【課題】発振回路内で構成要素を接続するオプションコンダクタの使用を可能とする技術の提供。
【解決手段】発振回路２００は、第１の伝導層内でルーティングコンダクタを介して相互結合されるトランジスタを含む。発振回路はまた、第２の伝導層内に、バラクタ２０３〜２０６、コンデンサ２２１〜２２６、及びオプションコンダクタ２０７、２０８，２１２〜２１６も含む。オプションコンダクタは、トランジスタのうちの１つとコンデンサまたはバラクタとの間の接続の少なくとも一部を形成する。上記発振回路は、第１の伝導層内のルーティングコンダクタを介して前記複数の第１のトランジスタのうちの１つに結合されるインダクタと、該インダクタの第１の部分を形成する、前記第２の伝導層内の第２のオプションコンダクタとをさらに備え得る。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＬの低減を実現可能なディジタル制御発振装置を提供する。
【解決手段】例えば、発振出力ノードＯｓｃＰ，ＯｓｃＭ間に並列に結合されるアンプ回路ブロックＡＭＰＢＫ、コイル素子ＬＰ，ＬＭ、複数の単位容量ユニットＣＩＵ等を備え、各ＣＩＵは、容量素子ＣＩｐ，ＣＩｍと、当該ＣＩｐ，ＣＩｍを発振周波数の設定パラメータとして寄与させるか否かを選択するスイッチＳＷＩを備える。ここで、ＳＷＩは、デコーダ回路ＤＥＣからのオン・オフ制御線ＢＩＴ＿ＣＩによって駆動され、当該ＢＩＴ＿ＣＩは、シールド部ＧＳによってＯｓｃＰ，ＯｓｃＭとの間でシールドされる。 （もっと読む）

【課題】複雑なバイアス回路を使用せず，抵抗の温度依存性を補償可能なMCU搭載に適したCR発振回路またはLC発振回路を提供する。
【解決手段】マイクロコントローラは，ＣＰＵと，ＣＰＵに供給するクロックを生成しクロックの周波数が周波数調整信号に応じて可変制御される発振回路と，温度を検知する温度センサと，温度センサにより検知される温度が所定温度変動したことに応答してＣＰＵにより実行される周波数調整プログラムと，周波数調整信号と発振回路の発振周波数との関係を示す調整信号対周波数関係データと，温度と前記発振回路の発振周波数との関係を示す温度対周波数関係データとを格納するメモリとを有する。そして，周波数調整プログラムがＣＰＵにより実行されることで，ＣＰＵが，温度対周波数関係データと調整信号対周波数関係データとに基づいて，温度センサにより検知される現在温度に応じて，発振回路の発振周波数を目標の周波数に制御する周波数調整信号を演算し，演算した周波数調整信号が発振回路に設定される。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス素子に起因して発生する起動時の異常発振を効率的に抑えることが可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（ＳＡＷ共振子１０）と、増幅回路２０と、スイッチング素子（ＮＭＯＳスイッチ３０）と、を含む。増幅回路２０は、共振子の一端から他端への帰還経路、当該帰還経路に設けられている第１のインダクタンス素子（伸長コイル２００）、当該帰還経路に設けられ、第１のインダクタンス素子と直列に設けられている可変容量素子（可変容量ダイオード２０２）、を有している。スイッチング素子は、第１のインダクタンス素子と可変容量素子とを含む回路部に対して並列に設けられている。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、ＶＣＯの発振周波数を広い範囲で変化させることができるＰＬＬ回路及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＰＬＬ回路１は、ＶＣＯ１１と、制御ロジック１４と、位相比較器１３と、を備える。ＶＣＯ１１は、両端の電位差に応じて容量値が変化する可変容量素子を有し、電位差に応じた発振周波数の出力信号を出力する。制御ロジック１４は、可変容量素子の一端に所定の電圧を印加した状態で、基準信号と出力信号との周波数差に基づいて、当該可変容量素子の他端に印加する制御電圧Ｖｔｃを決定する。位相比較器１３は、可変容量素子の他端の電圧を制御ロジック１４により決定された制御電圧Ｖｔｃに固定した状態で、基準信号と出力信号との位相差に基づいて、可変容量素子の一端に印加する制御電圧Ｖｔａを決定する。 （もっと読む）

