【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単に形成でき信頼性の高い貫通電極を有するパッケージの製造方法、このパッケージの製造方法により製造された圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板２を厚さ方向に貫通する貫通電極形成工程を備え、貫通電極形成工程は、１個の圧電振動子１（パッケージ）に含まれる全ての貫通電極３２，３３となる複数の芯材部７と、複数の芯材部７を連結する接続部とを備えた導電部材を形成する導電部材形成工程と、ベース基板２に複数の貫通孔３０，３１（凹部）を形成する凹部形成工程と、複数の芯材部７をそれぞれ複数の貫通孔３０，３１に挿入する芯材部挿入工程と、貫通孔３０，３１の内面と芯材部７の外面との間隙を封止する封止工程と、ベース基板２の第１面Ｕ側および第２面Ｌ側を研磨して第１面Ｕ側および第２面Ｌ側から芯材部７を露出させる研磨工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定の共振周波数を確保しつつ、小型化を図ること。
【解決手段】長手方向Ｙに延在するとともに幅方向Ｘに並んで配置された第１振動腕部４および第２振動腕部５と、これらの両振動腕部４、５の基端側を連結する基部６と、を備え、第１振動腕部４の先端部４ｃには、幅方向Ｘの内側に張り出す第１内張出部１１、および外側に張り出す第１外張出部１２が形成され、第２振動腕部５の先端部５ｃには、幅方向Ｘの内側に張り出す第２内張出部１３、および外側に張り出す第２外張出部１４が形成され、第１振動腕部４において第２内張出部１３と幅方向Ｘに対向する部分には、第１内張出部１１の張出端縁１１ｂよりも幅方向Ｘの外側に窪んだ第１逃げ部１５が設けられ、第２振動腕部５において第１内張出部１１と幅方向Ｘに対向する部分には、第２内張出部１３の張出端縁１３ｂよりも幅方向Ｘの外側に窪んだ第２逃げ部１６が設けられた圧電振動片２を提供する。 （もっと読む）

