【課題】高い臨界電流密度を有する超電導薄膜を形成するための下地として用いられる酸化セリウム薄膜およびそれを含む超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導薄膜を形成するための下地として用いられる酸化セリウム薄膜であって、酸化セリウム薄膜の主面における（１００）面の配向割合が６０％以上であり、酸化セリウム薄膜の主面は面内四回対称性を有し、酸化セリウム薄膜の主面の（１００）面に対応するＸ線回折ピークの半値幅が１０°以下であり、酸化セリウム薄膜の主面の算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下であって、酸化セリウム薄膜の膜厚が４００ｎｍ以上である酸化セリウム薄膜とその酸化セリウム薄膜を含む超電導線材である。 （もっと読む）

【課題】超電導テープ線材の超電導層の欠陥部の補修作業を低コストで容易に行うことができる超電導テープ線材を提供する。
【解決手段】基板１２の片面に第１中間層１３、第２中間層１４、超電導層１５及び保護層１６を順次蒸着により形成し、保護層１６の表面にハンダ１８により安定化層１７を接着して、超電導テープ線材１１を作製する。一方、補修用基板２２の片面に第１中間層２３、第２中間層２４、超電導層２５及び保護層２６を順次蒸着して補修用超電導テープ線材２１を作製する。超電導テープ線材１１の製造過程において超電導層１５に発生した欠陥部Ｋと対応する前記安定化層１７の上面に補修用超電導テープ線材２１の保護層２６をハンダＨにより接着する。この補修用超電導テープ線材２１の超電導層２５によって前記超電導テープ線材１１の超電導層１５の欠陥部Ｋを迂回するように電流の流路を形成する。 （もっと読む）

【課題】超電導コイルが低温雰囲気下において運転される場合に、超電導テープ線材の基板と補強テープ線材の熱膨張率の相違に起因する超電導層の引張応力を低減して、超電導コイルの許容電流値を適正に保持することができる超電導コイルを提供する。
【解決手段】巻枠３１の巻芯３３に設けた第１電極端子３４に対し超電導テープ線材１１及び補強テープ線材２１を積層してその始端部を連結し、低温雰囲気下において、前記巻枠３１を回転して、ボビン４５から超電導テープ線材１１を、ボビン４７から補強テープ線材２１を巻き戻しつつ前記巻芯３３の外周面に巻き取る。両超電導テープ線材１１、補強テープ線材２１の巻回終了後に両テープ線材１１，２１の終端部を第２電極端子３５に連結する。 （もっと読む）

【課題】交流損失を低減できる、超電導線材、超電導線材の製造方法、超電導導体の製造方法、超電導機器の製造方法および超電導線材の製造装置を提供する。
【解決手段】超電導線材１０ａは、テープ状の母材１１と、この母材１１上に配置された複数の超電導線１２とを備えている。母材１１は、超電導線１２の曲げ剛性よりも小さい曲げ剛性を有している。超電導線材１０ａの製造方法は、以下の工程が実施される。まず、テープ状の母材１１が準備される。そして、母材１１上に複数の超電導線１２が配置される。母材１１は、複数の超電導線１２の曲げ剛性よりも小さい曲げ剛性を有している。複数の超電導線１２が配置される前に、複数の超電導線１２より幅の広い超電導線を長手方向に沿って切断されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導テープに高抵抗材を貼り合わせた、電気抵抗値が均一な高抵抗材複合酸化物超電導テープの提供。
【解決手段】金属テープ基材の表面に、酸化物からなる中間層が成膜され、該中間層の表面に酸化物超電導層が成膜され、該酸化物超電導層上に厚さ１０μｍ以下の銀層が成膜された酸化物超電導テープと、体積抵抗率が１μΩｍ以上である電気抵抗合金からなる高抵抗テープとを貼り合わせてなる高抵抗材複合酸化物超電導テープであって、この高抵抗材複合酸化物超電導テープは、室温での電気抵抗が０．２Ω／ｍ以上、限流時の電気抵抗が０．１Ω／ｍ以上であり、長手方向の電気抵抗の分布ばらつきが１０％以下であることを特徴とする高抵抗材複合酸化物超電導テープ。 （もっと読む）

