【課題】 半導体スイッチング素子のコレクタ電流の立ち上がりおよび立下り時における電流変化の傾きを変化できないため、ノイズ発生およびスイッチング損失を最適に設定できない。
【解決手段】 半導体スイッチング素子と、入力信号に基づきこの半導体スイッチング素子の駆動制御を行う駆動制御手段(9)とからなる半導体装置において、前記駆動制御手段(9)に、駆動能力の異なる複数個の駆動デバイス(T1〜T6)を備え、その駆動デバイスの中からいずれか１つ、もしくは複数個を選択して用いることにより、半導体スイッチング素子の動作特性を補正する特性補正手段(10)を備える。 （もっと読む）

【課題】 通過経路の伝送損失を低減する。
【解決手段】 内部送受信アンテナ端子２４、内部受信アンテナ端子２１、外部アンテナ端子２７、第１の受信端子２５、第２の受信端子２３、および送受信端子２８を有する。また、内部受信アンテナ端子２１と第１の受信端子２５との間のＦＥＴスイッチ１、内部受信アンテナ端子２１と第２の受信端子２３との間のＦＥＴスイッチ２、第１の受信端子２５と外部アンテナ端子２７との間のＦＥＴスイッチ３、第２の受信端子２３と外部アンテナ端子２７との間のＦＥＴスイッチ４、内部送受信アンテナ端子２４と第２の受信端子２８との間のＦＥＴスイッチ５、外部アンテナ端子２７と送受信端子２８との間のＦＥＴスイッチ６、内部送受信アンテナ端子２４と送受信端子２８との間のＦＥＴスイッチ７を備える。そのＦＥＴスイッチ１〜７の導通／非導通を制御するデコーダ５１を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＰＷＭ駆動のＨブリッジ回路を採用してモータ駆動電流を精度良く検出し、直流モータを効率よく正転、逆転制御すると共にモータ駆動電圧を大きく設計することができる直流モータの電流制御回路およびこの回路を具備する直流モータを提供する。
【解決手段】 シャント抵抗ＲＳを用いてモータ電流を検出するパルス幅変調（ＰＷＭ）駆動方式のＨブリッジ回路を用いた直流モータの電流制御回路において、シャント抵抗ＲＳの両端を分圧回路より成る２個のアッテネータ２１ａ、２１ｂのそれぞれの一端に接続し、アッテネータ２１ａ、２１ｂの他端とシャント抵抗ＲＳの何れか一方の側との間にアッテネータ駆動回路を接続し、アッテネータ駆動回路の予め設定した倍率で増幅してアッテネータ出力を生成し、２個のアッテネータの分圧回路それぞれの中点ａ、ｂの電圧を差動増幅器２３で増幅してモータ電流ＩＭを検出する直流モータの電流制御回路。 （もっと読む）

【課題】 送信用高周波増幅器と高周波スイッチ回路を集積化した高周波集積回路において回路簡素化、半導体チップ面積の低減及びアイソレーション特性を向上させた高周波集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 送信用高周波増幅器１から高周波スイッチ回路２へ、増幅された高周波信号と同一伝搬線路を介してプルアップ電位を給電して、高周波スイッチ回路２のＦＥＴスイッチ回路をプルアップする。 （もっと読む）

【課題】 パワーダウン時のパワーダウンリセット信号のタイミング制御を容易にし、繰り返し電源をオン／オフした時の起動不良を防ぐことを課題とする。
【解決手段】 リセット回路は、電源検出回路とパワーダウン検出回路と出力回路とを有する。電源検出回路は、パワーオン及びパワーダウン時に電源電圧（ＶＤＤ）に応じた第１の電圧が第１のしきい値より大きいと第１の信号を出力し、低いと第２の信号を出力する。パワーダウン検出回路は、パワーダウン時に第２の信号が出力された後、電源電圧（ＶＤＤ）に応じた第２の電圧が第２のしきい値より小さくなると第３の信号を出力する。出力回路は、パワーオン時に第１の信号が出力されるとローレベルからハイレベルに変化するパワーオンリセット信号（ＰＯＲ）を出力し、パワーダウン時に第３の信号が出力されるとハイレベルからローレベルに変化するパワーダウンリセット信号（ＰＯＲ）を出力する。 （もっと読む）

