【課題】超電導層膜に大きなダメージを発生させることがなく、切断工程において厳しい条件管理を必要としない、また、製品の歩留まりを低下させず、生産性の向上を図ることができる超電導薄膜線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板上に中間層膜、超電導層膜の順に積層する超電導薄膜線材の製造方法であって、所望する超電導薄膜線材の倍以上の幅を有する金属基板の上に、中間層膜を形成して金属基板／中間層膜複合線材とする中間層膜形成工程と、金属基板／中間層膜複合線材を、所望する超電導薄膜線材の幅に切断する切断工程と、切断された金属基板／中間層膜複合線材の中間層膜の上に超電導層膜を形成する超電導層膜形成工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 コイルの製作や運転によって超電導部材に生じる応力から超電導部材を構成す
る層を補強し、かつ補強手段によって超電導部材に生じる長手方向の応力を低減すること
ができる超電導線を提供することを目的とする。
【解決手段】 超電導線１は、可撓性を有する基板５上に、酸化物超電導層７が中間層６
を介して形成され、酸化物超電導層７上に保護層８が形成されることによりなる超電導部
材２と、超電導部材２の酸化物超電導層７が形成される側の面に摺接され、超電導部材２
を構成する層の補強を行う補強板３と、超電導部材２と補強板３とを長手方向に相互に摺
動可能に包囲して拘束する絶縁テープ４とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】優れたＪｃ（臨界電流密度）やＩｃ（臨界電流値）を有する高温超電導線材を製造することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上１に、中間層２および超電導層３が形成されている酸化物超電導薄膜の製造方法であって、配向金属基板を、真空雰囲気あるいは還元雰囲気に設けた熱処理室２２内で、配向金属基板上に形成された酸化層を還元除去する温度で加熱し、その後、１００℃以下まで冷却する熱処理工程と、熱処理工程後の配向金属基板を、熱処理室より取り出して大気中に曝露する曝露工程と、成膜室２３内で、曝露工程後の配向金属基板上に、酸化物薄膜層を形成させる中間層形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、ＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．１ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４９Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】交流損失の低減効果が高いマルチフィラメント型超電導線材を提供することを第１の目的とする。また、本発明は交流損失の低減効果が高いマルチフィラメント型超電導線材を、生産性良好に製造することのできる製造方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】長尺の基材１上に中間層２を介して形成された超電導層３と、超電導層３の上に形成された金属安定化層４とを具備してなる超電導線材Ａにおいて、（ｉ）基材１の長手方向に沿って、金属安定化層４から超電導層３を介し中間層２に達し、中間層２を露出させた溝２０が、基材１の幅方向にわたり、平行に複数形成されており、かつ、（ｉｉ）超電導層３下部の溝幅ｄ１と金属安定化層４下部の溝幅ｄ２との差δｄ（＝ｄ１−ｄ２）が１０μｍ以下であることを特徴とする低交流損失マルチフィラメント型超電導線材である。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、酸素雰囲気中でＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．２ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４３Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導導体の複合化をスロットを用いて効率的、かつ、簡便に行うことができ、個々の酸化物超電導導体について外部から作用すると思われる負荷を軽減して酸化物超電導導体の損傷の問題を回避することができる酸化物超電導ケーブルの提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材上に中間層を介し酸化物超電導層が形成され、この酸化物超電導層上に安定化層が形成されてなる酸化物超電導導体と、管体からなりその外周面に溝部が複数、その長さ方向に沿って形成されてなるスロットとが備えられ、前記酸化物超電導導体が、その基材側を前記溝部の底部側に向けた状態で前記溝部に収容されるとともに、前記スロットの周方向に複数本、前記スロットの長さ方向に配置されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定したプルームを長時間均一に発生させ、長尺の基材に対し均一な膜質の酸化物超電導層を生成することを可能とする方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットに集光照射し、プルームを生成させ、該プルームからの粒子をテープ状の長尺基材上に堆積させて酸化物超電導層を形成する方法であって、減圧チャンバー内部の転向部材間に長尺基材が複数の隣接するレーンを構成するように巻き掛け、長尺基材のレーンに近接させてターゲットを配置し、ターゲットに対してレーザー光を集光照射する集光手段を設けたレーザー蒸着装置を用い、集光手段の焦点距離を１．０〜２．０ｍの範囲に、レーザー光のエネルギー密度を１．０〜４．０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定し、ターゲットに対し斜め方向からレーザー光を集光照射しターゲット上で走査し、レーザー光の照射位置毎にプルームを発生させて成膜する方法である。 （もっと読む）

