【課題】トランジスタを用いたスイッチ回路を有するデジタル回路において、電源電圧、入力信号の振幅、トランジスタのしきい値電圧の関係に応じて適切に入力信号を補正し、好適な回路動作を可能とする。
【解決手段】電源電位（ＶＤＤ、ＶＳＳ）が供給される第１のトランジスタ（３２、３３）を有するスイッチ回路（３１）と、入力信号が印加される入力端（ＩＮ）と第１のトランジスタの制御端子（ゲート）との間に接続された補正回路（３４、３６）とを有し、前記制御端子と入力端との間に接続された容量（Ｃ２、Ｃ３）と、該容量と前記制御端子との間のノード（Ｎ５、Ｎ６）と電源電位との間に設けられた、第１のトランジスタと概ね同じしきい値を有するダイオード接続された第２のトランジスタ（３５、３７）と、第２のトランジスタに直列に接続されたスイッチ（ＳＷ２、ＳＷ３）とを有するデジタル回路（３０）を提供する。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサとクロック分割回路との間における相互の電源ノイズの影響を低減する。
【解決手段】外部クロック信号ＣＫに基づいて内部クロック信号ＬＣＬＫ１を生成するＤＬＬ回路１００と、内部クロック信号ＬＣＬＫ１に基づいて、互いに位相の異なる内部クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂを生成するクロック分割回路２００と、内部データ信号ＣＤ，ＣＥに基づいて、クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂにそれぞれ同期した内部データ信号ＤＱＰ，ＤＱＮを出力するマルチプレクサ３００とを備える。クロック分割回路２００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ２とマルチプレクサ３００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ３は、互いに異なる電源回路８２，８３によって生成され、且つ、該半導体装置内で分離されている。これにより、相互にノイズの影響を及ぼし合うことがなくなる。 （もっと読む）

【課題】 パワーオンまたはパワーダウンを検出するリセット回路を誤動作することなく動作させ、パワーオン時にリセット信号を正常に出力する。
【解決手段】 電源検出回路は、電源電圧が第１電圧を超えたときにパワーオン状態を示すパワーオン信号を活性化するとともに、初期化信号の活性化中に初期化される。スタータ回路は、電源電圧線と接地線の間に直列に配置された抵抗素子、遮断スイッチおよびキャパシタを有し、抵抗素子と遮断スイッチとを接続する第１接続ノードから初期化信号を出力する。遮断スイッチは、パワーオン信号の活性化中にオフする。このため、パワーオン状態中に、抵抗素子を介してキャパシタが充電されることを防止できる。この結果、キャパシタのＴＤＤＢの劣化を確実に防止でき、リセット回路を搭載する半導体装置およびシステムの誤動作を防止できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンピュータとＣＰＵを安全かつ確実にリセットして正常起動させる。
【解決手段】第１制御回路４１は第２電圧が動作電圧に達したときにリセット信号が入力されていれば初期化後に起動し、レギュレータＩＣ２０は第１電圧をレギュレートして生成した第２電圧を第１制御回路４１に供給し、第２制御回路４２は第３電圧が動作電圧に達したときにリセット信号が入力されていれば初期化後に起動し、レギュレータＩＣ３０は、第３電圧をレギュレートして生成した第４電圧を第２制御回路４２に供給する機器において、リセット回路１００は、第１電圧が第５電圧を超えて１５０ｍｓが経過するまでリセット信号の出力を継続させ、第１電圧が第５電圧を超えてから１５０ｍｓが経過するとリセット信号の出力を停止する。（第１電圧≧第２電圧、第３電圧≧第４電圧、第１電圧＞第３電圧、第５電圧＞第２電圧） （もっと読む）

