研磨パッド４５によって形成され、ワークの被研磨面の外形以上の大きさを有する中央研磨面と、第２の研磨パッド４６によって形成され、中央研磨面の外周を囲繞する外周研磨面とで構成される。そして、中央研磨面と外周研磨面とが段差を形成して外周研磨面が中央研磨面から突出しており、研磨工具４３は、全体として内側が窪んだ断面視凹型形状を有する。 （もっと読む）

【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】珪弗化水素酸、飽和溶解度以下で珪弗化水素酸に対して０．１０モル倍以上の量の硼酸、及び水を含有する半導体基板洗浄液、及び、該半導体基板洗浄液を用いて洗浄する半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】薬液が所要の洗浄能力を維持していない状態になった場合に、これを即時に認識して不具合発生を防止することができるとともに、薬液交換のタイミングの最適化を図ることができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】薬液洗浄槽６内の薬液の劣化度合いを示すパラメータを計測する計測器２１〜２３を備える。判定部２４３は、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲内であるか否かに基づいて薬液交換の要否を判定する。判定の結果が薬液交換要である場合、判定部２４３は薬液交換を実施する。また、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲外であり、かつ先の薬液交換の実行時点からの経過時間が予め設定された規定時間未満である場合には、判定部２４３は、薬液交換をすることなく報知部２８に異常発生の報知を指示する。 （もっと読む）