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Fターム[5G435CC09]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (89,878) | 表示形態 (3,762) | ドット表示(マトリックス表示) (2,753)

Fターム[5G435CC09]に分類される特許

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【課題】 パーソナルコンピュータ及び表示装置を所有していなくても手軽にディジタル画像を鑑賞することができると共に、周囲の明るさに応じて表示の明るさを調整し、表示を観やすくすることができる画像表示装置を提供する。
【解決手段】 画像表示装置1の制御マイコン42は、メモリーカード12から画像情報を読み出して画像処理ブロック43で画像信号処理を施して画像信号を生成し、表示部4に表示する。周囲の明るさを検知するための光センサを設け、制御マイコン42は、検出した光量が一定値以下であるとき、表示部4の表示の明るさを暗くするように制御する。 (もっと読む)


【課題】複数の平面表示素子が連結されていることを、観察者により一層認識させないようにするマルチディスプレイ装置を得る。
【解決手段】マルチディスプレイ装置100は、一方の辺10T,20T同士が互いに対向するように連結して配置されるとともに、上記一方の辺10T,20T同士が連結された部分に境界部40を形成する第1平面表示素子10および第2平面表示素子20と、上記境界部40を覆うとともに、上記境界部40に隣り合うように並んで配置された赤色、緑色、および青色を含む1列の画素を覆うように設けられたレンチキュラーレンズ30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】カラー電気光学ディスプレイの提供。
【解決手段】電気光学材料の層(12)、接着層または保護層の一つの表面上に複数の着色された領域(22R、22G、22B)をインクジェットプリントすることによって、電気光学ディスプレイ内にカラーフィルターアレイが提供される。代替案として、上記インクジェットプリントすることは、電気光学ディスプレイを生産するために使われる多様なサブアセンブリー内の同一の層上で行われ得る。本発明は、また、その上にカラーフィルターアレイ(22R、22G、22B)を有する電気光学材料の層(12)を調製する方法も提供する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、横電界方式の表示パネルを用いた表示装置において、表示装置の前面に保護部材やタッチパネルなどを粘着材などにより貼り付けた場合、環境温度変化によって、表示パネル上に溜まった電荷を逃がすために配置される導電性テープが剥がれることを防止し、表示画像に不具合が発生することを防止する表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置は、導電性テープ3と透明粘着材2との間に粘着シート4を配置し、粘着シート4の導電性テープ3と対向する面に塗布された粘着材42の粘着力が、導電性テープ3の対向基板7と対向する面に塗布された導電性粘着材13の粘着力よりも小さく設定されている。 (もっと読む)


【課題】額縁被覆部材を設置することにより額縁を目立たなくさせるとともに、予め定められた視聴位置における視聴者に対し、表示領域がその額縁被覆部材の陰に隠れてしまうという不具合が生じないように構成されたマルチディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】マルチディスプレイ装置は、隣接する一対の表示領域間の一対のベゼル21にそれぞれ設置される長尺の額縁被覆部材30であって、長手方向Yに延び、一対のベゼル21に臨んで配置される設置面41と、長手方向Yに延び、設置面41に対して傾斜する2つの傾斜面42,43とを有し、表示領域からの出射光を反射または拡散する額縁被覆部材30を含み、各額縁被覆部材30は、設置対象の一対のベゼル21の縦方向および/または横方向における位置に応じて、その高さ寸法hがそれぞれ異なる。 (もっと読む)


【課題】ソース電極およびドレイン電極からのオーミックコンタクト膜の延在部分の表面を介したリーク電流、およびオーミックコンタクト膜と半導体能動膜との接合側面部での欠陥を介したリーク電流を増大させないことが可能な薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】オーソミックコンタクト層8の一方は、電極9,10の一方に接触して覆われた接触部分81と、接触部分81よりも厚さ方向D2において薄く、厚さ方向D2から見て電極9,10の一方からはみ出して電極9,10の他方へと延在して半導体能動膜7の少なくとも一部71を避けて覆う延在部分82とを有する。 (もっと読む)