【課題】外乱ノイズが侵入した場合でも、通信線の信号レベルの変動をより確実に防止できる通信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】通信ドライバ部１１は、信号バス１７にノイズが印加されると、信号レベル変化阻止回路１４が、出力段がオープンコレクタタイプで構成される反転増幅回路１３の出力信号がローレベル側に変化することを阻止するように動作する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗の温度特性に追随して高精度で電流レベル判定を行う。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１に一体に感温素子４が設けられ、ドレイン／ソース間電圧Ｖｄｓと温度検出信号Ｖｆを検出する。電圧Ｖｄｓは電圧検出部６に入力され、感温素子４の電圧Ｖｆは第１および第２の補正回路８、９に入力される。ＭＯＳＦＥＴ１のオン抵抗Ｒｏｎの温度特性を第１および第２の温度領域のそれぞれに対応した近似直線で近似し、傾きを変えるように補正回路８、９で演算処理する。予め設定された判定電流値をＲｏｎの温度特性を考慮して判定電圧生成部１１で判定電流に相当する判定電圧Ｖｄｓｒｅｆを生成する。これにより、比較器１３で判定電流以上の電流がＭＯＳＦＥＴ１に流れたか否かを精度よく判定できる。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチとして用いられるＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴのターンオフ動作に際し、簡単な構成でオフ時間Ｔｏｆｆと立下り時間Ｔｆの最適化が可能な負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源３と負荷１との間に接続されたハイサイドスイッチとしてパワーＭＯＳＦＥＴ２を用いた負荷駆動回路１０であって、パワーＭＯＳＦＥＴ のゲート電圧Ｖｇと電源３の電源電圧Ｖｐとを比較する比較回路１１と、パワーＭＯＳＦＥＴ２のターンオフ動作においてパワーＭＯＳＦＥＴ２のゲート端子から電荷を放電させる遮断回路１２とを具備し、遮断回路１２によってパワーＭＯＳＦＥＴ２のゲート端子から電荷を放電させる放電速度は、ゲート電圧Ｖｇが電源電圧Ｖｐより高い場合の放電速度よりも、ゲート電圧Ｖｇが電源電圧Ｖｐより低い場合の放電速度が遅くなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】通信周波数を微小変動させる技術よりも、ノイズレベルの低減を更に図ることができるＰＷＭ制御のデューティ決定方法を提供する。
【解決手段】制御ＩＣ６３が、駆動回路に出力するＰＷＭ信号のデューティを、指令値を中心に、所定期間内における平均が前記指令値に一致するように微小変動させる場合、ＰＣ６８のデータベース６９に、実際にＰＷＭ信号を駆動回路に与えることで発生したノイズ成分のレベル測定結果を反映したデータを、そのデューティの変動態様と共に記憶する。そして、データベース６９に記憶されているデータを参照し、与えられた動作環境や動作条件等に応じて抑圧対象となる周波数帯のノイズレベルを低減するように、制御ＩＣ６３によるＰＷＭデューティの変動態様を決定する。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の少ない回路によって２線式電子スイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態を的確に検出できる外部アダプターを提供する。
【解決手段】 外部アダプター１１は、電子スイッチ１に接続される２つの入力端子１２，１３を備える。分圧抵抗器Ｒ１，Ｒ２は入力電圧を分圧し、分圧抵抗器Ｒ２の両端電圧に基づいて、フォトカプラー１４が電子スイッチ１のＯＮ／ＯＦＦ状態を検出する。インピーダンス調整回路１９は、入力端子１２，１３間に介装された調整抵抗器Ｒ３、フォトカプラー１４の出力に応答して調整抵抗器Ｒ３への通電／遮断を切り替えるトランジスタＱ１およびフォトＭＯＳリレー１８を備え、アダプター１１の入力インピーダンスを電子スイッチ１の接点導通状態で相対的に高く、接点非導通状態で相対的に低く調整する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用抵抗１２１ｂの端子間電圧に基づいてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに電流が流れているとき、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】保護回路を内蔵した半導体スイッチ及び充電回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、スイッチ素子と駆動回路と保護回路と制御回路とを備えた半導体スイッチが提供される。スイッチ素子は、電源線と出力線との間に接続される。駆動回路は、入力信号に応じて前記スイッチ素子をオンまたはオフに駆動する。保護回路は、前記スイッチ素子の過電流を検出したとき前記スイッチ素子の電流を上限値に制限するクランプモードと、前記スイッチ素子を交互にオンとオフとに切り替えるスイッチングモードと、を有する。制御回路は、前記スイッチ素子がオンしたとき前記保護回路を前記クランプモードに制御し、前記スイッチ素子がオンしてから規定時間経過後に前記出力線の短絡を検出したとき、または前記出力線の短絡を検出せずに前記出力線の電圧が規定値に達したとき前記保護回路をスイッチングモードに制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路（22，23）の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU（24）で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 （もっと読む）