【課題】増幅用のトランジスタに帰還容量成分Ｃ１及び結合容量成分Ｃ２の直列回路を接続したコルピッツ発振回路を用いた電圧制御発振器において、部品点数の削減に寄与できる技術を提供すること。
【解決手段】トランジスタ２１のベースに接続された第１の伝送線路４１とトランジスタ２１のエミッタとアースとの間に接続された第２の伝送線路４２と、を備え、第１の伝送線路４１及び第２の伝送線路４２を互いに接近させて両者の間に線路間容量成分を形成する。この線路間容量成分を前記帰還容量成分Ｃ１として利用すると共に第２の伝送線路４２とアースとの間に形成される寄生容量成分を前記結合容量成分Ｃ２として利用する （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】 ＲＣ発振器によりクロック信号を生成するシステムにおいて、クロック信号の周波数を大きく変動させずに補正して規定の範囲に保つことのできる電子機器およびクロック補正方法を提供することにある。
【解決手段】 ＲＣ発振器の抵抗または容量の設定を切り替えてクロック信号の周波数を複数段階に変更可能な周波数変更手段と、この複数段階の変更量を表わしたトリミングテーブルを記憶する記憶手段と、周波数変更手段の設定を切り替えてクロック信号の周波数を補正するクロック補正制御手段とを備えた電子機器およびそのクロック補正方法である。そして、クロック補正制御手段は、トリミングテーブルのデータに基づき、クロック信号の周波数を補正前の周波数から規定の周波数へ次第に近づいていくように周波数変更手段の設定を切り替えて（Ｓ７，Ｓ８）、クロック信号の周波数を補正する。 （もっと読む）

【課題】集積回路上に構成可能で、容量可変比率が大きくかつＱ値が高く、ＶＣＯを構成した時に直線性の高い制御電圧と発振周波数の関係を実現する電圧可変型容量を提供すること。
【解決手段】下部電極を共通接続した複数のＭＯＳ型容量素子（CM1〜CMn）と、該複数のＭＯＳ型容量素子の上部電極に一端を接続し、他端を共通接続する同数の非電圧可変型容量（C1〜Cn）と、これらのＭＯＳ型容量素子と非電圧可変型容量の接続点に夫々異なる固定バイアス電圧を与える手段（VB1〜VBn及び抵抗）により構成され、前記複数のＭＯＳ型容量の共通接続された下部電極に制御電圧を加える。 （もっと読む）

【課題】振動子の起動を確実にし、安定して振動を維持する装置を提供する。
【解決手段】振動子１２と、振動状態を検出する検出アンプ１３と、振動情報を２値化してコンパレータ出力信号を出力する振幅比較器１４と、制御発振器入力信号に応じて周波数が変化する電圧制御発振器１５１と、コンパレータ出力信号と比較信号との位相差信号を出力する位相比較器１５３と、位相差信号の低域成分を出力するループフィルタ１５４と、比較信号に対して予め定める位相差を有する位相シフト信号を出力する位相シフト器２２と、位相シフト信号を入力する駆動アンプ１１と、操作信号を出力する操作信号発生器２１と、制御発振器入力信号として操作信号を選択し、制御発振器出力信号の周波数がキャプチャレンジの範囲となったときに、制御発振器入力信号として位相差情報信号を選択する操作切換器２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＯに含まれるスパイラルインダクタとＭＯＳバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および／または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣタンクＶＣＯは、第１および第２のスパイラルインダクタＬ１，Ｌ２と、第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２とを備える。第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第１のスパイラルインダクタＬ１と第２のスパイラルインダクタＬ２の間の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】小型かつノイズ抑制に優れる発振回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振回路１００は、インバータ１及び２、タンク回路３を有する。タンク回路３は、出力ノードＯＵＴＴと出力ノードＯＵＴＢとの間に並列に接続される。インバータ１は、ドレインが出力ノードＯＵＴＢに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３を有する。インバータ２は、ドレインが出力ノードＯＵＴＴに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ２及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ４を有する。ｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３及びＭ４のゲート端子は、それぞれ出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと直接的に接続される。ｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びＭ２のゲート端子は、それぞれ結合容量ＣＧ１及びＣＧ２を介して出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと接続され、抵抗ＣＧ１及びＣＧ２を介してバイアス電圧ＶＢＩＡＳが印加される。 （もっと読む）

【課題】周囲温度や外部電源電圧の変化による高速ＯＣＯに与える参照電圧および参照電流の変動を防止し、電源モジュールの回路面積が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】高速ＯＣＯ１０は、参照電流および参照電圧で定まる大きさの高速クロックを出力する。温度センサ５は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度を検出し、電圧センサ４は、高速ＯＣＯ１０の動作電圧を検出する。電源モジュール１２は、ＢＧＲを含み、ＢＧＲが出力する基準電圧に基づいて、参照電圧、参照電流、高速ＯＣＯの動作電圧を生成する。フラッシュメモリ８は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度および動作電圧に対応する、参照電圧および参照電流のトリミングコードを定めたテーブルを記憶する。ロジック部１３は、検出された周囲温度および動作電圧に対応する参照電圧および参照電流のトリミングコードに基づいて、参照電流および参照電圧の値を調整する。 （もっと読む）