【課題】連続的で長さの長い超伝導体リボンまたはテープまたはワイアを形成する方法および装置を提供する。
【解決手段】超伝導層を成長させるために用いる材料を移動するテープ上に連続的に堆積させる。繰り出しリール４０１および取り込みリール４０６を使用してそれぞれテープ基板を一定の速度で繰り出し巻き取る。一連のステージを用いてこのテープ上に超伝導層を形成し、超伝導層形成に用いられるテープ基板上に１つまたは複数の材料を堆積させる少なくとも１つの反応炉すなわち反応チャンバ６０１ｃと、超伝導体と金属テープ基板の間、または超伝導体層間にバッファ層を堆積させるため、ならびにコーティング層を堆積させる１つまたは複数のチャンバ６０１ａ、６０１ｂとが備えられる。また、各ステージ間で移行チャンバ７０１を使用してエッチング・ステージを他の諸ステージと分離することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 超電導テープ線の保護層の劣化を起こすことなく、冷却や電磁力による超電導テープ線の各層に生じる負荷応力の防止する超電導テープ線の提供を目的とする。
【解決手段】 可撓性を有する基板上２に、酸化物超電導層４が中間層３を介して形成され、酸化物超電導層４上に保護層５が形成されることによりなる積層物を形成し、酸化物超電導層４への過剰電流の迂回経路となる安定化層６を、積層物の表面の少なくとも保護層５の面上に形成し、金属テープ７を保護層５の面上に形成される安定化層６の面上に接着する。 （もっと読む）

【課題】
格子定数を変化させたCeO₂層の作用でCeO₂面側に高い臨界電流を有する超電導膜を得ることができるCeO₂層を有するA l₂O₃-CeO₂二層薄膜構造体、当該Al₂O₃-CeO₂二層薄膜構造体を用いて、格子定数を変化させたCeO₂層を活用してCeO₂面側に高い臨界電流を有する超電導膜を形成したAl₂O₃-CeO₂-超電導物質三層薄膜構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
厚さ0.4ｍｍ〜1.0ｍｍのAl₂O₃単結晶層上に、厚さ20ｎｍ〜300ｎｍのCeO₂層を設けた薄膜構造体に、エネルギー密度１mJ/cm²〜250ｍＪ/cm²のレーザ光を1000〜1000000パルス照射し、CeO₂層の格子定数を変化させたCeO₂を有するAl₂O₃-CeO₂二層薄膜構造体のCeO₂層側に厚さ100nｍ〜800nｍの超電導薄膜を設けたAl₂O₃-CeO₂-超電導物質三層薄膜構造体及びその製造方法。 （もっと読む）

基板と、この基板の上に重なるバッファ層と、このバッファ層の上に重なる高温超伝導（HTS）層からなる超伝導部材である。HTS層は複数のナノロッドを含む。基板テープを提供する段階と、この基板テープの上に重なるバッファ層を蒸着する段階と、前記バッファ層の上に重なるドットアレイを形成する段階と、前記ナノドットアレイの上にそれを核とするナノロッドのアレイを蒸着する段階と、前記ナノロッドのアレイの周りに、バッファ層の上に重なる高温超伝導（HTS）層を蒸着する段階からなる超伝導部材を形成する方法である。
（もっと読む）