【課題】外部の実装基板の発熱による外部接続用電極端子から圧電振動素子と集積回路素子への熱到達時間の差を小さくし圧電振動素子の温度特性の温度補償を集積回路素子で正確に行うことができる圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電発振器は、基板部１１１の他方の主面に設けられた集積回路素子搭載パッド１１８に接続されている配線パターンのうち、ビアホール導体１１９を介して外部接続用電極端子と接続されている配線パターン１１４の幅が、他の配線パターンの幅に比べて大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内の良好な真空度を確保できるパッケージの製造方法、このパッケージの製造方法により製造された圧電振動子、この圧電振動子を有する発振器、電子機器、および電波時計を提供する。
【解決手段】リッド基板用ウエハ５０（第１基板）の内面に形成された接合膜３５（接合材）と、ベース基板用ウエハ４０（第２基板）の内面とを陽極接合して圧電振動子（パッケージ）を製造する圧電振動子の製造方法であって、リッド基板用ウエハ５０の外面に第１ヒータ７１を当接させ、ベース基板用ウエハ４０の外面に第２ヒータ７２を当接させて加熱する予備加熱工程Ｓ６０と、接合膜３５を陽極とし、ベース基板用ウエハ４０を陰極として陽極接合する陽極接合工程Ｓ７０と、を有し、予備加熱工程Ｓ６０は、スペーサ７５を配置し、スペーサ７５を介してリッド基板用ウエハ５０およびベース基板用ウエハ４０を重ねた状態で行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マウントに起因する応力（歪）を低減した小型の表面実装型厚み滑り圧電振動子を得る。
【解決手段】圧電振動素子４は、振動領域を備えた四角形の圧電基板５と、圧電基板５の前記振動領域の表裏両面に夫々成膜された励振電極１５ａ、１５ｂと、圧電基板５の一つの角隅部に中間部７を連接一体化されてこの中間部から圧電基板５の２つの端縁と離間しつつ並行に延びる２本の支持腕９ａ、９ｂを備えたＬ字状の支持部９と、各励振電極１５ａ、１５ｂから支持腕９ａ、９ｂに沿って夫々延びるリード電極１７ａ、１７ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動片の小形化を実現しながら耐衝撃性能と電気的特性の優れた表面実装型圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】 圧電振動片２とベース４と蓋５とを有してなる表面実装型圧電振動デバイスであって、前記ベースの収納部には前記圧電振動片の一端辺２１が搭載される電極パッド５１を有する保持台４２と当該圧電振動片の他端辺２２が配置される補助保持台４３とを具備し、前記電極パッドの上面には前記圧電振動片の一端辺の外周近傍に設けられた堤部５１１と、前記圧電振動片の保持台側の主面と接触する凸部５１２とを具備してなり、高さが補助保持台＞堤部＞凸部として構成され、前記圧電振動片の保持台側の導電性樹脂接着剤Ｄのみにより前記圧電振動片と保持台の電極パッドとが接合され、当該電極パッドから補助保持台にかけて圧電振動片の他端辺がベース開口部に次第に近接した状態で保持した。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】振動子を安定的に作製することができる振動子の作製方法、振動子および発振器を提供する。
【解決手段】振動子を作製するとき、基板と振動板を接合し、前記基板に接合された前記振動板の表面を研摩し、研摩された前記振動板の表面に電極を形成し、前記振動板が接合した面と反対側の面のうち、形成された前記電極に対応する前記基板の領域を選択的にエッチングする処理を含む。作製された振動子は、一方の面内に凹部が設けられた基板と、前記基板の前記凹部の設けられた面と反対側の面上に、前記凹部に対応する領域に接合された振動板と、前記振動板上に設けられた電極とを備える。前記基板の前記凹部の底の領域は導体化されることにより、前記電極に対向する対向電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲におけるＳＡＷデバイスの優れた周波数温度特性を維持しつつ、リフロー実装時の高温や使用時又は環境の温度変化による周波数シフトを抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有する。オイラー角ψが４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°のとき、ＩＤＴの電極指膜厚Ｈは、０．０５５μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍ、好ましくは０．０８０μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍの範囲内に設定する。オイラー角ψが｜ψ｜≠９０°×ｎ、（ｎ＝０，１，２，３）のとき、電極指膜厚Ｈは０．０５μｍ≦Ｈ≦０．２０μｍに設定する。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子、水晶ユニットとそれらの製造方法、及び水晶発振器と携帯機器を提供する。
【解決手段】水晶音叉基部３５４ａと第１水晶音叉腕３５２ａと第２水晶音叉腕３５３ａを備えて構成される音叉型屈曲水晶振動子３５１ａで、第１水晶音叉腕の内側側面は第２水晶音叉腕の内側側面に対向し、第１側面と、第２側面３５５ｅ，３５６ｅを介して第１側面に接続された第３側面３５５ａ，３５６ａを備えた溝が、第１、第２水晶音叉腕の各主面に形成され、該溝は、音叉腕長さ方向で第４側面に対向する第５側面を備え、第１側面の他端部は第５側面の一端部に接続され、第３側面の他端部は第４側面の一端部に接続され、該溝の外側端部から水晶音叉腕の外側端部までの該溝の幅方向距離を部分幅で定義すると、該溝の溝幅はその部分幅より大きく、所定の関係にて、該溝の長さ寸法と、音叉型屈曲水晶振動子の全長寸法が決定されている。 （もっと読む）

【課題】十分、気密封止・電気的導通が維持され、かつ小型化・薄型化された水晶発振器を極めて高い生産性で得るようにする。
【解決手段】方形状の水晶からなる水晶振動子２０と、該水晶振動子２０の上側主面に金属膜２６，３４を介在して積層接合され、かつ、水晶振動子２０の上側主面に対向する面にＬＳＩを搭載したＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子と同一外形寸法のＬＳＩ搭載カバー３０と、前記水晶振動子２０の下側主面に金属膜２７，４４を介在して積層接合され、かつ、前記水晶振動子２０の下側主面に対向して形成された凹所４１を有するＳｉまたは水晶からなる前記水晶振動子２０と同一外形寸法のベース４０と、からなり、前記水晶振動子２０、前記ＬＳＩ搭載カバー３０及び前記ベース４０とが、それぞれに設けた電極により電気的に接続されている水晶発振器及び前記水晶発振器をウェハレベルで製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるディスクリート型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための弾性表面波フィルタは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、
【数３５】


