【課題】本発明は、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材１０は、テープ状の基材１１の一方の面上に中間層１２と酸化物超電導層１３と銀層１４とがこの順に積層されて超電導積層体５が構成され、超電導積層体５の周面が半田層７を介して超電導積層体５より幅広の金属テープ１からなるカバー部材９で覆われており、金属テープ１の幅方向両端縁１Ｐ、１Ｑが超電導積層体５の基材１１の他方の面１１Ａ側に配置され、金属テープ１の両端縁以外の部分で超電導積層体５の幅方向の側面と銀層１４の表面が覆われてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の方法を用いて作製された酸化物超電導線材に比べ、より高いＪｅを有する酸化物超電導線材を提供する。
【解決手段】配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、銀安定化層が、順に形成された単位超電導線材が複数本集合されている酸化物超電導線材。上記集合された単位超電導線材と、補強材からなる酸化物超電導線材。少なくとも上下の表面に、銅保護層が設けられている酸化物超電導線材。３本以上の前記単位超電導線材が集合されている酸化物超電導線材。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及び該酸化物超電導線材を良好な生産性で製造できる酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材１０は、基材１と中間層２と酸化物超電導層３とがこの順に積層されて超電導積層体５が構成され、この超電導積層体５の周面側に、少なくとも酸化物超電導層３の上面に被着するように銀層７が形成され、銀層７を備えた前記超電導積層体の外側に、含窒素複素環化合物を含む金属表面処理剤より形成された化成皮膜９を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導導体をレーザービームにより溶断して複数の酸化物超電導線材を製造する技術の提供とを目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材と、中間層と、酸化物超電導層と、銀の安定化層を備えて構成された酸化物超電導導体に、レーザービームを前記安定化層形成側の外方から基材の長さ方向に沿って照射し、前記安定化層と酸化物超電導層と中間層と基材を溶断することにより、前記酸化物超電導導体をその幅方向に複数に分割して酸化物超電導線材を製造する場合、溶断箇所にシールドガスを吹き付けつつ前記安定化層と酸化物超電導層と中間層と基材を溶断することにより、前記酸化物超電導層端縁の溶断部分と前記中間層端縁の溶断部分を覆うように前記安定化層の溶融凝固体をシールドガスの噴出方向に延出させて保護層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導導体をレーザービームにより切断して複数の酸化物超電導線材を製造する技術の提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材３と、該基材上に設けられた中間層５と、該中間層上に設けられた酸化物超電導層６と、該酸化物超電導層６上に設けられた安定化層７を備えて構成された酸化物超電導導体１に、レーザービームを前記安定化層形成側の外方から基材３の長さ方向に沿って照射し前記安定化層７と酸化物超電導層６と中間層５と基材３を溶断することにより、前記酸化物超電導導体１をその幅方向に複数に分割して酸化物超電導線材を製造する場合、レーザービームとして連続波レーザーのレーザービームを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材の製造方法は、基材１１と中間層１２と酸化物超電導層１３と銀層１４とがこの順に積層されてなる超電導積層体５を準備する第１工程と、超電導線積層体５よりも幅広の第１金属テープ１および第２金属テープ２により超電導積層体５を基材１１側と銀層１４側から挟む第２工程と、第１金属テープ１と第２金属テープ２の幅方向端部１ａ、２ａをシーム溶接する第３工程を備え、第１金属テープ１および第２金属テープ２の少なくともいずれかが抵抗溶接可能な金属材料よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高抵抗材を複合した酸化物超電導線材とその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の高抵抗材複合酸化物超電導線材は、テープ状の金属製の基材と、その上方に設けられた中間層および酸化物超電導層と、該酸化物超電導層上に設けられた厚さ１０μｍ以下のＡｇの安定化層とを備えて酸化物超電導積層体が構成され、該酸化物超電導積層体の外方に前記安定化層を介し前記酸化物超電導層に導通する高抵抗材からなる高抵抗層が形成され、前記抵抗層の０℃における体積抵抗率が０．