【課題】負荷に供給する電流を精度よく出力する。
【解決手段】ゲート電極とドレイン電極が短絡されている第１トランジスタＴｒ１と、第１トランジスタＴｒ１のゲート電極に、ゲート電極が接続された第２トランジスタＴｒ２と、を備えるカレントミラー回路１０において、第１トランジスタＴｒ１と第２トランジスタＴｒ２は、絶縁膜１２を介してゲート電極１の上部に設けられてチャネル領域が形成される半導体膜２と、半導体膜２上のチャネル領域を覆う領域に設けられる保護膜３と、半導体膜２のチャネル領域を挟む一対の端部に離間して設けられるとともに保護膜３の一部に重なって設けられソース電極６及びドレイン電極７とをそれぞれ有するとともに、少なくとも第２トランジスタＴｒ２は、ソース電極６の保護膜３に対するチャネル長方向への重なり長がドレイン電極７の保護膜３に対する重なり長より長い構造を有する。 （もっと読む）

【課題】所定の電流値以上の電流が流れることを検出すると、電源から遮断する過電流保護回路の偶発的な故障に起因して、所定の電流値以上の電流を継続して出力装置に流れるのを未然に防止することが可能な過電流保護装置を提供する。
【解決手段】この過電流保護装置５は、レーザ出力装置４に供給する電流値を監視するとともに過電流が流れた際に電流を遮断する過電流保護回路５ａと、過電流保護回路５ａが正常に動作するか否かを確認するトランジスタ３２（ＴＲ２）、抵抗３３（Ｒ４）、接点ＲＹ１−３、接点ＲＹ１−２、電源２３、接点ＲＹ１−１、および、フォトカプラ３４（ＰＨＣ１）とを設ける。 （もっと読む）

【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部１１が、短絡や過電流が発生したと判断して半導体遮断器１２が電流を遮断するとき、スイッチＳ_３，Ｓ_４の電気的接続状態をオン状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を低い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１よりもやや高いレベルまで短時間で一気に減少させる。次に、スイッチＳ_１，Ｓ_３の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２よりもやや低いレベルまで緩やかに減少させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）

【課題】デッドタイム補償前のＰＷＭゲート指令とデッドタイム補償後の相電圧出力との誤差（位相差）を低減することで遅延誤差ＴＤＬＹを短縮する。
【解決手段】デッドタイム補償部３０は、ＰＷＭゲート指令Ｇａｔｅ＿ＵとＰＷＭ出力Ｖｃｅ＿Ｕとの位相差に応じて求めるデッドタイム補償分Ｖｃｍｐ＿ＵでＰＷＭ電圧指令Ｖｃｍｄ＿Ｕの電圧値を増減し、この補償後のＰＷＭ電圧指令Ｖｃｍｄ＿Ｕ’をＰＷＭ波形発生部２０でＰＷＭゲート指令に変換することで、デッドタイム補償前のＰＷＭゲート指令とデッドタイム補償後の相電圧出力との誤差（位相差）を低減する。 （もっと読む）

【課題】複数の負荷の駆動状態に応じて、スイッチング損失の低減とノイズの抑制とを図ることができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】複数の負荷２Ａ〜２Ｄについて個別に設けられ、半導体スイッチング素子５，６により前記負荷をスイッチング駆動する複数の負荷駆動手段３Ａ〜３Ｄで、台形波傾き制御プリドライバ７が、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５，６のゲートに対してそれぞれ台形波状のパルス信号を出力する場合に、台形波の立上り及び立下りの傾きを変更可能に構成し、４チャネル駆動の場合は傾きを大きく、１チャネル駆動の場合は台形波の傾きを小さくする。 （もっと読む）