結晶製品は、単結晶セラミック繊維、テープ、またはリボンを含む。該繊維、テープ、またはリボンは、その長さに沿って少なくとも１つの結晶学的ファセットを有し、その長さは、概して、少なくとも１メートルである。サファイアの場合、ファセットは、Ｒ面、Ｍ面、Ｃ面、またはＡ面ファセットである。超電導製品を含むエピタキシャル製品は、該繊維、テープ、またはリボン上に形成することができる。
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【課題】酸化物超電導テープと安定化材テープとをハンダを介して高速且つ確実に接合して安定化材複合酸化物超電導テープを製造することが可能な方法の提供。
【解決手段】酸化物超電導体層の表面に銀からなるコーティング層が設けられた酸化物超電導テープと安定化材テープとを、ハンダを介して接合して安定化材複合酸化物超電導テープを製造する方法であって、酸化物超電導テープと安定化材テープとをハンダを挟んで重ね合わせた被複合化材を、一対の加熱・加圧ロールのみによって加圧して安定化材複合酸化物超電導テープを製造することを特徴とする安定化材複合酸化物超電導テープの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属オキシフッ化物前駆物質被膜により、高いエピタキシャル整列、好ましくはc-軸エピタキシャル整列を有する酸化物超伝導体の厚い被膜を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体被膜は、厚さが１μmまでであっても、高いJ_cおよびc-軸エピタキシャル酸化物粒子の容積百分率が高いことを特徴とする。酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること；および製品が77K、ゼロ磁場で約10⁵A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、P_H2O、P_O2、およびその組合せからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 （もっと読む）

【課題】臨界電流値を向上できる超電導線材および超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材１０は、基板１１と、基板１１上に形成され、中間層１２ａ，１３ａと中間層１２ａ，１３ａ上に形成された超電導層１２ｂ，１３ｂとからなる積層単位１２，１３が２以上備えられた超電導線材である。それぞれの積層単位１２，１３において、超電導層１２ｂ，１３ｂと対向する中間層１２ａ，１３ａの面の表面粗さＲａは２０ｎｍ以下である。２以上の積層単位１２，１３のうち、基板１１から見て最上層に位置する積層単位１３以外の積層単位１２の少なくとも１つにおいて、超電導層１２ｂの主表面の一部が露出している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜形成用配向基板の中間層であって、高い配向性を有するエピタキシャル膜を形成可能とするものを提供する。
【解決手段】基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。この中間層は、多層構造を有することができ、ＩＴＯ層の上に、ニッケル、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、希土類酸化物、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム・バリウム（ＳＢＴＯ）、窒化チタン、銀、パラジウム、金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、白金からなる層を少なくとも１層備えることができる。 （もっと読む）

超伝導物品は、基板を含んで与えられ、そこでは、該基板は、テキスチャーされておらず、かつ、主にニッケル、および合金元素の約２０重量％より少なくないもの、を含むニッケル系合金よりなり、かつ、そこでは、該基板は、本質的にモリブデン、およびマンガンを含まない。該超伝導物品は、さらに、該基板の上に横たわるバッファー層、および該バッファー層の上に横たわる高温超伝導（ＨＴＳ）層を含む。
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【課題】本発明は、外部応力や熱サイクルによる膨張、収縮に対して耐性があり、臨界電流密度を増すことができ、端子を接続するとき高温超伝導体を損傷することが少ない高温超伝導電流リードと、高温超伝導電流リードの臨界電流密度増加方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基材面に高温超伝導材料の薄膜が形成され、金属皮膜が被覆された可撓性でテープ状の高温超伝導体８ａと、１対の電極端子１１と、電極端子１１に固定され高温超伝導体８ａを補強する支持部材１４とを備えた高温超伝導電流リード８であって、高温超伝導材料の結晶のｃ軸が基材面に対して所定の角度で配向されていることを特徴とする。また、臨界電流密度増加方法は、高温超伝導材料の結晶のｃ軸を基材表面の法線に対して所定の角度だけ配向させた薄膜を有する高温超伝導リードを形成し、磁場の磁束を結晶のｃ軸に垂直または基材に垂直な角度で交差する方向に印加する。 （もっと読む）

【課題】実用機器に用いられる薄膜超電導線の接続部に要求される諸特性を損なわず、マンホール内などの現場環境でも簡易に接続ができる接続方法および接続構造体を提供する。
【解決手段】接続しようとする接続端近傍の安定化金属層の一部を剥がした、基板（１）上方に超電導層（１）と金属保護層（１）と安定化金属層が形成されている少なくとも２つの第１の薄膜超電導線、および、基板（２）上方に超電導層（２）と金属保護層（２）が形成されている少なくとも１つの第２の薄膜超電導線を調製し、前記第１の薄膜超電導線の前記接続端部を対向配置し、前記第２の薄膜超電導線の前記金属保護層（２）と、前記第１の薄膜超電導線の前記安定化金属層を剥がして露出した前記金属保護層（１）とを対向配置し、前記第１の薄膜超電導線の前記金属保護層（１）と前記第２の薄膜超電導線の前記金属保護層（２）とを接続する、薄膜超電導線の接続方法。 （もっと読む）