１μΩｍ以上、かつ、前記抵抗層の熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上であり、前記酸化物超電導積層体の周囲が前記安定化層または高抵抗層あるいは他の層により囲まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材の製造方法は、基材１１と中間層と酸化物超電導層と銀層１４とがこの順に積層されてなる超電導積層体５と、超電導線積層体５よりも幅広の第１金属テープ１および第２金属テープ２を準備する第１工程と、超電導積層体５の基材１１側に第１金属テープ１を配し、銀層１４側に第２金属テープ２を配して、第１金属テープ１と第２金属テープ２により超電導積層体５を挟む第２工程と、第１金属テープ１と第２金属テープ２の幅方向端部１ａ、２ａが重ね合わされるように成形する第３工程と、第１金属テープ１と第２金属テープ２の幅方向端部１ａ、２ａをレーザ溶接する第４工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材の製造方法は、基材１と中間層２と酸化物超電導層３と銀層４と半田層５と金属安定化層６とがこの順に積層されてなる超電導積層体Ｓ０を準備する第１工程と、超電導積層体Ｓ０の幅方向端部を、金属安定化層６側または基材１側から加圧および加熱することにより半田層５または基材１の幅方向端部側の一部を溶融させて超電導積層体Ｓ０の側面側に流動させた後、凝固させて少なくとも酸化物超電導層３の側面を覆う保護層７を形成する第２工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反りの発生が抑制されて、酸化物超電導層を成膜する際に、膜厚ムラの発生がなく、Ｉｃのバラツキが抑制され、また、ハンドリングなどに問題が生じない薄膜超電導線材用金属基材とその製造方法、および薄膜超電導線材を提供する。
【解決手段】金属基板の両面に中間層が形成されており、幅方向における最大変形高さＤの、幅Ｌに対する比率Ｄ／Ｌが、０．０２以下である薄膜超電導線材用金属基材。金属基板の両面に、同時に中間層を形成して製造する薄膜超電導線材用金属基材の製造方法。金属基板を、互いに平行に配置された２つのターゲットの間に、ターゲットと９０度回転した位置に配置して、オフアクシススパッタ法を用いて、金属基板の両面に中間層を成膜する薄膜超電導線材用金属基材の製造方法。薄膜超電導線材用金属基材の、片面または両面のセラミックス層の上に、酸化物超電導層が形成されている薄膜超電導線材。 （もっと読む）

【課題】
２軸方向にテクスチャを有するバッファ膜を備えた超電導体物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
超電導体物品は、基板と、前記基板上に配置され、かつ単軸結晶テクスチャを有する第１のバッファ膜であって、前記単軸結晶テクスチャは、前記第１のバッファ膜の面内に延びる第１の結晶方向に沿ったテクスチャであり、前記第１のバッファ膜の面外に延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さないことを特徴とする前記第１のバッファ膜と、 前記第１のバッファ膜上に配置されていて、２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜であって、前記２軸方向の一方の結晶方向は前記第１の結晶方向に沿って配向される前記第２のバッファ膜と、前記第２のバッファ膜上に配置されている超電導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜面ＤＡに対して斜め方向からイオンビーム１０６を照射しながら、マグネトロンスパッタ法により、スパッタエネルギー密度９．５Ｗ／ｃｍ^２以上２０Ｗ／ｃｍ^２以下、ターゲット１０３と成膜面ＤＡとの距離ＴＳ８０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、雰囲気ガスの圧力５０ｍＰａ以上７００ｍＰａ以下の条件で金属のターゲット１０３からの蒸着粒子を成膜面ＤＡに堆積させて酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】長尺な線材と同様の効果を有する超電導テープ線材の製造方法、超電導テープ線材、および超電導機器を提供する。
【解決手段】超電導テープ線材３０の製造方法は、テープ状基板３１を準備する工程（Ｓ１０）と、テープ状基板３１上に中間薄膜層３２を形成する工程（Ｓ２０）と、中間薄膜層３２は一方端部３２ｃから他方端部３２ｄまで伸び、中間薄膜層３２に一方端部３２ｃから他方端部３２ｄまで延在する少なくとも１つの中間層分割領域３２ａを形成する工程（Ｓ５０）と、中間薄膜層３２上に超電導層３３を形成する工程（Ｓ３０）とを備えている。超伝導領域層３３ａは、超電導層３３ｂの臨界温度では超電導状態とならない領域であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に中間層の１層としてＣｒ_２Ｏ_３膜を有する超電導線材用基材の製造効率を高めることを目的とする。
