【課題】特にコネクタとの嵌合接触など大きな外部応力がかかる環境下においても、導体周囲のＳｎめっき膜表面からウィスカが発生するおそれの少ない、あるいは殆ど発生しない配線用電気部品及び端末接続部並びに配線用電気部品の製造方法を提供するものである。
【解決手段】金属導体１表面の少なくとも一部に、Ｐｂフリーで、体心正方晶の結晶構造をもつＳｎ系材料部（βＳｎ）３を有する配線用電気部品を、室温を含む同素変態温度以上で電気部品として使用する際、Ｓｎ系材料部３がダイヤモンド型の結晶構造をもつαＳｎに変態するのを抑制すべく、Ｓｎ系材料部３の上層に、変態遅延元素であるＳｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち、少なくとも１種以上からなる変態遅延めっき膜２を設け、その後リフローしてなるものである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｚｎ系合金条及びそのＳｎめっき条を提供する。
【解決手段】１５〜４０質量％のＺｎを含有し残部がＣｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ−Ｚｎ系合金条において、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ及びＢｉ濃度の合計を１００質量ｐｐｍ以下、Ｃａ及びＭｇ濃度の合計を１００質量ｐｐｍ以下、Ｏ及びＳ濃度をそれぞれ３０質量ｐｐｍ以下に規制する。 （もっと読む）

【課題】コネクタとの嵌合部、接続部などの大きな外部応力がかかる環境下においても、導体周囲のＳｎめっき膜表面やはんだ表面からウィスカが発生するおそれの少ない、あるいはほとんど発生しないＰｂフリーの配線用導体及びその製造方法並びに端末接続部並びにＰｂフリーはんだ合金を提供するものである。
【解決手段】本発明の配線用導体は、少なくとも表面の一部にＰｂフリーのＳｎ系材料部２を有するものであり、Ｓｎ系材料部２が、Ｓｎ系材料部母材に酸化抑制元素としてＰ、Ｇｅ、Ｋ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｖ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａのうちの少なくとも１種以上を添加してなり、そのＳｎ系材料部２にリフロー処理したものである。 （もっと読む）

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＳ濃度及びＣ濃度を０．０５質量％以下に調整する。母材は、更にＳｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金において、表面平滑性および耐熱剥離性に優れたリフローＳｎめっき銅合金材料を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｎｉ：０.１〜２.５％、Ｓｎ：０.１〜２.０％、Ｐ：０.００２〜０.２％であり、さらに必要に応じてＦｅ：０.８％以下およびＺｎ：５％以下の１種以上を含み、残部実質的にＣｕの組成をもつ銅合金の表面に、下から順に、厚さ０〜０.３μｍのＣｕ層、Ｃｕ−Ｓｎ拡散層、Ｓｎ層の構造を有する被覆層が形成されており、圧延方向の表面粗さがＲａ：０.０８μｍ以下、Ｒｙ：０.６μｍ以下であるＳｎめっき銅合金材料。板表面に対して垂直方向から見たＣｕ−Ｓｎ拡散層の平均粒径が０.５〜１０μｍであり、最表面の酸化膜厚が３０ｎｍ以下であるものが特に好適な対象となる。 （もっと読む）

【課題】銅などの金属基体に導電性高分子層が被覆された導電性高分子被覆材において金属が腐食し易い環境で使用しても、電気伝導特性を損なうことなく、金属の溶解や絶縁被膜生成を抑制でき、長期的な使用に耐える導電性高分子被覆材を提供。また、金属基体との密着性に優れ、均一な導電性高分子を被覆することができる金属被覆方法を提供。
【解決手段】金属基体を導電性高分子層（Ａ）にて被覆した導電性高分子被覆材において、導電性高分子層（Ａ）のドーパントがカルボン酸アニオンであることを特徴とする導電性高分子被覆材。更に緻密な導電性高分子層（Ｂ）を有することが好ましい。また、金属基体の表面に酸化物層を形成し、その後、モノマーおよびカルボン酸アニオンを含有する電解液中で電解重合することによって導電性高分子層を形成し、さらに該導電性高分子層上に緻密な導電性高分子層を形成する金属被覆方法。
【選択図面】なし （もっと読む）

【課題】極細であって、なおかつ、安定した通電性、優れた高周波特性などを備えている極細同軸線とその製造方法及び、この新しい用途を提案する。
【解決手段】貴金属又はその合金からなる芯材を中心とする外径２００μｍ以下の同軸線であって、自己弾性を有すると共に、ビッカース硬度４５０ＨＶ以上、より好ましくは、ビッカース硬度５００〜６００ＨＶを有する極細同軸線。 （もっと読む）

