【課題】電源電圧を安定化して、高周波駆動に対応可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数のハイサイドトランジスタユニットｍｈは、各相ごとに設けられ、対応する相の出力端子ＯＵＴと上側電源ラインＬＰの間に、電気的に並列に、かつ制御端子が独立して設けられる。複数のハイサイドゲートドライブ回路１０Ｈ＿Ｕ１〜Ｕ３は、対応する複数のハイサイドトランジスタユニットｍｈｕ１〜３にゲートドライブ信号を出力する。複数のハイサイド電源回路１４Ｈ＿Ｕ１〜Ｕ３は、対応するハイサイドゲートドライブ回路１０Ｈ＿Ｕ１〜Ｕ３に電源電圧ＶＤＤＨ＿Ｕ１〜Ｕ３を供給する。下側アームについても同様に、複数のローサイドトランジスタユニットに分割される。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴのゲートドライブ回路に正負の電源を必要とせず、簡単な受動素子のみの回路で、ゲート電位に正極／負極電位を印加しＦＥＴの高速スイッチングドライブを可能とする。
【解決手段】電流路が導通する電位を超える電位１を、電流路の一端を基準電位として、制御端に容量素子を介して断続的に印加されるべく構成され、電位１が印加されたとき、電位１が前記定電圧素子１に対して、電流路が導通に要す定電圧素子１の有する降伏電圧１を発生すべく、かつ電位１が定電圧素子２に対して順方向に、電位１が印加された後、電位１が低下されたとき、電位１により容量素子に充電された電位２が電流路の一端を基準電位とし定電圧素子２に対して、電位１と逆極性の、定電圧素子２の有する降伏電圧２を発生すべく、かつ電位２が定電圧素子１に対して順方向に、定電圧素子１と定電圧素子２の直列接続回路を、制御端と電流路の一端との間に介在させた。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドにｎ型ＭＯＳＦＥＴを使用する昇降圧コンバータにおいて、より容易に昇圧モードを実現する。
【解決手段】昇降圧コンバータ１００は、降圧モードにおいて、ハイサイドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３４のオンオフにより、バッテリ電圧Ｖｂａｔよりも低い駆動電圧Ｖｄを生成する降圧部１０２と、昇圧モードにおいて、ローサイドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１２８のオンオフにより、バッテリ電圧Ｖｂａｔよりも高い駆動電圧Ｖｄを生成する昇圧部１０４と、昇圧モードにおいて、ローサイドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１２８のオンオフを利用してブートストラップキャパシタ１１４を充電する充電部１４２と、昇圧モードにおいて、充電されたブートストラップキャパシタ１１４の他端１１４ｂの電圧Ｖｂをハイサイドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３４のゲートに印加するハイサイドスイッチ駆動部１３８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ターンオフスイッチング時に発生するノイズとスイッチング損失のトレードオフ特性を改善する。
【解決手段】半導体素子をターンオフさせるとき、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧がコレクタ・エミッタ間に印加された直流電圧に達するまでは、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を大きくし、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧が直流電圧に達した後は、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を小さくする。 （もっと読む）

【課題】過電流から電源スイッチ回路を適切に保護する技術を提供する。
【解決手段】電源スイッチ保護回路は、電源スイッチ回路と、第１回路素子及び第２回路素子の両方がオン状態を示す場合に電源スイッチ回路をオン状態とし、第１回路素子及び第２回路素子の少なくとも一方がオフ状態を示す場合に電源スイッチ回路をオフ状態とする電源スイッチ制御回路と、電源スイッチ回路の出力側の短絡を検出し、短絡が検出されているか否かを示しかつ第１回路素子のオフ状態及びオン状態を切り換えるための短絡検出信号を出力する短絡検出回路と、所定時間内における短絡検出信号の状態変化に応じて、短絡が発生しているか否かを判定し、短絡が発生していると判定すると、第２回路素子がオフ状態を維持するように電源スイッチ制御回路を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を複数並列に接続して逆変換器等を構成した場合にも簡易かつ確実に電流アンバランスを解消することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】ゲート調整回路１２は、基準素子ユニット５０１における直流電流検出器５４１の直流電流の検出値Ｉｄ１および、基準素子ユニット５０１以外の素子ユニット５０２における直流電流検出器５４２の直流電流の検出値Ｉｄ２に基づいて、それぞれ時間γ１および時間γ２から時間差Δｔを電流アンバランス量として算出する。ゲート調整回路１２は、時間差Δｔを次の第１状態におけるターンオフのタイミングで、ゲート駆動回路５５２ｕの動作信号Ｓ２ｕに遅延時間として付加する。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電界効果トランジスタとＮ型電界効果トランジスタとが同時にオン状態になる期間内で発生する短絡電流に起因する消費電力の増大を抑制するともに、パワー素子を高速スイッチングさせることが可能なゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】このゲート駆動回路１１は、ＰｃｈＦＥＴ１２と、ＮｃｈＦＥＴ１３と、駆動信号が入力される入力側とＰｃｈＦＥＴ１２のゲート（Ｇ）およびＮｃｈＦＥＴ１３との間に設けられ、電源電位ＶＣＣに接続されているツェナーダイオード１４およびツェナーダイオード１５とを備え、ツェナーダイオード１４および１５は、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）に印加される電圧を、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）の閾値電圧側にシフトさせるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】上側のスイッチング素子の誤動作を抑制できる電力変換装置用の駆動回路を提供する。
【解決手段】第１回路１０は、直流電源Ｅ１の低電位端と高電位端との間で相互に直列に接続される第１素子１１及び第２素子１２を有し、第１素子１１は高電位端側に設けられ、第２素子１２は低電位端側に設けられる。第１素子１１及び第２素子１２は、その両方がスイッチである。第２回路２０は、第２素子１２の両端の電圧が所定値よりも大きいときにスイッチング素子Ｔｘ１を非導通とし、当該電圧が所定値よりも小さいときにスイッチング素子Ｔｘ１を導通させる。スイッチ素子３２は、第１素子１１と並列に接続され、スイッチング素子Ｔｘ１が非導通である状態で導通し、スイッチング素子Ｔｘ１が導通する状態で非導通する。 （もっと読む）

