【課題】スイッチング周波数が高くても、適切にトランジスタの保護を行うことが可能なトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路１０は、駆動回路３０によって電源４０の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ２０の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路１０は、トランジスタ２０の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源４０の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部１２を備える。 （もっと読む）

【課題】低出力時の出力安定化を図ることができるアーク加工用電源装置を提供する。
【解決手段】出力要求が大の時には、インバータ回路のスイッチング素子ＴＲ１，ＴＲ２及びこれに連動する補助スイッチング回路のスイッチング素子ＴＲ３，ＴＲ４に出力する各制御パルス信号のオンパルス幅Ｗｍ，Ｗｓの調整を行うＰＷＭ制御が行われ、出力要求が小の時には、インバータ回路と補助スイッチング回路との間で対となる各制御パルス信号の相互の位相差αを調整するＰＳＭ制御に切り替える。 （もっと読む）

【課題】昇圧コンバータとインバータとが接続された駆動電圧系の電圧変動が大きくなるのを抑制する。
【解決手段】インバータの制御方式が正弦波制御方式でないときや、モータの回転数Ｎｍが共振回転数領域（回転数Ｎ１〜回転数Ｎ２の領域）外のときには通常時の値Ｋｐｖ１，Ｋｉｖ１を昇圧ゲインＫｐｖ，Ｋｉｖに設定し（Ｓ１３０〜Ｓ１５０）、インバータの制御方式が正弦波制御方式でモータの回転数Ｎｍが共振回転数領域内のときには通常時の値Ｋｐｖ１，Ｋｉｖ１より小さな値Ｋｐｖ２，Ｋｉｖ２を昇圧ゲインＫｐｖ，Ｋｉｖに設定し（Ｓ１３０，Ｓ１４０，Ｓ１６０）、設定した昇圧ゲインＫｐｖ，Ｋｉｖを用いて駆動電圧系電力ラインの電圧ＶＨと目標電圧ＶＨｔａｇとの差が打ち消されるよう駆動電圧系電力ラインの電圧指令ＶＨ＊を設定して昇圧コンバータを制御する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑えると共に、発生ノイズを低減することができる電力変換装置を、提供することを目的とする。
【解決手段】パワー半導体素子を内蔵し、パワー半導体素子の電極に接続された複数の電極フレーム１６ａ、１６ｂが外部に突出するようにモールド樹脂１８にて封止された樹脂封止型の半導体モジュール８が、金属ブロック１１ａ、１１ｂと絶縁された金属ベース２０ｂに載置された電力変換装置１であって、モジュール８の直流電力を供給する電源２の高電位側に接続され、パワー半導体素子の第一電極に接続された正電極フレーム１６ａ及び、電源２の低電位側に接続され、パワー半導体素子の第二電極に接続された負電極フレーム１６ｂと金属ベース２０ｂとの間に配置され、正電極フレーム１６ａ及び負電極フレーム１６ｂと金属ベース２０ｂとを容量結合するノイズバイパス手段７を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の小型化を図ることができ、放電抵抗の放熱性に優れた接続コネクタを提供すること。
【解決手段】接続コネクタ１は、電源５と電力変換装置６との間を電気的に接続するためのものである。接続コネクタ１は、電源５の正極側に接続される板状の正極側バスバ２と、電源５の負極側に接続される板状の負極側バスバ３と、正極側バスバ２及び負極側バスバ３に接続される放電抵抗４とを備えている。正極側バスバ２と負極側バスバ３とは、互いの両主面２０１、２０２、３０１、３０２をそれぞれ同じ方向に向け、主面２０１、２０２、３０１、３０２に対して垂直な方向である厚み方向Ｚにおいて互いが重ならないように並列に配置されている。放電抵抗４は、厚み方向Ｚから見た場合に、正極側バスバ２における負極側バスバ３から遠い側の外端２Ａと負極側バスバ３における正極側バスバ２から遠い側の外端３Ａとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置において、回路を構成する導体の配線インダクタンスを低減し、サージ電圧を低減する。
【解決手段】半導体パッケージ２〜５と、結合ダイオード６，７と、平滑コンデンサ８，９とを有する３レベルインバータ装置１において、素子パッケージ群２〜７が配置される面に対して立設する板状の導電部１０ａ〜１６ａを有する導体１０〜１６でインバータ回路を構成する。平滑コンデンサ８，９の正極、負極、及び平滑コンデンサ８，９の直列接続点は、それぞれ導体１０，１１，１４の導電部１０ａ，１１ａ，１４ａに接続される。また、導電部１０ａ〜１６ａを流れる電流の向きが逆方向となる導電部同士を近接して沿うように配置して積層導体を構成する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出し、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路１２５は、ＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断する。制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。そして、オフ保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする。その結果、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷が放電され、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出し、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】電圧均一回路を用いることなく、半導体素子の必要個数を減らし、装置の小型化及びコスト低減ができるマルチレベル電力変換器を提供する。
【解決手段】直流電源Ｖ_DCと、該Ｖ_DCの正、負極端間に直列接続されたコンデンサＣ３，Ｃ４と、直流電源Ｖ_DCの正、負極端間に順次直列に接続された、スイッチング素子Ｓ５，Ｓ６，コンデンサＣ１，Ｃ２，スイッチング素子Ｓ７，Ｓ８と、前記Ｓ６，Ｃ１の共通接続点と、Ｃ２，Ｓ７の共通接続点との間に直列接続されたスイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４と、前記Ｓ１，Ｓ２の共通接続点とＳ３，Ｓ４の共通接続点との間に直列接続されたダイオードＤ１，Ｄ２と、前記Ｃ１，Ｃ２の共通接続点ＮＰ´と前記Ｃ３，Ｃ４の共通接続点ＮＰとの間に直列接続されたＤ３，Ｓ１１，とＤ４，Ｓ１２とを備え、前記素子Ｓ２，Ｓ３の共通接続点と、前記Ｃ３，Ｃ４の共通接続点とを複数の電圧レベルの交流出力端とした。 （もっと読む）