【課題】ｎ（ｎは１以上の整数）次の関数で表現される温度特性を持った信号のｎ−１次の温度係数を調整する際に、ｎ次の温度係数の影響を軽減し、且つコストの増大を抑えることができる、温度特性の調整データを生成する方法を提供する。
【解決手段】温度特性調整データ生成方法は、ｎ（ｎは１以上の整数）次の関数で表現される温度特性を持った信号を生成する回路を有する半導体装置の温度特性を調整するデータ（８０３）を、プログラム処理装置（６、１０）を用いて生成する方法であって、ｎ＋１よりも少ない数の温度における前記信号の値を、前記信号に関する目標値に所定の補正値を加えた値（６０１）に近づけるように温度特性を調整するデータを生成するデータ生成処理を含む。 （もっと読む）

【課題】発振器の発振周波数の較正作業を短縮することができる半導体集積回路装置および発振周波数較正方法を提供する。
【解決手段】ＤＣＯ５０と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源２０から得られる電位に応じたＤＣＯ５０に設定すべき発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を記憶する記憶部４２と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 （もっと読む）

【課題】同相信号除去比を高めた発振信号を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に第１の絶縁膜を介して設けられた第１の電極４と、前記第１の電極上に第２の絶縁膜を介して設けられ前記第１の電極との間に第１のキャパシタを形成する第２の電極６と、前記第１の電極上に前記第２の絶縁膜を介して設けられ前記第１の電極との間に第２のキャパシタを形成する第３の電極７と、前記半導体基板に設けられ、前記第２の電極と前記第３の電極との間に接続されたインダクタ１９と、前記半導体基板に設けられ、前記第２の電極と前記第３の電極との間に接続された増幅回路２０と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】発振器の不安定動作を回避し低消費電力化を実現する発振器複合装置と方法の提供。
【解決手段】インダクタ（１１１）と容量（１１２）を含む共振回路（１１０）を備えた発振器（１００）と、前記発振器の発振出力信号を入力し、且つ、電源側からの電流パスを構成し前記電流パスの前記第１の電源と反対側の一端が前記発振器の前記インダクタ（１１１）の中点に接続された差動対を含む分周器（２００）とを、グランドと電源間に縦積みに配置し、分周器（２００）の直流供給電流端子（２３０）からグランド側に流れる直流電源電流を、発振器（１００）の電源電流として再利用する。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振回路の回路規模の増大を抑制する。
【解決手段】電圧制御発振回路は、発振信号を増幅する発振アンプ部３２と、発振信号の発振周波数を制御するＬＣ共振部３３と、負性抵抗成分を有する負性抵抗部３４と、を備える。ＬＣ共振部３３は、ループ状に接続されたｇｍセル２５，２６と、ループ上のノードに一端が接続された容量２８〜３１と、を有し、ｇｍセル２５，２６と容量２８，２９とに基づくインダクタンス値と、容量３０，３１の容量値と、に基づいて発振周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】周波数可変範囲の広い発振回路及び発振回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の端子と第２の端子との間に接続されたインダクタンス素子と、インダクタンス素子と並列に第１の端子と第２の端子との間に接続された増幅回路と、第１の端子及び第２の端子に接続された第１の容量素子と、を備えた共振型発振回路であって、インダクタンス素子の配線の途中に２箇所以上の引き出し部を設け、２箇所以上設けた引き出し部の間にオンしたときに当該引き出し部間を短絡するスイッチ素子と第２の容量素子とが並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】同一の筺体内に配置された半導体チップ間でミリ波の信号伝送媒体を介したミリ波帯域の信号を伝送できるようにすると共に、当該半導体チップ間でより簡易に高速伝送システムを実現できるようにする。
【解決手段】入力信号ＳINが基準搬送信号Ｓｆに基づいてミリ波の送信信号Ｓoutに変換され、変換後の送信信号Ｓoutが、筺体１内に配置されたＣＭＯＳチップ１０１の送信部から当該筺体１内のミリ波の信号伝送媒体５１へ伝送される場合であって、局部発振信号Ｓｆ’を発振する発振回路を有して筺体１内に配置され、信号伝送媒体５１から受信したミリ波の受信信号Ｓinを発振回路に注入して当該局部発振信号Ｓｆ’を基準搬送信号Ｓｆに同期させ、同期後の局部発振信号Ｓｆ’に基づいてミリ波の復調信号ＳOUTを復元するものである。 （もっと読む）