【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】微粒でかつ分散性の高い錫ドープ酸化インジウム粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の錫ドープ酸化インジウム粒子は、第四級アンモニウムイオンの水酸化物が還元性有機溶媒に溶解してなる溶液に、インジウム源及び錫源を添加し反応を行い、次いでオートクレーブ内において加熱して自生圧力下に熟成を行うことで得られたものである。この錫ドープ酸化インジウム粒子は、第四級アンモニウムイオンの水酸化物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いて得られたものであることが好適である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｌｉイオン伝導性が高く、硫化水素発生量が極めて少ない硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、Ｍ_１元素（例えばＬｉ元素）、Ｍ_２元素（例えばＧｅ元素）、Ｐ元素およびＳ元素を含有し、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定における２θ＝２９．５８°±０．５０°の位置にピークを有し、上記２θ＝２９．５８°±０．５０°のピークの回折強度をＩ_Ａとし、２θ＝２７．３３°±０．５０°のピークの回折強度をＩ_Ｂとした場合に、Ｉ_Ｂ／Ｉ_Ａの値が０．５０未満である硫化物固体電解質材料の製造方法であって、原料組成物におけるＰ_２Ｓ_５の割合を多くすることを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結着材の添加による、硫化物固体電解質材料のイオン伝導性の低下を抑制した固体電解質材料含有体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、Ｍ_１元素（例えばＬｉ元素）、Ｍ_２元素（例えばＧｅ元素およびＰ元素）およびＳ元素を含有し、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定における２θ＝２９．５８°±０．５０°の位置にピークを有し、上記２θ＝２９．５８°±０．５０°のピークの回折強度をＩ_Ａとし、２θ＝２７．３３°±０．５０°のピークの回折強度をＩ_Ｂとした場合に、Ｉ_Ｂ／Ｉ_Ａの値が０．５０未満である硫化物固体電解質材料と、主鎖に二重結合を有するポリマーである結着材と、を含有することを特徴とする固体電解質材料含有体を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される１または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された１価、２価、または３価の金属イオンとを含み、２５℃（室温）において１×１０^−７Ｓ・ｃｍ^−１以上のイオン伝導度を有する。 （もっと読む）

【課題】チタン酸リチウムランタン粒子の平均粒径をより微細化する。
【解決手段】チタン酸ランタン粒子１００を水酸化リチウム水溶液に懸濁させた懸濁水８を水熱処理することを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有し、しかも、非常に優れた面内均一性をする酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧７０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される１または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された１価、２価、または３価の金属イオンとを含み、２５℃（室温）において１×１０^−７Ｓ・ｃｍ^−１以上のイオン伝導度を有する。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く電気的特性に優れ、印刷法でも製造可能な金属酸化物半導体薄膜を提供する。更に、本発明は、該金属酸化物半導体薄膜の製造方法及び該金属酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物を含有する金属酸化物半導体薄膜であって、前記金属酸化物は、下記式（１）に規定する関係を満たすことを特徴とする金属酸化物半導体薄膜。
［数１］
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【課題】 粒子径が小さく、粒度分布がシャープなＩＴＯ粉末を提供する。このＩＴＯ粉末は、分散性がよく、導電性および熱線遮蔽性能が著しく良好である。さらに、ＩＴＯ粉末を成形し、膜にしたときの膜強度が、非常に高い。
【解決手段】 粒度分布のメジアン径が３０〜４５ｎｍであり、Ｄ_９０が６０ｎｍ以下であることを特徴とする、インジウム錫酸化物粉末である。好ましくは、比表面積が４０ｍ^２／ｇ以上であって、Ｌａｂ表色系においてＬ＝３０以下の濃青色の色調を有するインジウム錫酸化物粉末である。 （もっと読む）

【課題】可視光の波長領域のみならず、赤外光の波長領域において高透明性を示す導電膜を形成するための酸化インジウム系粒子を提供すること。
【解決手段】本発明のスズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子は、Ｓｎ／Ｉｎのモル比が０．１〜０．３で、Ｓｂ／Ｉｎのモル比が０．０３〜０．４である。この粒子は、インジウム塩及びスズ塩を含む水溶液にアルカリを添加し、次いでこの液に、アンチモン塩及び酸を含む水溶液を添加し、それによって生成した沈殿物を大気中で焼成して得られたものである。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜とこの透明導電膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Gd／In原子数比で0.001〜0.070のガドリニウムを含む焼結体により構成され、かつ、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が60〜94であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が60〜94である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Ｐｒ／Ｉｎ原子数比で０．０２０〜０．０５０のプラセオジウムを含む焼結体により構成され、ＣＩＥ１９７６表色系におけるＬ^＊値が６０〜９５であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が６０〜９５である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含む。 （もっと読む）

本発明は、以下の式（I）で表されるかまたは式（I）の水和物を有する組成物であって、
ｘＸＯ_２．ｙＹ_２Ｏ_５ （I）
（式中、０．５＜ｘ＜０．７、０．３＜ｙ＜０．５であり、Ｘはシリコン、チタン、ゲルマニウム、およびジルコニウムのうち１つ以上を含み、Ｙはリン、バナジウム、ヒ素、およびアンチモンのうち１つ以上を含む）
５０重量％以上の結晶性材料を含む組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細であって結晶性が高く、透明性に優れた導電被膜等を形成することができるＩＴＯ粉末と、その透明導電性組成物、および製造方法等を提供する。
【解決手段】比表面積が５５ｍ²/ｇ以上であって、乾燥粉末が山吹色の色調を有し、あるいはＸ線回折チャートの(２２２)面のピークの半値幅が０.６°以下であることを特徴とするインジウム錫酸化物粉末、およびその透明導電性組成物、およびインジウムと錫の共沈水酸化物を焼成してインジウム錫酸化物粉末を製造する方法において、２価の錫化合物を用い、ｐＨ４.０〜９.３、液温５℃以上で、乾燥粉末が山吹色から柿色の色調を有するインジウム錫水酸化物を共沈させ、該水酸化物を焼成することを特徴とするインジウム錫酸化物粉末の製造方法。 （もっと読む）

記載の発明は、電荷を印加すると（１）負電極及び（２）正電極を形成する（この負電極及び正電極はインシチュで形成される）金属フッ化物コンポジットを含む電子絶縁非晶質又はナノ結晶混合イオン伝導体組成物に関する組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング加工性を有することで下部材料及びその他物質の侵食を発生させず、且つ残渣などの諸問題を生じさせない透明伝導膜とこれを形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化錫（ＳｎＯ_２）及びガリウムを含み、錫原子の含有率が、インジウム原子及び錫原子の合計に対して５ないし１５原子％であり、ガリウム原子の含有率が、インジウム原子、錫原子及びガリウム原子の合計に対して０．５ないし７原子％であることを特徴とする酸化インジウム錫スパッタリングターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛にガリウムおよびインジウムを含有させた焼結体からなる透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜であって、ガリウム元素とインジウム元素の質量比率（Ｉｎ／Ｇａ）は０．０１以上０．６以下、且つ、ウルツ鉱型単一相の結晶構造を有するものであり、透明導電性薄膜は、耐湿熱性を損なう原因となる格子間亜鉛及び亜鉛欠損を減少させ、可視光に対する吸収係数αを小さくし、吸収係数が極小となる波長領域を視感度に有効な５００〜６００ｎｍにシフトさせたものである。 （もっと読む）