半導体集積回路装置および発振周波数較正方法

【課題】発振器の発振周波数の較正作業を短縮することができる半導体集積回路装置および発振周波数較正方法を提供する。
【解決手段】ＤＣＯ５０と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源２０から得られる電位に応じたＤＣＯ５０に設定すべき発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を記憶する記憶部４２と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発振器を備えた半導体集積回路装置および発振周波数較正方法に関し、特に検査時に発振器の発振周波数を較正する半導体集積回路装置および発振周波数較正方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路において発振器は広く用いられている。この発振器の出荷時には製造過程で生じた発振周波数の誤差を較正する必要があり、従来から発振周波数を較正する手法が知られている。近年では、温度変化に対しての発振周波数の変動許容率が小さいものを要求されるものも多く、このようなニーズを満たす解決手段が求められている。
【０００３】
解決手段の一例としては、絶対温度に対する発振周波数の対応関係を測定して較正値を決定するという手段が考えられる。ただし、この較正作業は、精度よく温度変化（例えばＴ１からＴ２へ変化）をさせる際、極めて長い収束時間がかかるため、較正にかかる費用を増加させる一因となる。時には、温度補償範囲の全域の温度にて較正をかけなければ出荷時の発振器の性能が保証出来ず、更なる較正費用の増大を招く場合もある。そのため、発振周波数の較正作業を短時間で終わらせることができる手法が求められていた。
【０００４】
下記特許文献１に代表される従来技術では、温度が変化したときの発振周波数を、応答性よく所定の基準周波数に調整し発振周波数を一定に保つことができる発振周波数の制御方法が開示されている。
【０００５】
ただし、特許文献１に代表される従来技術は、発振器の出荷後における温度変化に対する発振周波数の制御に関するものであり、発振周波数の較正作業に要する時間を短縮するというニーズを満たすことができないという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−３１１８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、発振器の発振周波数の較正作業を短縮することができる半導体集積回路装置および発振周波数較正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明の一態様によれば、発振器と、前記発振器の発振周波数を決める情報および温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源から得られる電位情報に基づいて、前記発振器を制御する制御信号を出力する発振周波数較正部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、発振器の発振周波数の較正作業を短縮することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体集積回路装置の構成図である。
【図２】発振周波数および電位の関係を示す図である。
【図３】ＤＣＯを較正する際の動作を説明するための図である。
【図４】ＤＣＯの出荷後の動作を説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体集積回路装置の構成図である。
【図６】図５の制御部の内部構成を示す図である。
【図７】図５のＤＣＯの出荷後における制御信号を説明するための図である。
【図８】図７の電流源と温度特性との関係を示す図である。
【図９】図７の電流源の構成例を示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態にかかる半導体集積回路装置の構成図である。
【図１１】図１０のＤＣＯの出荷後における制御信号を説明するための図である。
【図１２】リングオシレータに電流源を接続した場合の構成例を示す図である。
【図１３】図１２の電流源と温度特性との関係を示す図である。
【図１４】ＤＣＯの出力端と制御部の入力端との間に接続された分周器を示す図である。
【図１５】ＤＣＯの入力端に接続された分周器を示す図である。
【図１６】制御部の出力端に接続された分周器を示す図である。