【課題】更なる信頼性向上を図れる電力変換装置及び電力変換システムを提供すること。
【解決手段】上記課題を解決するために、例えば、インバータ回路は、前記モータ制御回路からのＰＷＭ信号に基づき前記インバータ回路を構成する半導体スイッチング素子を駆動するゲートドライブ回路とサージ電圧検出信号を検出するサージ電圧検出回路を備え、サージ電圧検出回路により検出されたサージ電圧検出信号はモータ制御回路に入力され、サージ電圧検出信号を検出した際に前記電流指令生成部からの電流指令値と所定の電流指令値と対比することによりサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段の実施の可否を選択するような手段を設けるようにすればよい。 （もっと読む）

【課題】両極性ブートストラップ回路のキャパシタ充電を短絡電流が流れることがなく安全かつ確実に実施できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】各レグ２〜４を構成する上下の各アームのスイッチング素子ＳｕＨ、ＳｕＬ、・・・に対しオン／オフ駆動用の正負両極の電圧を印加するアーム駆動回路ＤＲｕＨ、ＤＲｕＬ、・・・を個別に設け、直流電源Ｖｇ１〜Ｖｇ３からの電力により正負の各電圧を充電する各キャパシタＣ１ｕ、Ｃ２ｕ、・・・を上下の各アームに設け、かつ各レグ２〜４に両極性ブートストラップ回路５〜７を配置し、キャパシタ充電制御を行う制御回路８は、多相交流電源１の各相の電圧の中で最も高い電圧が入力されているレグの上段アーム側のスイッチング素子と、最も低い電圧が入力されているレグの下段アーム側のスイッチング素子のみをオンする制御信号を各相の電圧変化に応じて繰り返し出力する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の増大を抑制しつつ、より高い周波数帯で発生するスイッチングノイズを抑制できるスイッチング素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】スルーレート調整部は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを介してＤＣモータに出力される電圧波形のスルーレートを変化させ、キャリア周波数によって決まる周波数帯よりも高い周波数帯域に現れるスイッチングノイズの周波数成分を分散させてピークレベルを低下させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の耐数年数をのばすと共に、駆動電圧を低下させることによるスイッチング素子の損失増加も改善させるインバータ装置およびそれを用いた誘導加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】交流電圧を直流電圧に変換するコンバータ回路３０と、スイッチング素子２４で構成され直流電圧を任意の電圧と周波数の電力に変換し、負荷に高周波電流を供給するインバータ回路３１と、インバータ回路３１のスイッチング素子２４にスイッチング信号を供給する駆動回路２５と、インバータ回路３１の出力電力を検知する電力検知手段２６とを備え、電力検知手段２６で検知した電力に応じて、インバータ回路３１のスイッチング素子２４に供給するスイッチング信号の駆動電圧を可変させる駆動電圧可変手段２７とを備えた構成とすることで、インバータの出力電力に応じて、スイッチング素子２４の駆動電圧を可変させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型素子を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間において、電圧駆動型素子のゲート電圧を柔軟に制御するための技術を提供する。
【解決手段】駆動装置１は、電圧駆動部３と電流駆動部４を備えている。電圧駆動型素子２を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間のうちの一部の区間では、電圧駆動部３を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が停止され、電流駆動部４を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が実行されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源で、電流検出回路を設けずに、負荷変動に伴う電圧上昇の抑制を可能とする。
【解決手段】スイッチング電源回路１４は、一次巻線と二次巻線とを有するトランス４１と、スイッチング信号を一次巻線に入力してトランス４１を駆動する一次側回路４０と、二次巻線に接続され、一次側回路４０とは電気的に絶縁されているゲートドライブ回路２０−ｎとを具備している。ゲートドライブ回路２０−ｎは、モータＥＣＵ１００からのＰＷＭ信号によって駆動されるゲート駆動回路２１−ｎと、ゲートドライブ回路２０−ｎに流れる電流を増大させるブリーダ抵抗Ｒ２０−ｎとを有し、モータＥＣＵ１００からのＰＷＭ信号を検出した場合に、ブリーダ抵抗Ｒ２０−ｎに流れる電流値を減少させる。 （もっと読む）