【解決手段】基板１０上に中間層２０を形成する中間層形成工程を有し、且つ中間層形成工程として、成膜面に対して斜め方向からイオンビームを照射しながら蒸着源からの蒸着粒子を前記成膜面に堆積させて膜を形成するスパッタリング法にてＣｒ_２Ｏ_３膜２２を形成するＣｒ_２Ｏ_３膜形成工程と、その他の層（例えばベッド層２４、２軸配向層２６、キャップ層２８等）を形成する工程と、を有する超電導線材用基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】保護層が酸化物超電導層の上表面および幅方向両側面に積層された状態で細線化する。
【解決手段】基材上に、結晶配向性が整えられた酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程と、少なくとも酸化物超電導層を線材の幅方向に分断する線材の長手方向に溝を形成する溝形成工程と、少なくとも前記酸化物超電導層の表面を覆うように保護層を形成する保護層形成工程と、前記溝内に設定された切断位置において線材長さ方向に切断し、当初幅寸法より小さな幅寸法となる細線の超電導線材を形成する切断工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及び該酸化物超電導線材を良好な生産性で製造できる酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材１は、基材３と、基材３上に設けられた中間層５と、中間層５上に設けられた酸化物超電導層６とを備えて酸化物超電導積層体２が構成され、酸化物超電導積層体２の周面側に該周面全体を覆うようにＡｇの第１安定化層７が被覆され、この第１安定化層７の外方に第２安定化層１０が被覆され、第２安定化層１０が、めっき安定化層９と、金属テープの貼り合わせにより酸化物超電導層６の上面側に形成された貼り合わせ安定化層８より構成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超電導特性が良好な酸化物超電導導体を、低コストで製造できる酸化物超電導導体の製造方法の提供。
【解決手段】酸化物超電導導体の製造方法は、ＹＡＧレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ）を、ターゲット２７上でのエネルギー密度が１〜３Ｊ／ｃｍ^２となるように該ターゲットの表面に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子を基材２５上に堆積させて酸化物超電導層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高温超電導ケーブルは、テープ状の基材と、該基材上に設けられた中間層と酸化物超電導層と、該酸化物超電導層上に設けられた安定化層とを備えて酸化物超電導積層体が構成され、該酸化物超電導積層体をその厚さ方向に複数積層して酸化物超電導集合体が構成され、該酸化物超電導集合体が絶縁物で構成された支持体の一面に沿って直線状に配置されるように取り付けられて酸化物超電導導体が構成され、該酸化物超電導導体が金属パイプの内部に冷媒の流通路をあけた状態で収容され、該金属パイプの外方に断熱層を介し絶縁被覆層が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームアシストデポジション法による結晶配向の対称性が制御された岩塩構造の中間層の成膜方法の提供、すなわち、４回対称の岩塩構造の中間層と３回対称の岩塩構造の中間層を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、４回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体及び３回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、イオンビームアシストデポジション法により、金属基材の上方に岩塩構造の中間層を成膜する方法であって、成膜時の水蒸気圧を制御することにより前記中間層の結晶配向の対称性を３回対称又は４回対称に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超電導特性が良好な酸化物超電導導体を、良好な生産性（製造速度）で製造できる酸化物超電導導体の製造方法の提供。
【解決手段】レーザ光をターゲット２７の表面に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子を基材２５上に堆積させて酸化物超電導層を形成することにより酸化物超電導導体を製造する方法であって、前記基材を、加熱手段３４により加熱しながら前記構成粒子の堆積領域３５を通過させて、前記堆積領域内の前記基材の表面上に前記構成粒子を堆積レート４０〜１００ｎｍ／秒で堆積させた後、前記堆積領域を通過後の前記基材の冷却速度を１０〜１００℃／秒とすることを特徴とする。 （もっと読む）