【課題】超伝導テープを製造するための全工程を同一環境の下で行うことが可能であって、製造コストと製造時間が短縮され、同一の蒸着条件が超伝導テープ全体に適用されることにより超伝導テープの均一性が向上して性能が優れるし、ドラムによる大面積の基板上への蒸着が可能であって蒸着効率および高品質の超伝導テープが得られる、一貫工程による超伝導テープ製造方法および装置の提供。
【解決手段】反応チャンバの内部で、ドラムに巻かれた基板を熱処理させ、蒸着チャンバから供給された超伝導テープを含む緩衝層、超伝導層、接触抵抗低減層、保護層を成す成分を前記基板上に連続的に蒸着させ、熱処理させることを特徴とする、一貫工程による超伝導テープ製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】これまで多くの超伝導化合物が見いだされているが、これらはいずれも可視光域
で不透明で、透明な超伝導体は実現していない。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{１−（ｘ＋２ｙ
）}ｅ⁻] （Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ＋２ｙ≦０．５)で示
され、超伝導電気伝導を示し、かつ膜厚４０ナノメートルを基準として、ＪＩＳ Ｒ１６
３５で規定される方法により測定した可視光透過率が８０％以上であるマイエナイト型結
晶構造を有する化合物からなることを特徴とする超伝導化合物薄膜。化学式が[Ｃａ₂₄Ａ
ｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (２番目の大括弧は、ケージ中のアニオンを示す
。また、Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上：０≦ｘ≦１、ｙ＝１−ｘ）で示
される薄膜中のアニオンの１／２以上を還元処理により電子に置換することにより作成で
きる。 （もっと読む）

基板、バッファ層、マルチフィラメント超伝導体層、および、少なく人も一つの厚い安定材層からなる、厚く線条の安定材を有するマルチフィラメント高温超伝導体が開示される。さらに、超伝導テープを組込んだ構成要素及びこれを製造する方法が開示される。
（もっと読む）

【課題】高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba₂Cu₃O₇ (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の薄膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、１％以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)BCO 薄膜を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ (RE’)Ba₂Cu₃O₇の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊｃが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。
【解決手段】
一般式ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_Ｘ（式中、ＲＥはＰｒ及びＣｅを除く希土類元素のうち、少なくとも１種の元素であり、６．５＜Ｘ＜７．１である）で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】超電導線材として、磁性基板上に成膜した超電導線材を使用した、交流損失を低減させることが可能な超電導導体及び超電導導体を備えた超電導ケーブルを提供する。
【解決手段】磁性基板１１を有した超電導線材１０を中心部材３１上に巻きつけて、２層の超電導集合体３２からなる超電導導体３０が形成されるとき、第２層３２ｂの超電導線材１０は超電導層１３を外向きに巻き付けて、第１層３２ａの超電導線材１０は超電導層１３を内向きに巻きつけて形成する。また、２層以上の超電導集合体３２からなる超電導導体３０が形成されるとき、最外層の超電導線材１０は超電導層１０を外向きに巻きつけ、最外層を除く少なくとも1層を形成する超電導線材１０は超電導層１０を内向きに巻きつけて形成する。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型銅酸化物において、１００Ｋを超える高温超電導体が見出され
ているが、まだ、室温超伝導体は見出されていない。
【解決手段】化学式ＬａＦｅＯＰｈ（Ｐｈは、Ｐ、Ａｓ及びＳｂのうちの少なくとも１種
）で示され、ＺｒＣｕＳｉＡｓ型（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）の結晶構造を有する化合物で超
伝導転移を見出した。ＬａＦｅＯＰｈは、一般化学式ＬｎＭＯＰｎ（Ｍは遷移金属）で示
される遷移金属イオンを骨格構造に有する層状構造化合物群の一員である。ここで、Ｌｎ
は、Ｙ及び希土類金属元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ、Ｙｂ，Ｌｕ）の少なくとも一種であり、Ｍは，遷移金属元素（Ｆｅ，
Ｒｕ，Ｏｓ）の少なくとも一種であり、Ｐｎは、プニクタイド元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ
）の少なくとも一種である。この化合物はＦイオンの添加などにより、キャリア数を変化
させ、転移温度を制御できる。 （もっと読む）