ディスクドライブ・システムのボイスコイルモーター（２２）の位置決めドライバ（３２）が開示される。パルス幅変調される前段ドライバ（４６）が、ボイスコイルモーター（２２）を駆動するため「Ｈ」ブリッジに配置されるパワー・トランジスタ（５０ＰＨ、５０ＮＨ、５０ＰＬ、５０ＮＬ）に結合され、電力供給電圧（Ｖ_Ｍ）でバイアスがかけられる。パルス幅変調される前段ドライバ（４６）は、エラー増幅器（３６）からのエラー信号とランプ・クロック生成器（４８）で生成されるランプ・クロック信号（ＲＭＰ）との比較に従ってパワー・トランジスタ（５０ＰＨ、５０ＮＨ、５０ＰＬ、５０ＮＬ）を駆動する。ランプ・クロック生成器（４８）は、電力供給電圧（Ｖ_Ｍ）の変動に応答してランプ・クロック信号（ＲＭＰ）の高及び低限界を変調する制御回路を含む。高及び低限界のこの変調が、電力供給電圧（Ｖ_Ｍ）の変動に起因するパワー・トランジスタ（５０）の利得の変動を補償する。制御回路は、例えば、一定の周波数を維持するため、電力供給電圧（Ｖ_Ｍ）の変動に従ってランプ・クロック信号（ＲＭＰ）の勾配も変調し得る。
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データ保持モードのために回路をパワー・ダウンする方法は、電源電圧ノードを能動状態の電源電圧レベルから非能動状態の電源レベルに変更する工程と、Ｐチャネル・デバイスのソースを電源電圧ノードに接続する工程と、Ｐチャネル・デバイスのバック・ゲートに保持用電源電圧レベルを供給する工程と、Ｐチャネル・デバイスのドレイン電圧を保持用電源電圧レベルとは異なる基準電圧レベルに変更する工程と、Ｐチャネル・デバイスのゲート電圧を基準電圧レベルに変更する工程とを含む。
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小型でかつ広帯域な特性を持つ移相回路を提供するもので、スルーとキャパシタンスの容量とを切り替える第１のスイッチング素子と、スルーとグランドに対するキャパシタンス
の容量とを切り替える第２のスイッチング素子と、インダクタンスをもつ第１および第２のインダクタとを備え、第１と第２のスイッチング素子の一端同士を第１のインダクタで接続し、第１と第２のスイッチング素子の他端同士を第２のインダクタで接続し、第１のスイッチング素子の一端を高周波信号入力端子に接続し、第１のスイッチング素子の他端を高周波信号出力端子に接続して、定の条件をを満たす移相器を構成する。 （もっと読む）

【課題】低静電流及び高スイッチング速度を有するオンチップのロジックデコーダを備えたＲＦスイッチを提供する。
【解決手段】ＲＦスイッチのデコーダロジックは第１及び第２エンハンスメント型トランジスタとデプレション型トランジスタとを含む。デプレション型トランジスタ及び第１エンハンスメント型トランジスタのソースはＶＤＤ供給端に接続する。デプレション型トランジスタのゲートのドレイン及びゲートは第１エンハンスメント型トランジスタのゲートに接続する。第２エンハンスメント型トランジスタは接地端及びデプレション型トランジスタのドレインに接続する。活性状態では、デプレション型トランジスタは高電圧を第１エンハンスメント型トランジスタのゲートに供給してオンにして、ＲＦスイッチをＶＤＤ供給端に接続する。 （もっと読む）

不揮発性メモリなどの装置のための高電圧駆動回路。ここでは、低電圧ドライバが２つの異なる態様で高電圧ドライバと組み合わせられる。１つには、入力非依存型の実施例があり、低電圧ドライバ（Ｑ７，Ｑ８）が、高電圧ドライバと直接並列に接続され、これにより、高電圧動作のために高電圧信号パスを提供し、低電圧動作のために低電圧信号パスを提供する。代替の部分的入力依存型実施例では、低電圧ドライバが高電圧ドライバ（Ｑ９，Ｑ１０）の出力に接続され、これが部分的レベルシフタ（Ｑ１，Ｑ６）を有することができる。この低電圧ドライバ（Ｑ９，Ｑ１０）の出力は、全体のステージの出力端子を形成し、部分的レベルシフタ（Ｑ１，Ｑ６）が正又は負のレベルシフトの高電圧ドライバであるかどうかに基づいて、プルアップ／プルダウントランジスタ（Ｑ１１）を有する。

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高電圧システムに共通する、高電源リプルにおいて有用である静電結合を用いた高電圧ドライバである。それは、デューティサイクルの最大範囲を許容するが、変圧器の磁気の制限はなく、または、光学式の結合方法における複雑さの増加もない。それはまた、出力駆動ラインにアークする高電圧によって作成される過渡電圧においても、強固である。本発明はまた、特に例示的ディスプレイの応用における使用のために、低コストでの静電結合の使用を再構築するが、静電結合に特有の制限はない。
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本発明は、受信器（特にクロック受信器回路デバイス（１））を有する半導体素子、および、受信器（特にクロック受信器回路デバイス（１））に関する。上記受信器回路デバイスは、半導体素子の第１端子（３ａ）に接続されるように構成された第１入力部（９ａ）と、半導体素子の第２端子（３ｂ）に接続されるように構成された第２入力部（８ａ）とを備えており、複数の、特に４つ以上のトランスファーゲート（４、５、６、７）を備えていることを特徴とする。
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オン状態低電流検出器は、メインセル（３２）およびセンスセル（３４）を有するトランジスタを使用する。フィードバック回路（３６）は、メインセルの目標電圧値を生成するレベルを負荷電流が下回るときにメインセル（３２）両端間の電圧をほぼ一定の目標値に維持するように作用する。目標電圧値は、低電流検出比較器（１８）の電圧を容易に測定できるように十分に高い。
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【課題】 クロストークノイズを安定して減少させることができ、クロストークノイズに起因する回路誤動作を確実に防止できるノイズ低減回路を提供する。
【解決手段】 電源側に並列に接続された第一及び第二のトランジスタと、前記第二のトランジスタの出力側に直列接続された抵抗手段とを設け、前記抵抗手段の出力側と前記第一のトランジスタの出力側とを出力ノードで接続し、前記出力ノードから出力される出力電圧の変化が段階的になるように前記第一及び第二のトランジスタのオン／オフ動作タイミングを制御する制御回路を備えた。 （もっと読む）