【課題】可撓性を有する表示部を備えた電気光学装置において、表示部の曲がり具合によらず、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、表示部(3)に画素(20)毎に設けられた画素電極(21)と、表示部に画素毎に設けられ、画素電極に電気的に接続された画素回路(24)と、画素回路を駆動する駆動部(60、70)と、表示部の曲がり具合を検出する検出部(300)と、検出された曲がり具合に応じて、表示部の曲がりによる画素回路の電気的特性の変化を補償するように、駆動部を制御する制御部(10)とを備える。 (もっと読む)


【課題】雨水が溜まることを抑制して視認性を向上させることができる表示装置用カバー及び表示装置を提供する。
【解決手段】板体40は、表面401(表側)と裏面402(裏側)とを有する矩形状の板体であり、表側には、表面401から突出させた庇30を設けてある。板体40には、LED72の位置に合わせて縦横方向にマトリクス状に配設した挿通孔51を形成してある。挿通孔51は、LED72の砲弾型の光透過部の前方部(先端部)が挿通するようにしてある。各挿通孔51は、上側及び下側の壁45、左側及び右側の壁43で囲まれている。挿通孔51の下側の壁45の壁面451と庇30の上側表面31の一部の傾斜面311とは略同一面をなす。 (もっと読む)


【課題】前面側に位置するユーザ及び背面側に位置するユーザの何れもが、適正な画像(正像)を視認できる透過型表示装置を提供する。
【解決手段】表示パネル1にタッチ操作がなされた場合に、そのタッチ操作が表示パネルの前面(第1タッチパネル2)へのタッチ操作か背面(第2タッチパネル3)へのタッチ操作かを判定部4にて判定し、その判定結果に基づいて表示画像を反転すべきであるか否かを主制御部11が判断し、反転すべきであると判断した場合、反転部13にて表示画像を反転させる。表示パネルの前面側から適正な画像が視認され、表示パネルの背面側からは裏返された画像が視認されるように画像表示がなされている場合に、表示パネルの背面にユーザのタッチ操作がなされると、画像を反転させて表示する。 (もっと読む)


【課題】光ビーム照射装置の空間的光変調器の傾きとヘッド部の傾きとを容易に判別して、光ビームの歪みを抑制し、描画精度を向上させる。
【解決手段】光ビーム照射装置20から照射される光ビームを受光する受光装置51をチャック10に設け、光ビーム照射装置20のヘッド部20aを回転する回転機構28を設ける。回転機構28によりヘッド部20aを回転する前と回転した後に、光ビーム照射装置20から照射された光ビームを受光装置51により受光する。ヘッド部20aを回転する前後の、受光装置51により受光した光ビームの位置の変化から、光ビーム照射装置20の空間的光変調器25の傾きとヘッド部20aの傾きとを判別し、判別結果に基づき、空間的光変調器の傾き又はヘッド部20aの傾きを補正する。 (もっと読む)


【課題】視認者との相対的な位置関係に応じて形成する視差バリアの形状を変化させる表示装置において、クロストークの発生を抑制する。
【解決手段】各画素が有する複数の副画素の一部において表示を行い、その他の副画素において表示を行わない。すなわち、当該画素に占める表示面積を低減する。よって、クロストークの発生を抑制することが可能である。また、副画素が正方形状又は略正方形状を有する。よって、視認者との相対的な位置関係に応じて表示を行う副画素が選択される場合であっても、画素における表示面積(表示を行う複数の副画素)の形状が大きく変化することがない。したがって、当該位置関係が変化する場合(配設される視差バリアが変化する場合)であっても、当該位置関係に依存せずにクロストークの発生を抑制することが可能である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜(水素捕縛膜)、および水素を拡散する膜(水素透過膜)を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのゲート絶縁膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 (もっと読む)


【課題】SLMの周囲温度の変化に起因する現象を軽減できる光波面制御モジュールを提供する。
【解決手段】光波面制御モジュール1Aは、一次元または二次元に配列された複数の画素毎に光を変調する反射型SLM20と、反射型SLM20を駆動するためのインターフェース回路31を有する回路基板30と、反射型SLM20と回路基板30との間に配置されたヒートシンク40と、一方の面が反射型SLM20と熱的に結合され、他方の面がヒートシンク40と熱的に結合され、回路基板30において生じた熱をヒートシンク40を介して反射型SLM20へ伝えるペルチェ素子50と、反射型SLM20、回路基板30、ヒートシンク40、及びペルチェ素子50を収容する筐体10とを備える。 (もっと読む)