【課題】電圧制御型スイッチング素子のスイッチング時に、サージ電圧・サージ電流及びスイッチングノイズを抑制しながら、誤動作の発生を抑制することができる電圧制御型スイッチング素子のゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】電圧制御型スイッチング素子２のゲートにゲート電圧を供給して当該電圧制御型スイッチング素子２を駆動するゲート駆動回路であって、直列に接続された高電位側スイッチング素子Ｍ１及び低電位側スイッチング素子Ｍ２と、前記高電位側スイッチング素子Ｍ１と高電位電源との間及び前記低電位側スイッチング素子Ｍ２と低電位電源との間の少なくとも一方に介挿された第１の可変抵抗ＶＲ１１，ＶＲ１２と、前記第１の可変抵抗ＶＲ１１，ＶＲ１２の抵抗値を調整する制御回路４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路とそれを構成するスイッチ素子を駆動・制御する駆動・制御回路において、追加回路規模が少なく、所望の負電位を動的に印加できる駆動・制御回路、また、インバータ回路における短絡電流を削減し、損失の少ない電力変換回路を提供する。
【解決手段】半導体装置において、第１，第２スイッチ素子（下側アームのスイッチ素子ＬＳＷ，同様の上側アームのスイッチ素子）を有するインバータ回路と駆動回路（Ｌ側ゲート駆動回路ＬＧＤ，同様のＨ側ゲート駆動回路）と制御回路とを有し、駆動回路は、スイッチ素子のゲート電極をソース電位に駆動する回路と、スイッチ素子のゲート電極を負電位に駆動する回路とを有し、負電位に駆動する回路の出力ノードとスイッチ素子との間に直列にコンデンサが接続され、制御回路は、スイッチ素子がオフ状態からオン状態になる直前のスイッチ素子のゲート電極の電圧をソース電位と同じであるように制御する。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型半導体素子を駆動する半導体集積回路内において、貫通電流の発生を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路は、制御信号Ｖ_inを遅延させて得られる遅延信号を、ＰＭＯＳ１及びＮＭＯＳ２のゲート端子に出力する遅延回路１９を備える。ＮＭＯＳ４が、第２出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₂）は、ＰＭＯＳ１が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₂）よりも遅くなく、かつ、ＰＭＯＳ３が、第１出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₇）は、ＮＭＯＳ２が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₇）よりも遅くない。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型半導体スイッチ素子のターンオフ時の遅延時間短縮、遮断電流のｄｉ／ｄｔによるサージ電圧を抑制することができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子のゲート端子とゲート補助端子間にオン用ゲート電源とオン用スイッチとオン用ゲート抵抗の直列体よりなるオン回路を接続し、半導体スイッチ素子のゲートとゲート補助端子間に第１のオフ用ゲート抵抗とオフ用スイッチとターンオフ用電源を直列に接続し第１のオフゲート抵抗と並列にコンデンサと第２のオフ用ゲート抵抗の直列体を接続したオフ回路を備えてなる。第１のオフ用ゲート抵抗より第２のオフ用ゲート抵抗の抵抗値が小さく、コンデンサと第２オフ用ゲート抵抗で構成するＣＲ回路の時定数が絶縁ゲート型半導体スイッチ素子のターンオフ遅れ時間と同等である。 （もっと読む）

【課題】信号遅延が小さく高速化可能なレベルシフト回路、制御回路及びＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、差動電流生成回路と電流減算回路とを備えたレベルシフト回路が提供される。前記差動電流生成回路は、第１の高電位端子と第１の低電位端子との間に接続され、入力される制御信号に応じて、規定値または前記規定値よりも大きい電流値に変化する電流と前記規定値よりも大きい電流値または前記規定値に変化する電流とを一対の差動電流として生成する。前記電流減算回路は、第２の高電位端子と第２の低電位端子との間に接続され、前記一対の差動電流を受けて、前記一対の差動電流の差に等しい電流を生成する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で高速動作可能なレベルシフト回路、制御回路及びＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電流生成回路と、電流スイッチ回路と、保護回路と、を備えたレベルシフト回路が提供される。前記電流生成回路は、第１の高電位端子と第１の低電位端子との間に接続され、第１の電流を生成して第１の出力線に出力する。前記電流スイッチ回路は、第２の高電位端子と第２の低電位端子との間に接続され、前記電流生成回路よりも大きい電流供給能力で前記第１の電流を受け、入力信号に応じて前記第１の電流を流しまたは前記第１の電流を遮断する。前記保護回路は、前記電流生成回路と前記電流スイッチ回路との間において前記第１の出力線に接続され、前記第１の出力線の電位を前記第１の低電位端子の電位以上で前記第１の高電位端子の電位以下に制限して前記電流生成回路を過電圧から保護する。 （もっと読む）