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Fターム[5F157DB51]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 最適処理を目的とするもの (4,470) | 再付着防止 (387)

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【課題】スプレノズルの先端部付近に残留した薬液の被処理膜上への滴下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、スプレノズル20と、スプレノズル20を支持部材12に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構21と、基材Wを回転させる回転駆動部14とを備える。ノズル移動機構21は、待機位置よりも上方の第1の上方位置から第2の上方位置まで基材Wに近づく方向へ水平移動させ、第2の上方位置から下方位置へ下降させる。その後に、スプレノズル移動機構21は、ウエハW上の吐出位置にスプレノズル20を水平移動させる。 (もっと読む)


【課題】基板に付着した異物を効率的に除去することができ、異物の再付着を抑制しうる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を処理するための処理室と、処理室内に設けられ基板を支持する支持台と、処理室内に設けられ基板に気体を噴射する気体噴射機構と、基板に噴射する気体の温度が処理室の内壁の温度よりも高くなるように制御する温度制御機構とを有し、気体噴射機構から噴射した気体の風圧により、基板に付着した異物を除去する。 (もっと読む)


【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)の周縁を保持する保持プレート(30)と、基板を下方から支持するリフトピン(22)を有するリフトピンプレート(20)と、保持プレートを回転させる回転駆動部(39)と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管(40)と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル(60)と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構(44,46,50,52)を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口(61)を有する。 (もっと読む)


【課題】処理室内の雰囲気の置換性を向上させることができ、基板の液処理を行う際に飛散した薬液等の雰囲気が処理室内に残存しないようにすることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10において、カップ外周筒50が上方位置にあるときにこのカップ外周筒50内の雰囲気が当該カップ外周筒50の外側に送られるようになっている。また、処理室20内の雰囲気の排気を行うための排気部56が処理室20内においてカップ外周筒50の外側に設けられている。 (もっと読む)


【課題】チャンバー内のダクトから遠い位置にあるミストもダクト側に運ぶことができ、従来よりも効率よくチャンバー内を排気する。
【解決手段】チャンバー40内の保持テーブル10上にワークWを保持し、保持テーブル10を回転させた状態でワークWの上面に洗浄水Cを供給するスピンナ洗浄装置において、保持テーブル10の外周側面12に形成した複数の羽13によって保持テーブル10の外周周囲に該外周周囲に沿った空気の流れを発生させ、この空気の流れによってチャンバー40内におけるダクト50の反対側のミストもダクト50側に導く。 (もっと読む)


【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台12に保持されて回転する基板Wから飛散した処理液を下方へ案内する第1案内カップ31および第2案内カップ41と、基板保持台12と、第1案内カップ31および第2案内カップ41との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第1案内カップ31および第2案内カップ41により案内された処理液を回収する第1処理液回収用タンク61および第2処理液回収用タンク62と、を備えている。第1処理液回収用タンク61と第2処理液回収用タンク62との間には、排気部材71が設けられている。第2案内カップ41の下端部41bに、第1案内カップ31からの処理液を第1処理液回収用タンク61に案内すると共に、第2案内カップ41からの処理液を第2処理液回収用タンク62に案内する案内部材81が設けている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、超音波による洗浄装置および洗浄方法に関するものである。
【解決手段】 本発明の洗浄装置は、超音波を発生する超音波振動子と、超音波振動子に固定されて超音波を洗浄液に照射する超音波照射面が扁平な振動体とを具備する振動体ユニットと、振動体ユニットを回転して超音波照射面に交わる方向を軸として超音波照射面の角度を変える照射面角度制御部と、洗浄対象の基板を保持し基板を回転させる基板回転部と、振動体の超音波照射面を洗浄面に向けて一定間隔を保持しながら振動体ユニットを移動させる振動体移動機構と、超音波照射面と洗浄面との間に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を備えるよう構成する。 (もっと読む)


【課題】基板から飛散した処理液が基板へ再付着することを防止できる基板液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板液処理装置10は、基板保持台12に保持されて回転する基板Wから飛散した処理液を案内する案内回転カップ21と、案内回転カップ21により案内された処理液を下方へ案内する案内カップ31と、を備えている。案内カップ31は、案内カップ本体32の内周端部32aから下方に延びる下方延長部33と、この内周端部32aから下方延長部33より内周側に延び、案内回転カップ21および下方延長部33と共に案内回転カップ21が回転することにより旋回する気体を下方へ案内する気体案内空間35を形成する内周側延長部34とを有している。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをSC1洗浄液により洗浄する工程と、前記SC1洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が3ppm以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記SC1洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を0.1〜2.0nmとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、a)半導体ウェハを研磨板から第1の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも1回、1000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、b)回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、c)半導体ウェハの側面に、70000Pa以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、d)半導体ウェハの側面に、20000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、e)半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、f)回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、g)半導体ウェハに水を吹付ける工程と、h)半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや処理むらの発生を抑制しつつ被処理基板の液処理を行う液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Wを収容し、液処理が行われる処理槽22は上部に開口部222が形成されると共に、下部には流体の供給、排出が行われる下部ポート226が設けられ、前記開口部222を塞ぐ蓋部23には流体の供給、排出を行うための上部ポート234が設けられている。下部ポート226からは液体が供給されて処理槽22内の気体が置換され、上部ポート234からは前記液体と置換され、被処理基板Wを処理する処理液及びその乾燥を防止する液体が供給される。さらに高圧流体雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽22内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Wを乾燥する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ基板のレーザ切削加工において、冷却時にウェーハ基板の表面に付着した切削屑をその表面から除去する。
【解決手段】レーザ切削加工される加工物12の表面に界面活性剤膜11を施し、レーザビームを用いる切削加工の間に生み出される切削屑15が、その表面に付着するのを減らす。また、この界面活性剤膜11は、好ましくは後で、この界面活性剤膜11上に被着した切削屑151といっしょに除去される。 (もっと読む)