【図１７】発振周波数較正部で線形補間されたデータを示す図である。
【図１８】複数の測定点による補完処理を説明するための図である。
【図１９】容量および基準電位の関係を示す図である。
【図２０】第７の実施の形態にかかるＬＵＴを示す図である。
【図２１】第７の実施の形態をＬＣ発振器に適用した場合の較正動作を説明するための図である。
【図２２】ＤＣＯの出荷後における制御信号を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる半導体集積回路装置および発振周波数較正方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１２】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体集積回路装置の構成図であり、図２は、発振周波数および電位の関係を示す図であり、図３は、ＤＣＯを較正する際の動作を説明するための図であり、図４は、ＤＣＯの出荷後の動作を説明するための図である。
【００１３】
図１の半導体集積回路装置は、発振周波数較正部４０と、温度に対して単調な特性を持つ電圧源２０と、アナログデジタル変換器（ADC:Analog to Digital Converter）３０と、較正対象の発振器（DCO:Digital Controlled Oscillator）５０と、ＤＣＯ５０を制御する制御部１０と、を有する。
【００１４】
ＤＣＯ５０の出力端は、制御部１０に入力端に接続されている。制御部１０には、図示しない基準発振器（温度に関わらず一定のある決まった発振周波数で発振しているもの）が接続されている。制御部１０は、基準発振器からの基準発振周波数ＲＥＦとＤＣＯ５０の出力（発振周波数）とが一致するように制御し、その結果をデジタル情報としてＤＣＯ５０に出力する。なお、安定状態になることをＬｏｃｋした状態であると一般的に表現をする。ＤＣＯ５０、制御部１０、および基準発振周波数ＲＥＦは、全体として例えばＤＬＬ（Delay Locked Loop）、ＰＬＬ(Phase Locked Loop)、またはＦＬＬ(Frequency Locked Loop)の様なものを構成している。制御部１０の出力は、ＤＣＯ５０からの発振周波数を決めるための情報（data）として発振周波数較正部４０に入力される。
【００１５】
電圧源２０は、温度に対して単調な特性を持つ電圧源である。例えば、図示しない基準電位ＢＧＲ（Band-gap Reference）によって、温度に対して線形に変化する電流Ｉptat（proportional to absolute temperature）を抵抗負荷としたものである。ＡＤＣ３０は、電圧源２０からの電位をデジタル信号に変換する。デジタル信号に変換された電位情報（addr）は、発振周波数較正部４０に入力される。
【００１６】
発振周波数較正部４０は、ＬＵＴ（Look-Up Table）４１と、発振周波数設定部４５と、記憶部４２と、を有する。ＬＵＴ４１には、ＤＣＯ５０に対応した発振周波数を決めるための情報および電位情報が予め格納されている。発振周波数設定部４５は、第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrに基づいて、予めＬＵＴ４１に格納されたdataおよびaddrを参照して発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を設定する。記憶部４２は、設定された発振周波数の温度係数および絶対値を記憶する。
【００１７】
次に、図２を用いて、発振周波数の較正にかかる絶対温度Ｔ（以下単に「温度Ｔ」と称する）、基準電位Ｖ、および発振周波数Ｆの関係を説明する。図２（ａ）には、温度Ｔに対する発振周波数Ｆが示されており、この発振周波数Ｆは発振周波数を決めるための情報に対応している。図２（ｂ）には、温度Ｔに対する基準電位Ｖが示されており、この基準電位Ｖは電圧源２０からの電位情報に対応している。本実施の形態にかかる半導体集積回路装置では、温度に対して単調な特性を持つ基準電位Ｖと、発振周波数Ｆとを用いてＤＣＯ５０を較正するものである。
【００１８】
例えば、温度Ｔ１に対応する基準電位および発振周波数は、基準電位Ｖ１および発振周波数Ｆ１であり、温度Ｔ２に対応する基準電位および発振周波数は、基準電位Ｖ２および発振周波数Ｆ２である。すなわち、基準電位Ｖおよび発振周波数Ｆは、ある温度に対して一対一の対応関係になる。本実施の形態にかかる半導体集積回路装置は、任意の温度に対するＤＣＯ５０の発振周波数と、任意の温度に対する電圧源２０の電位とを測定し、予めＤＣＯ５０の発振周波数および電位が格納されたＬＵＴ４１を参照し、所望の発振周波数になるような較正を実行する。