【課題】パルス幅過変調制御方式を使用するときのキャリア周波数に起因する雑音の官能上の感度を低減する。
【解決手段】ＥＣＵ３は、モータの回転に伴って発生する雑音の周波数成分であり、且つ、その周波数がモータの回転数整数倍である高調波の周波数成分のうち、振幅が最大である高調波の周波数を求める周波数算出部３５と、パルス幅過変調制御方式による制御を実施するときのキャリア周波数を、周波数算出部３５によって求められた高調波の周波数に設定する周波数設定部３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】部品配置に対する自由度を増大することができる電力変換装置を得ること。
【解決手段】スイッチング素子１０を高温動作が可能なワイドバンドギャップ半導体によって形成し、筐体１内の上部の高温領域に配置できるようにした。スイッチング素子１０をリアクトル１２と共に筐体１内の上部の高温領域に配置することにより、筐体１内の温度分布がより明確となり、電解コンデンサ１１やリレー１３等の低発熱部品を配置する筐体１内の下部の低温領域の温度を低く保つようにした。 （もっと読む）

【課題】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える新たな駆動回路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える駆動回路において、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に電荷を充電するための充電経路を備え、前記集積回路には、電流量を規制する内側流通規制要素と、前記充電経路を介した電流の流通および遮断を制御する制御手段と、前記制御手段の出力端子を前記集積回路内の部材に接続することで前記内側流通規制要素を前記充電経路として用いるか前記集積回路の備える外部出力端子に接続するかを切り替える切替回路と、前記集積回路の外部入力端子からの信号に基づき前記切替回路を操作することで前記切り替えを行う操作手段とを備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で単相電力変換装置のｄｑ座標系での制御を可能にする。
【解決手段】系統連系インバータ２の制御装置４は電力系統３に出力される交流電圧ｖと交流電流ｉを検出し、複素係数ＢＰＦ４０１により基本波成分の複素ベクトル（ｖ_1r，ｖ_1j）を生成し、複素係数ＢＰＦ４０２により基本波成分の複素ベクトル（ｉ_1r，ｉ_1j）を生成する。位相角演算器４０３で複素ベクトル（ｖ_1r，ｖ_1j）を用いて位相角θ₁を算出し、位相角θ₁を用いてｄｑ変換器４０５で複素ベクトル（ｉ_1r，ｉ_1j）をｄｑ座標系のｄ軸成分ｉ_dとｑ軸成分ｉ_qに変換した後、加算器４０６ａ，４０６ｂ、ＰＩ補償器４０７ａ，４０７ｂでｄｑ座標系における制御値のｄｑ軸成分ｖ_d，ｖ_qを生成する。そして、逆ｄｑ変換器４０８でｄｑ座標系の制御値ｖ_d，ｖ_qを静止直交座標系の制御値ｖ_rc，ｖ_jcに変換し、ＰＷＭ信号生成器４０９で制御値ｖ_rcを用いて系統連系インバータ２の駆動を制御するＰＷＭ信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】単一のパワー半導体モジュールに例えば１２アームを搭載可能にコンパクトに実装するとともに、直流端子と交流端子のそれぞれの端子をモジュール端面にそれぞれ配置し、また、電力回路のインダクタンスを低く保つこと。
【解決手段】１枚の絶縁基板１０８上に２組の上アーム（１００，１０４と１０２，１０６）を絶縁基板上の上寄り左右に配置し、２組の下アーム（１０１，１０５と１０３，１０７）を絶縁基板上の下寄り左右に配置して、絶縁基板上の配線パターンとして、２組の上アームを第１の配線パターンＣ０１上に実装し、２組の下アームは第１の配線パターンの下に配置した第２、第３の配線パターンＣ０２，Ｃ０２上にそれぞれ実装して、第２、第３の配線パターンの間に第１の配線パターンＣ０１を延長し、その延長した端部に正極端子Ｔ０１からの配線を接続し、さらに、絶縁基板１０８を１モジュール中に３枚並置して実装して１２ｉｎ１モジュールの構成とすること。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置に含まれる回路の故障箇所を特定することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】 電源の正負両端に接続される電源線Ｐ、Ｎの間に、接続されたスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６と、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６の順方向導通時に流れる電流の向きと逆方向で、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６と並列に接続されたダイオードＤ１〜Ｄ６と、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６の低電位側端子とダイオードＤ１〜Ｄ６のアノード端子との接続点よりもスイッチング素子側に接続され、電流を検出する電流検出手段と、電流検出手段によって検出された検出電流に基づいてスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６の故障を検出する故障検出手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】低コスト化、小型化を実現しつつ、複数のインバータ部における電流検出を正確に行うことができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、第１インバータ部２０１と第２インバータ部２０２とを備え、直流電源６１と第１インバータ部とを電気的に接続する第１正極バスバー３１および第１負極バスバー４１と、直流電源と第２インバータ部とを電気的に接続する第２正極バスバー３２および第２負極バスバー４２とを有する。第１負極バスバー４１と第２負極バスバー４２とは、それぞれの直流電源側の一端において互いに電気的に接続された負極バスバー接続点４３を有する。第１電流検出手段５１が、負極バスバー接続点よりも直流電源と反対側における第１負極バスバーに配設されている。第２電流検出手段５２が、負極バスバー接続点よりも直流電源と反対側における第２負極バスバーに配設されている。 （もっと読む）

