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Fターム[5G321DB22]の内容

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Fターム[5G321DB22]に分類される特許

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【課題】酸化物超電導層に発生した局所的な欠陥を適切に修復して、充分な歩留まりを確保することができる技術を提供する。
【解決手段】酸化物超電導線材の酸化物超電導層11に発生した局所的な欠陥11aを修復する酸化物超電導線材の欠陥修復方法であって、酸化物超電導層から欠陥が発生している箇所を除去する欠陥除去工程と、欠陥が除去された領域に、塗布熱分解法を用いて、酸化物超電導線材の酸化物超電導層と同一組成の酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程とを備えている酸化物超電導線材の欠陥修復方法。酸化物超電導線材の酸化物超電導層に発生した局所的な欠陥を修復する酸化物超電導線材の欠陥修復装置であって、欠陥が除去された領域11bに、塗布熱分解法を用いて、同一組成の酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成手段を備えている酸化物超電導線材の欠陥修復装置。 (もっと読む)


【課題】厚膜の酸化物超電導層の場合でも、多結晶体部分の形成が抑制されて、充分な超電導特性を発揮することができる酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法を用いた酸化物超電導線材の製造方法であって、金属結晶粒の集合組織である配向金属基板31表面の金属結晶面が、配向金属基板表面に対して所定の角度で傾斜している配向金属基板を作製する配向金属基板作製工程と、作製された配向金属基板上に中間層を形成する中間層形成工程と、中間層上に塗布熱分解法を用いて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程とを備えている酸化物超電導線材の製造方法。塗布熱分解法を用いて形成された酸化物超電導層が、配向金属基板表面にある金属結晶粒の金属結晶面が配向金属基板表面に対して所定の角度で傾斜している配向金属基板上に設けられている酸化物超電導線材。 (もっと読む)


【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 (もっと読む)


【課題】金属基板上に、表面粗度が充分に小さく、結晶配向性と平滑性を兼ね備えた中間層を有する中間層付基材を作製し、超電導特性に優れた超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属結晶粒を有する金属基板上に、結晶配向性を有する中間層が形成されている超電導薄膜線材用の中間層付基材であって、中間層の表面粗度Rzが、50nm以下である超電導薄膜線材用の中間層付基材。金属結晶粒を有する金属基板上に、結晶配向性を有する中間層が形成されている超電導薄膜線材用の中間層付基材の製造方法であって、金属基板にArイオンビームを照射するArイオンビーム照射工程と、Arイオンビームが照射された金属基板上に、大気に触れさせることなく中間層を形成する中間層形成工程とが設けられている超電導薄膜線材用の中間層付基材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】中間層が高度に配向しており、さらに表面が平滑な中間層の上に超電導層を設けても、中間層と酸化物超電導層とが強く密着し磁場応用においても剥離が発生せず、酸化物超電導層の高配向性を維持した超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜線材を提供することができる酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属基板とその上に設けられた中間層とを備える結晶配向基材上に酸化物超電導層が設けられている酸化物超電導薄膜線材であって、酸化物超電導層と中間層のキャップ層との間に、酸化物超電導層とキャップ層との反応、もしくは酸化物超電導層とキャップ層との間における金属元素の拡散、による界面層が形成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材。また、界面層の厚みが、100nm以下である酸化物超電導薄膜線材。さらに、キャップ層の表面粗さRaが、10nm以下である酸化物超電導薄膜線材。 (もっと読む)