【課題】超電導線材の交流損失を低減することができる基板、基板の製造方法、超電導線材および超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板は、銅層と、銅層上に形成され、かつ銅およびニッケルを含む合金層と、合金層上に形成されたニッケル層と、ニッケル層上に形成された中間層とを備えている。合金層とニッケル層との界面における合金層のニッケルの濃度よりも、合金層と銅層との界面における合金層のニッケルの濃度が小さい。 （もっと読む）

【課題】接続抵抗を低減できる超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上に中間層を形成する。中間層上に超電導層３を形成する。超電導層の露出表面をドライエッチングする。超電導層の露出表面には、超電導層の成膜時にできた異層や非配向層、成膜後に大気中の水分に曝されることにより形成されたアモルファス層など、超電導線材５ｃの接続抵抗の原因となる不純物が存在する。超電導層の露出表面をドライエッチングすることで、これらの不純物を除去することができ、超電導線材同士を接続する際に生じる接続抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき層表面の配向性および平坦性を向上しうる基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、めっき法を用いて銅層上にニッケル層が形成された基材を準備する工程と、前記ニッケル層を８００〜１０００℃で熱処理する工程と、前記ニッケル層を熱処理する工程の後に前記ニッケル層上に被覆層をエピタキシャル成長させる工程とを備えた、基板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】安定化層線材と酸化物超電導層線材の種類によらず、これらを確実に接合して高品質の超電導線材を製造することが可能であり、かつ生産性および作業性の低下も生じない製造装置および方法の提供。
【解決手段】安定化層線材１と酸化物超電導層線材２とをハンダを介して接合することによってテープ状の超電導線材７を製造する装置であって、安定化層線材１および酸化物超電導層線材２をハンダ層を介して重ね合わせた被複合化材６をハンダの溶融温度以上に加熱する予熱手段３と、予熱手段３を経た被複合化材６を加圧して安定化層線材１と酸化物超電導層線材２とを接合させて超電導線材７を得る加圧手段４とを備えた製造装置。加圧手段４は、被複合化材６の移動方向に対し、その位置を調整可能とされている。 （もっと読む）

【課題】超電導層への水分の侵入を抑えるとともに、外部からの機械的あるいは化学的なダメージを受け難い構造を有することにより、臨界電流密度の低下を抑制し、良好な超電導特性を有する超電導線材とその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る超電導線材１００は、長尺状の第一基材１の一方の面に、中間層２、超電導層３、保護層４の順に重ねて配してなる第一基体１０と、該保護層４に重なり、安定化材から構成された長尺状の第二基材５からなる第二基体２０とを少なくとも備え、前記第二基体２０の前記保護層４と対向する面には、その長手方向に連続する凹部が配されており、該凹部の内底面が前記保護層４と導電性の接合部材６を介して接合され、かつ、前記超電導層３は、その側面が全て該凹部内に収まるように配されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超電導層の安定化と交流損失の低減が可能で、且つ簡便に製造できる超電導線材の提供。
【解決手段】金属基材１１の表面１１ｃ側に金属酸化物からなる中間層１２、超電導層１３及び第一の金属安定化層１４がこの順に積層され、中間層１２に達して第一の金属安定化層１４及び超電導層１３を幅方向に分割する第一の溝１８及び第二の溝１９が、第一の金属安定化層１４及び超電導層１３に、長手方向に沿って一体に形成され、金属基材１１の裏面１１ｄ側に第二の金属安定化層１６が積層され、第二の金属安定化層１６が、超電導層１３と電気的に接続されていることを特徴とする超電導線材１。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止し、生産性にも優れた配向多結晶基材とそれを備えた酸化物超電導導体を提供する。
【解決手段】金属基材１１上に、イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により面内に３回対称に配向するように成膜された岩塩構造の第一層１３と、この第一層１３上に３回対称に配向するように成膜された配向調整層１２と、この配向調整層１２上にＩＢＡＤ法により面内に４回対称に配向するように成膜された蛍石構造あるいはそれに準じた希土類Ｃ型あるいはパイロクロア構造の第二層１４とを具備する中間層１５を形成する。 （もっと読む）