【課題】リンス処理によって静電気が発生して静電破壊が発生したり、洗浄したシリコンウェハ表面に静電気によってゴミが付着したりすることがなく、シリコンウェハのリンス処理時における金属不純物の付着を防止することができるとともに、コストにも配慮しつつ、更には、残渣が生じる懸念のないクリーンなリンス液を用いたリンス処理を行うことのできるシリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置を提供する。
【解決手段】洗浄液により洗浄したシリコンウェハを、炭酸水によりリンスする。 (もっと読む)


【課題】洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置を得ること。
【解決手段】上部に達した異物を含んだ洗浄液Wの一部は、洗浄槽10の内壁14に沿って下方に向かう。下方に向かった洗浄液Wは、第1の出口16から排出される。ここで、導入口12と内壁14との間に導入口12を取り囲むように設けられた中間壁15が存在するため、内壁14に沿って下方に向かった洗浄液Wは、中間壁15に邪魔されて導入口12に向かいにくくなる。したがって、洗浄によって剥離された異物が、導入口12から噴出した洗浄液Wの流れによって再びウェーハー基板Sに向かいにくくなり、効率よく第1の出口16から排出され、洗浄槽10に滞留する異物の濃度を低くでき、異物がウェーハー基板Sに再付着する可能性の低い、洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置100を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板(ウエハ3)の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(ウエハ3)の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板(ウエハ3)を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板(ウエハ3)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板(ウエハ3)の周縁部に対して内側に隣設し、基板(ウエハ3)に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板(ウエハ3)の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有し、ガス噴出部(17)は、基板(ウエハ3)を挿通させたスリット(15)に形成することにした。 (もっと読む)


【課題】安価な装置構成で、広範囲に配置された被除電対象物を除電及び除塵することができる除電除塵装置を提供する。
【解決手段】除電除塵装置10Aは、イオン42を発生する無風型除電器12と、無風型除電器12の個数よりも多い複数の送風部46(エア管52)を有し、ワークWに向けて清浄空気53を送風する送風装置14とを備える。無風型除電器12で発生させたイオン42を、複数のエア管52からの清浄空気53によりワークWに到達させ、ワークWの除電及び除塵を行う。 (もっと読む)


【課題】処理液の消費量を低減しつつ、基板の主面全域に処理液を供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wの上面および下面に非接触で当該基板Wを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Wの上面および下面に処理液を供給する処理液供給機構と、スピンチャックに保持された基板Wを取り囲む環状部材4とを備えている。環状部材4は、基板Wの上面周縁部を取り囲む上側環状親水面29と、基板Wの下面周縁部を取り囲む下側環状親水面30とを含む。 (もっと読む)


【課題】より簡素な構成によってダウンフローを発生させること。
【解決手段】スピンナ洗浄装置1は、ワークを保持するスピンナテーブル30と、鉛直方向を回転軸としてスピンナテーブル30を回転させるモータ42と、スピンナテーブル30に保持されたワークに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル50と、スピンナテーブル30を収容するケーシング20と、モータ42に接続された羽36Aを備え、羽36Aは、モータ42によってスピンナテーブル30が回転する際に同時に回転し、ケーシング20内にダウンフローを発生させる。 (もっと読む)


【課題】液処理装置において、角型の基板から飛散する処理液が基板に付着することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】基板の辺に沿って形成されると共に外縁部が円形に形成され、前記基板を保持する基板保持部と共に回転する液受け部と、前記液受け部を囲むように設けられ、その上縁部が当該液受け部との間に排気空間を形成するように液受け部の上方側に屈曲すると共にその内周縁が円形に形成され、前記基板保持部と共に回転する円筒状の回転カップと、を備えるように液処理装置を構成する。回転カップの内外で周方向に均一性高く気流を形成すると共に気流の淀みを防ぎ、液受け部により基板の周縁部から外側上方へ飛散した処理液をその下面で受け止めて基板の外側方向へ排出することができるので、基板の周囲から効率良く処理液を排出して基板への付着を防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】 洗浄時において電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルカリ成分(A)、下記一般式(1)で表わされるポリオキシアルキレン化合物(B)および水を必須成分とすることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
HO−(EO)m−(PO)n−(EO)m−H (1)
[式(1)中、EOはオキシエチレン基、POはオキシプロピレン基;mはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し1〜250の数、nはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し1〜100の数である。式(1)中の(EO)mと(PO)nと(EO)mは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。] (もっと読む)


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