【課題】双安定機構を含み、かつ、削減された電力消費のために低電圧で駆動されることが可能な機械的に作動可能なディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、MEMSベースのディスプレイ装置に関する。特に、ディスプレイ装置は、2つの機械的にコンプライアントな電極を有するアクチュエータを含んでもよい。さらに、ディスプレイ装置に含まれる、双安定シャッタ組立体と、シャッタ組立体内でシャッタを支持するための手段とが開示される。 (もっと読む)


【課題】
反射型表示デバイスであるDMDを車載のような高温環境下で使用する場合、不可逆的な輝点欠陥あるいは黒点欠陥が発生してしまい、表示素子の寿命が短くなり、表示素子の高寿命化の点で改良の余地があった。
【解決手段】
表示制御手段92は、表示素子30に表示画像Dを表示させ、照明制御手段91は、表示画像DのフレームFを時間分割したサブフレームSF毎に各照明手段11r,11gをフィールドシーケンシャル方式により駆動し、フレームFは、表示制御手段92が複数の画素を通常駆動させ、照明制御手段91が照明手段11r,11gを駆動させることで、表示素子30に表示画像Dを表示する表示期間Faと、
表示制御手段92が複数の画素を非表示期間駆動させ、照明制御手段91が照明手段11r,11gを消灯させることで、表示素子30に表示画像Dを表示させない非表示期間Fbとを設ける。 (もっと読む)


【課題】タッチセンサ内蔵型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数のゲートラインとデータラインとが交差配列されて画素領域が画定される下部基板と、液晶層を介して前記下部基板と対向配置される上部基板と、前記上部基板における、前記下部基板との対向面で実質的に前記ゲートラインと対応する位置に形成される第1のタッチ信号線22と、前記上部基板における、前記下部基板との対向面で実質的に前記データラインと対応する位置に形成され、前記第1のタッチ信号線22と絶縁されて交差形成される第2のタッチ信号線24と、前記第1のタッチ信号線22及び前記第2のタッチ信号線24によって区画される領域に前記画素領域と対応するように形成されるカラーフィルタとを備え、前記第1のタッチ信号線22および前記第2のタッチ信号線24は、遮光のための遮光膜であり、かつ、タッチセンシングのための信号線である。 (もっと読む)


【課題】製造過程における静電気対策が強化され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第1基板12上に設けられたデータ線駆動回路22及び走査線駆動回路24と、データ線駆動回路22及び走査線駆動回路24における電源配線(信号配線29、第1外部接続用端子23a及び第2外部接続用端子23b)をスクライブライン65より外側において接続させる短絡配線66と、を備える。 (もっと読む)


【課題】昇温時に液晶パネルが受ける応力を減らすことが可能な液晶装置を提供する。
【解決手段】液晶装置32は、反射型の液晶パネル40と、液晶パネル40を保持する保持部材41と、を備える。保持部材41は、液晶パネル40を囲む本体部43と、本体部43に取り付けられて液晶パネル40を本体部43に向けて付勢することにより液晶パネル40と本体部43との相対位置を規制する付勢部44と、を有する。 (もっと読む)


【課題】視点の移動に起因する視認性の悪化を軽減することができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、異なる原色を表示する複数の種類の副画素の組から構成された画素が、行方向および列方向に2次元マトリクス状に配列された表示部、並びに、表示部に表示される画像を複数の視点用の画像に分離する光学分離部、を備えており、副画素が表示する原色のうちの1つを第1原色と表すとき、第1原色を表示する副画素から成りそれぞれ隣接する副画素列の境界間の距離が、第1原色とは異なる原色を表示する同種の副画素から成りそれぞれ隣接する副画素列の境界間の距離よりも短い。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Alを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、10nm以上100nm以下である。 (もっと読む)


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