【課題】経時的な酸化を抑制したり、はんだ付け時等に起こり易い酸化を抑制することができるフラーレン複合めっき電線及びその製造方法並びにフラーレン複合めっきエナメル電線を提供する。
【解決手段】金属芯線１１と、その金属芯線１１上に形成されたフラーレン複合めっき皮膜１２とを有するように構成した。フラーレン複合めっき皮膜１２は、フラーレンとして、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０及び高次フラーレンの中から選ばれる１種又は２種以上を含有することが好ましく、また、フラーレン複合めっき皮膜が、銅、ニッケル、鉄、クロム、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム及びそれらの合金の群から選ばれるいずれかを含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】最終線径０．０２５ｍｍ以下の極細線で、高強度特性と低抵抗特性（高導電性）を両立し、かつ熱的な負荷においても強度の低下が生じにくく、高い耐熱性をも兼ね備えた極細銅合金線、極細銅合金撚線及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】純銅に銀を１〜３重量％添加して銅合金を生成し、伸線加工を行って線径が０．０１０〜０．０２５ｍｍの極細銅合金線を作製後、３００〜５００℃の温度で０．２〜５秒の熱処理を施し、引張強さが８５０ＭＰａ以上、導電率が８５％ＩＡＣＳ以上、伸びが０．５〜３．０％であり、かつ、温度３５０℃以下、時間５秒以下の加熱処理において、加熱処理前の引張強さ（σ_ｈ０）に対する加熱処理後の引張強さ（σ_ｈ１）の低下率［（１−σ_ｈ１／σ_ｈ０）×１００％］を２％以下とする。 （もっと読む）

本発明は、０．０８％乃至０．１２％のＡｇ割合を有するＣｕＡｇのベース合金より成る電気複合導体に関する。この場合、複合導体は横断面で見て、縁部側（１４）又は芯側（２０，２２）が、０．１％乃至０．７％のＭｇ割合を有するＣｕＭｇの合金より成っている。有利な形式で、芯２０内にＣｕＭｇ０．１ … …０．７より成る線材を有し、ＣｕＡｇ０．１より成る周壁によって包囲されているトロリ線１０（溝付きトロリ線又はトロリ線）が提案されている。製造法として、例えばヨーロッパ特許公開第０１２５７８８号明細書に記載されているホルトン・コンフォーム・クラッディングプロセスが提案されている。
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【課題】軽量且つ高導電率である軽量高導電率電線及びその製造方法を提供する。
【解決手段】芯線にめっき皮膜を施して成り、芯線は、銅やアルミニウムなどから構成され、めっき皮膜は、ナノカーボンとアルミニウムの複合材料から構成されている軽量高導電率電線である。カーボンナノチューブが、直径１〜１００ｎｍ、長さ１〜１００μｍ、アスペクト比１０〜１００であり、単層構造又は積層構造である。電気体積抵抗率が、０．５〜３μΩ・ｃｍである。
２０〜８０モル％のアルミニウムハロゲン化物と、８０〜２０モル％の１，３‐ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物（但し、アルキル基の炭素数は１〜１２）やモノアルキルピリジニウムハロゲン化物（但し、アルキル基の炭素数は１〜１２）とを混合溶融して成る溶融塩に、ナノカーボンを含めためっき液を用いて軽量高導電率電線を製造する。 （もっと読む）