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが
【数３６】


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイスは、パッケージ１２の底面に設けた接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の基端５０側とを接合させて、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載したものである。このとき、ＳＡＷ素子片４０は、接着剤２８が接合されている基端５０側に比べて先端５２を上方に傾けて、パッケージ１２に搭載されている。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止でき、またＳＡＷ素子片４０に応力が加わるのを防ぐことができるので、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えることができ、周波数精度の高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＥＭＩノイズの悪影響を低減することができる。
【解決手段】 圧電振動素子と、集積回路素子と、絶縁性のベース２と、蓋３とを有する表面実装型圧電発振器１の搭載構造であって、前記ベースの一主面の端部に複数の外部端子電極と、この間に圧電振動素子測定端子が形成され、外部回路基板の一主面には、前記外部端子電極が接続される配線パッドと配線が形成された導電領域５５と、これらが形成されていない他領域５６とを有しており、前記回路基板の配線パッドと前記ベースの外部端子電極を接合した際に、前記圧電振動素子測定端子が対向配置される他領域では、表面の絶縁層の下にグランド電極に接続される導電層５６２が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】二端子対ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂと、ＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有する二端子対ＳＡＷ共振子１０Ａであって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】ガラスフリットを凹部内に隙間なく充填して、キャビティ内の気密性の維持及び貫通電極の機械的強度の向上を図ることができるパッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。
【解決手段】貫通電極形成工程は、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔内に金属ピン３７を挿入する金属ピン配置工程と、貫通孔と金属ピン３７との間にガラスフリット３８を充填する充填工程と、貫通孔内に充填されたガラスフリット３８を焼成して、硬化させる焼成工程と、ベース基板用ウエハ４０の少なくとも第２面４０ｂを研磨して金属ピン３７を第２面４０ｂに露出させる研磨工程とを有し、充填工程に先立って、ベース基板用ウエハ４０及び金属ピン３７の少なくとも一方に親油化処理を施す親油化処理工程を有している。 （もっと読む）

【課題】第１基板の反りを低減して、歩留まりを向上させるとともに、パッケージの機械的強度を向上させることができるパッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。
【解決手段】充填工程と第２研磨工程との間に、矯正治具によりベース基板用ウエハ４０を厚さ方向両側から挟み込んだ状態で、加熱する矯正工程を有し、矯正治具は、ベース基板用ウエハ４０とガラスフリット３８との熱膨張係数差に基づくベース基板用ウエハ４０の反りの向きと、逆向きに反っている。 （もっと読む）

【課題】高いドライブレベル特性を確保することができる圧電振動片と、この圧電振動片を用いた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】溝部５の基端側の幅は、溝部５の先端側の幅よりも狭く形成されており、基部４は、圧電振動片１を実装するマウント電極１２，１３が外表面に形成されたマウント部４ａと、マウント部４ａと一対の振動腕部３ａ，３ｂとの間に位置するようにマウント部４ａと一対の振動腕部３ａ，３ｂとに連設され、一対の励振電極１０，１１とマウント電極１２，１３とを接続する引き出し電極１４ａ，１４ｂが外表面に形成された中間部４ｂと、を有し、マウント部４ａの幅は、中間部４ｂの幅よりも広く形成されており、マウント部４ａの側面と中間部４ｂの側面とは、マウント部４ａと中間部４ｂとの段差部において、長手方向に対して傾斜する傾斜面４ｃを介して連設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い位置精度を保ったまま、基板の所定の位置に保持された貫通電極を備えた電子回路基板および電子回路基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁材料からなる基板２と、該基板２を貫通して配置された導電性材料からなる一つまたは複数の貫通電極３と、該貫通電極３の前記基板２から露出した一端に設けられた凹部４と、を備えた電子回路基板１とする。 （もっと読む）