【課題】短時間で特性の測定が可能な超電導線材の特性検査方法、及び特性検査装置を提供する。
【解決手段】超電導線材の幅方向における臨界電流密度の分布と、当該超電導線材の通電損失との相関データを求めておき、測定対象である超電導線材の通電損失を測定し、測定した通電損失を上記相関データに参照して、測定対象である線材の臨界電流密度の分布を求める。測定対象は、基板150の上に、希土類元素を含む酸化物からなる超電導相の薄膜110が成膜された薄膜線材10が挙げられる。通電損失は比較的短時間で測定可能であるため、薄膜線材10の通電損失を測定し、かつ上記相関データを利用することで、薄膜線材10における幅方向の臨界電流密度の分布を短時間で求められる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基材の構成元素の拡散防止機能と、その上に積層される層の結晶配向性を整える機能を一層で実現可能なベッド層を備えた超電導導体用基材の提供を目的とする。また、本発明は、ベッド層を短時間に形成することができ、製造効率の向上を図ることができる超電導導体用基材の製造方法の提供を目的とする。さらに、本発明は、前記本発明の超電導導体用基材を用いた超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体用基材10は、基材11と、該基材11の上方に設けられたベッド層12とを備えている。ベッド層12は、Alおよび希土類酸化物から構成され、希土類酸化物の含有率が、基材との界面側(下面12a側)から表面側(上面12b側)に向うにつれて厚さ方向で徐々に増加する傾斜組成部分を有する。 (もっと読む)


【課題】結晶配向性が良好なCeOのキャップ層を備えた酸化物超電導導体用基材を低コストで製造できる製造方法、及びこれを用いて製造された酸化物超電導導体用基材並びに酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、YAGレーザ光の第3高調波(波長355nm)、第4高調波(波長266nm)、第5高調波(波長213nm)のいずれかを、ターゲット上でのエネルギー密度が6J/cm以上となるように該ターゲット上に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、前記構成粒子を基材の上方に形成された中間層の表面上に堆積させて、該中間層上にCeOのキャップ層を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基材上に均一な超電導膜を形成して超電導特性の優れた酸化物超電導線材を製造すること。
【解決手段】超電導原料溶液20が収容されたU字状管30内を、テープ状の基材10を移動させることにより、基材10の表面に超電導原料溶液20を付着させる工程において、U字状管30の内壁に、U字状管30の内壁と離間させつつ基材10の移動方向に案内するガイド部40を配置し、このガイド部40によって、基材10を、U字状管30中を基材10の移動方向に案内して移動させる。 (もっと読む)


【課題】各層の成膜過程や熱処理工程で膜剥離が生じ難く、また、基板を構成する元素の拡散が抑制され、さらに、拡散防止層の成膜時間を短縮することが可能な酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材は、金属からなる基材本体2と、該基材本体2上に設けられた拡散防止層3と、該拡散防止層3上に設けられた酸化物超電導層とを備え、拡散防止層3は、基材本体2の直上に設けられた第1拡散防止層31と、該第1拡散防止層31上に設けられたアモルファス構造を主体とする第2拡散防止層32とを有し、第1拡散防止層31に、第1拡散防止層31に含まれる元素と、基材本体2に含まれる元素との反応生成物または錯体の少なくともいずれかが混在され、前記第2拡散防止層の厚さが30nm以上である構造を有する。 (もっと読む)