【課題】ハンダ付け後のセルの反りや割れの発生を防止できると共に、繰り返し応力を受けた際にも破断することがなく、導電性を損なうことのない太陽電池用のリード線を提供する。
【解決手段】電解銅箔を焼鈍してなるテープ状の本体１６と、本体１６の表面に設けられたハンダめっき層１８とで構成されていることを特徴とする。かかる構成により、本体１６は、その耐力荷重が極めて低く、少ない応力で容易に塑性変形することができる。加えて、本体１６の析出面２４に形成された凹凸２２がクッションのように働き、見掛けの弾性率を低くすることができる。このため、ハンダ付け後の冷却時におけるリード線１０の熱収縮に伴いセル１２に与えられる曲げ応力を緩和することができ、太陽電池のセル１２の反りや割れを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に生じる熱応力によって容易に塑性変形して、熱応力に起因する基板の損傷を防止できる太陽電池用電極線材および同電極線材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の太陽電池用電極線材は、帯板状の芯材２と、この芯材２の表面に被覆された溶融はんだめっき層３Ａ，３Ｂを備える。前記芯材２はその平均体積抵抗率が２．３μΩ・cm以下で、かつ平均耐力が１９．６ＭＰａ以上、８５ＭＰａ以下とされ、前記芯材２の少なくとも一方の表面にその長さ方向に間隔Ｐを置いて芯材幅方向に沿って凹んだ凹部４が繰り返し形成される。前記凹部４は、その深さＤが凹部４の平均間隔Ｐの１／６００以上とし、かつ芯材２の厚さｔの３／４以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明の主要な課題は、コネクタ、端子、スイッチ及びリードフレーム等の電子部品に使用可能な銅または銅合金の、簡便かつ比較的安価に実施可能なウィスカー抑制のための表面処理方法を施したＳｎまたはＳｎ合金めっき条およびこれを用いた電子部品を提供することである。
【解決手段】 銅または銅合金条の表面に施したリフローＳｎまたはＳｎ合金めっき皮膜内の残留応力が引張り応力であり、かつその大きさが０．１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることを特徴とする低ウィスカー性リフローＳｎまたはＳｎ合金めっき条及びこれを用いた電子部品。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系合金を母材とするＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条の耐熱性を改善する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ、Ｎｉの質量％に対し１／６〜１／４のＳｉ、０．１〜２．０質量％のＺｎを含有し、更に必要に応じ０．０５〜２．０質量％のＳｎを含有する銅基合金を母材とし、表面から母材にかけて、Ｓｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｎｉ相の各層でめっき皮膜が構成されるすずめっき条において、Ｓｎ相の厚みを０．１〜１．５μｍ、Ｓｎ−Ｃｕ合金相の厚みを０．１〜１．５μｍ、Ｎｉ相の厚みを０．１〜２．０μｍ以下とし、Ｓｎ相表面のＳｉ及びＺｎ濃度をそれぞれ１．０質量％以下及び３．０質量％以下とする。更に必要に応じ、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１質量％以下、Ｏ濃度を１質量％以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面が平滑でかつ耐熱性を有する銅合金箔にＮｉめっきもしくはＮｉ合金めっきを施したプリント配線基板用金属材料を提供することにある。
【解決手段】引張り強度が５００ＭＰａ以上の圧延銅合金箔の少なくとも一方の面を光沢面に仕上げ、その面に０．３μｍ以上のＮｉめっきもしくはＮｉ合金めっきを施し、施しためっきの６０度鏡面光沢度が３０％以上であることを特徴とする特徴とするプリント配線基板用金属材料である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金のリフローＳｎめっき条について、コネクタに加工後の挿入力を低減するための新たなめっき技術を提供する。
【解決手段】２〜１２質量％のＺｎ、０．１〜１．０質量％のＳｎを含有し、Ｓｎの質量％濃度（［％Ｓｎ］）とＺｎの質量％濃度（［％Ｚｎ］）との関係が、
０．５≦［％Ｓｎ］＋０．１６［％Ｚｎ］≦２．０
の範囲に調整され、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅合金を母材とし、表面から母材にかけてＳｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｃｕ相の各層でめっき皮膜が構成されるすずめっき条において、Ｓｎ相表面のＺｎ濃度を０．５〜３．０質量％に調整する。好ましくはＳｎ相の厚みが０．１〜０．８μｍ、Ｓｎ−Ｃｕ合金相の厚みが０．５〜１．５μｍ、Ｃｕ相の厚みが０〜０．４μｍであり、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】 疲労特性に優れる銅合金Ａｕめっき条。
【解決手段】 Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、りん青銅、丹銅、黄銅、チタン銅等の銅合金条の表面に、電気めっきによりＡｕめっき皮膜が形成され、該銅合金条及びＡｕめっき皮膜中の平均水素濃度が５質量ｐｐｍ以下である銅合金Ａｕめっき条であり、Ｎｉ下地めっき相が存在しても良く、好ましくはＡｕ相厚み０．０２〜２．０μｍ、Ｎｉ相厚み０．１〜１０μｍであり、Ａｕめっきは、更にＮｉ、Ｃｏ、Ａｇ、及びＩｎの群から選ばれた１種以上を合計で０．１〜１０．０質量％含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】低周波数帯でのシールド性能が良好であり、さらに製造が簡単であり、接続信頼性が高く、端末加工性が良好であり、その上耐腐食性が良好なシールドケーブルと、かかるシールドケーブル用の複合素線を提供する。
【解決手段】導電性材料からなる層と、磁性材料からなる層とを有する多層構造の複合素線をシールド層に用いていることを特徴とするシールドケーブル。導電性材料は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金のいずれかを用いていることを特徴とするシールドケーブル。導電性材料は、導電率が４０％ＩＡＣＳ以上であることを特徴とするシールドケーブル。磁性材料は、鉄、鉄鋼、鉄系合金、磁性ステンレス鋼、ニッケル、ニッケル系合金、鉄ニッケル合金のいずれかを用いていることを特徴とするシールドケーブル。磁性材料は、１０ｋＨｚでの比透磁率μｒが１０以上であることを特徴とするシールドケーブル。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｎ主体のメッキを有しつつも、有毒な鉛を全く含有せず、低コストでウィスカの発生がより確実に防止できる電子部品用リード線及び該リード線よりなるフラットケーブルを提供せんとする。
【解決手段】 導電基体１と、その表面を被覆するＳｎとＢｉ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎとのＳｎ合金メッキ層２と、その上層に形成されたＺｎメッキ、Ａｇメッキ、ＳｎＺｎ合金メッキ、ＳｎＡｇ合金メッキ又はＳｎＢｉ合金メッキの上層メッキ３とで構成した。Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎの濃度は０．１〜１５重量％に設定され、Ｓｎ合金メッキ層２と上層メッキ３の合計厚みは０．５〜２０μｍに設計されている。 （もっと読む）