【課題】過大なサージ電圧から負荷や電源の絶縁劣化を防ぐことができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】インバータ２と電動機４との間にＬＣ回路が存在する電動機駆動システムにおいて、インバータ２の出力電流が正極性のときは直流電源の高電位側端子に接続されているスイッチング素子をオンオフ動作させ、出力電流が負極性のときは直流電源の低電位側端子に接続されているスイッチング素子をオンオフ動作させるとともに、スイッチング素子をオン動作させる制御信号を第１のオン信号、第２のオン信号および第３のオン信号で構成し、スイッチング素子をオフ状態からオンオフ動作状態に移行させるとき、オフ状態後の第１のオン信号を所定の休止時間後に出力する。 （もっと読む）

【課題】複数の電力変換装置を一体化した一体型電力変換装置及びそれに用いられるＤＣＤＣコンバータ装置の小型化を図ることである。
【解決手段】本発明に係る一体型電力変換装置は、第１電力変換装置と第２電力変換装置を接続した一体型電力変換装置であって、前記第１電力変換装置は、電力を変換する第１パワー半導体モジュールと、冷却冷媒が流れる流路を形成する流路形成部と、前記第１パワー半導体モジュールと前記流路形成体を収納する第１ケースと、前記流路と繋がる入口配管と、前記流路と繋がる出口配管と、を備え、前記第２電力変換装置は、電力を変換する第２パワー半導体モジュールと、前記第２パワー半導体モジュールを収納する第２ケースと、前記流路形成体は、前記流路と繋がる開口部を有し、前記第２ケースは、当該第２ケースの一部が前記開口部を塞ぐように、前記流路形成体または前記第１ケースに固定される。 （もっと読む）

【課題】制御基板の固定方法を最適化してインバータ装置の更なる小型化を実現することが望まれる。
【解決手段】複数のスイッチング素子１４と電気的に接続されるバスバーモジュール２０を備え、制御基板４１が、バスバーモジュール２０を挟んで複数のスイッチング素子１４とは反対側に配置され、バスバーモジュール２０が、当該バスバーモジュール２０に設けられたモジュール固定部２７を介してインバータケース５に固定され、制御基板４１が、バスバーモジュール２０に設けられた基板固定部２６に固定されているインバータ装置。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のスイッチングによりコモンモードノイズが発生するのをより適正に抑制する。
【解決手段】スイッチング素子を含むカード状の素子部２２と、素子部２２から互いに対面した状態で延出するＰバスバ２６ｐおよびＮバスバ２６ｎと、を間に挟んで両側に配置され導体により形成された２つの冷却器３１，３２は、両バスバ２６ｐ，２６ｎの間に配置され導体により形成された板状の接続部３６によって接続されており、２つの冷却器３１，３２を接地し、両バスバ２６ｐ，２６ｎにおける素子部２２から接続部３６に対面する所定位置までのインダクタンスをそれぞれＬｐ，Ｌｎとし、両バスバ２６ｐ，２６ｎと接続部３６との間のキャパシタンスをそれぞれＣｐ，Ｃｎとしたときに、Ｌｎ・Ｃｎ−Ｌｐ・Ｃｐ＝０の関係式が成立するように両バスバ２６ｐ，２６ｎと接続部３６とを形成かつ配置する。 （もっと読む）