【課題】所望の薄い膜厚で超電導特性の優れたテープ状RE系酸化物超電導線材を製造すること。
【解決手段】金属基板上に形成された中間層上にフッ素を含む超電導原料溶液を塗布した後、仮焼成熱処理を施すことにより前記中間層上に超電導層の前駆体を形成し、次いで、超電導層生成のために本焼成熱処理を前記前駆体に施すことにより、REBaCu系(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd及びHoから選択された少なくとも1種以上の元素を示す)の酸化物超電導線材を製造する。この本焼成熱処理において、所定の本焼成温度に到達するまでの昇温中に、前駆体に水蒸気ガスを供給し、次いで、前記本焼成温度で所定時間の本焼成熱処理を行った後で、且つ、本焼性熱処理が施された前駆体を冷却する前に、水蒸気ガスの供給を停止する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、金属テープを溶接により一体化した基材を備えていても溶接部分の上に設けた酸化物超電導層に抵抗部分が少なく、優れた超電導特性を発揮する長尺の酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属テープの端部同士を突き合わせ溶接して一体化した基材と、該基材の上方に設けられた酸化物超電導層と保護層とを備えた酸化物超電導導体であって、前記金属テープの端部同士の突き合わせ溶接部分表面が段差20nm以下の平坦面とされたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】接続部分に段差を発生させることなく、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材の接続構造体及び酸化物超電導線材の接続方法の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材10の接続構造体20は、基材と、中間層と、酸化物超電導層と、銀層と、がこの順に積層されてなる超電導積層体が、銀層から基材まで達する溝加工部を介し、はんだ層を挟んで二つ折りにされ、この二つ折りに重ねられた超電導積層体のうち一方の接続端21近傍の基材から銀層までをはんだ層12が露出するように除去された少なくとも2本の第1の酸化物超電導線材10aが、露出させたはんだ層12同士を一体化して接続されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】線材の全体の厚さを必要以上に厚くすることなく、過電流が流れた場合に、線材の焼損を効果的に防ぐことができる酸化物超電導積層体、及び酸化物超電導線材を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物超電導積層体10は、金属基材本体1と中間層2と酸化物超電導層3と保護層4とMgB層5とをこの順に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材14が巻回されるリール本体18と、リール本体18を収納するケース32と、ケース32に設けられ、ケース32内に基材14との非反応性ガスを導入可能なガス導入口36と、ケース32に設けられ、基材14がケース32の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口38と、リール本体18に一体回転可能に設けられ、基材14上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構60と、を備える。 (もっと読む)


【課題】臨界電流値が高い厚膜のテープ状RE系(123)超電導体を製造する。
【解決手段】ハステロイ基板上にGdZrおよびCeOを順次形成した複合基板上に、RE1+XBa2−XCu(ここでREは、Y、Nd、Sm、Gd、Eu,Yb、Pr又はHoから選択された少なくとも1種以上の元素を示す。以下同じ。)からなるRE系(123)超電導体を構成する金属元素を含む原料溶液を塗布し、仮焼熱処理を施す。原料溶液は、有機溶媒とフッ素を含む金属有機酸塩の混合溶液からなる。仮焼成熱処理を施した後、前記仮焼成処理の温度より高く、且つ、超電導体生成の熱処理より低い温度で中間熱処理を施し、次いで、超電導体生成の熱処理を施すことにより、YBCO超電導膜を有するテープ状RE系(123)超電導体を製造する。 (もっと読む)


【課題】酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移(クエンチ)しようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体10は、金属製の基材1と、基材1上に設けられた単層または複数層からなる中間層2と、中間層2上に設けられた酸化物超電導層3と、を備え、中間層2を構成する全ての層21、22が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】炉芯管内部において、長さ方向に均一で優れた超電導特性を有するテープ状酸化物超電導線材を製造すること。
【解決手段】熱処理装置10では、炉芯管11の円筒状の熱処理空間11a内部に、炉芯軸Cに対して円錐台状の回転体12が回転可能に配置される。この回転体12において、多数の貫通孔17が形成された表面12aは、ガス排出管14が接続された一方の端部から他方の端部に向かって縮径する円錐周面である。この円錐周面に、超電導前駆体の膜体が形成されたテープ状線材50を巻回して、テープ状線材50の膜面に対して対向し且つ離間する位置から雰囲気ガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供可能な酸化物超電導導体用基材、及び、該酸化物超電導導体用基材の製造方法、並びに、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材10は、金属基材本体上1に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層12と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とを備え、中間層の上方に酸化物超電導層が形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ピンホールなどの欠陥の無いAgの保護層を備えた酸化物超電導導体の提供する。
【解決手段】基材2と、該基材の上方に設けられた配向層4と酸化物超電導層6とAgの保護層7とを備えた酸化物超電導導体1であって、Agの保護層の表面粗さRzが1300nm以下である。基材の上方に配向層と酸化物超電導層を形成した後、酸化物超電導層上にAgの保護層を成膜法により形成する場合、基材を200℃〜800℃の範囲に加熱しながら成膜することにより、表面粗さRzが1300nm以下のAgの保護層を形成する。 (もっと読む)


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