【００１９】
以下、ＬＵＴ４１に格納された発振周波数を決めるための情報および電位情報を用いて、ＤＣＯ５０を較正するための手順を具体的に説明する。
まず、ある適当な温度（以下「第１の温度」と称する）における発振周波数を決めるための情報（data）および電位情報（addr）を測定する。なお、電圧源２０およびＤＣＯ５０は、略同一の温度変化の環境に設置されているものとする。第１の温度は、ＤＣＯ５０の動作範囲内であれば基本的に何℃でも構わない。そして、第１の温度の状態で、ＤＣＯ５０をＬｏｃｋさせ、発振周波数較正部４０に第１の温度におけるdataおよびaddrを入力する。
【００２０】
次に、電圧源２０およびＤＣＯ５０の雰囲気温度を変化させて、変更後の温度（以下「第２の温度」と称する）での測定を行う。なお、第２の温度は、第１の温度より低い温度でも高い温度でもよい。すなわち、温度を変化させること自体が重要であるので、例えば、ヒータの様なものを当て続けるだけでも構わないし、抵抗のような熱源を設置しても構わない。そして、第２の温度の状態で、ＤＣＯ５０をＬｏｃｋさせ、発振周波数較正部４０に第２の温度におけるdataおよびaddrを入力する。
【００２１】
その結果、発振周波数設定部４５は、第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrを得たことになる。発振周波数設定部４５は、第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrに基づいて、予めＬＵＴ４１に格納されたdataおよびaddrを参照して発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を設定する。設定された発振周波数の温度係数および絶対値は、記憶部４２に保存される。ＤＣＯ５０の出荷後は、図４のように、記憶部４２に記憶された発振周波数の温度係数および絶対値から導出される制御信号（data）がＤＣＯ５０に出力され、ＤＣＯ５０の発振周波数が制御される。
【００２２】
以上に説明したように、本実施の形態にかかる半導体集積回路装置は、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源２０から得られる電位に応じて変化する発振周波数の温度係数および絶対値に基づいて、ＤＣＯ５０の発振周波数を較正するようにしたので、ＤＣＯ５０の較正に伴う温度操作が不要である。本実施の形態にかかる半導体集積回路装置によれば、較正作業に伴う時間が大幅に短縮されるため、その結果、ＤＣＯ５０の較正に伴うコストを大幅に削減することが可能である。
【００２３】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態にかかる半導体集積回路装置の構成図であり、図６は、図５の制御部の内部構成図であり、図７は、図５のＤＣＯの出荷後における制御信号を説明するための図であり、図８は、図７の電流源と温度特性との関係を示す図であり、図９は、図７の電流源の構成例を示す図である。以下、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【００２４】
図５の半導体集積回路装置は、第１の実施の形態のＤＣＯ５０をＬＣ発振器（平衡型発振器）で実現したものである。このＤＣＯ５０の出力ＶoutpおよびＶoutnは、制御部１０に出力される。図６の制御部１０は、差動単相変換器１２およびＴＤＣ(Time-to-Digital Converter)１１を有している。差動単相変換器１２は、ＤＣＯ５０からの出力ＶoutpおよびＶoutnを単相信号に変換する。ＴＤＣ１１は、差動単相変換器１２からの単相信号と外部からの基準発振周波数ＲＥＦとを比較し、その差分をデジタル情報として出力する。ＴＤＣ１１から出力された情報は、dataとして発振周波数較正部４０に入力される。また、図５では、電圧源がＶptat（proportional to absolute temperature）として示されている。図５のＯｎ−Ｃｈｉｐと示された部分は、出荷される発振器に搭載される部位である。
【００２５】
以下、ＤＣＯ５０の較正手順を説明する。第１の温度でＤＣＯ５０をＬｏｃｋさせる。制御部１０の出力は、ＤＣＯ５０からの発振周波数を決めるための情報（data）として発振周波数較正部４０に入力される。ＡＤＣ３０は、Ｖptatをデジタル信号（電位情報addr）に変換し、発振周波数較正部４０に入力される。次に、第２の温度の状態でＤＣＯ５０をＬｏｃｋさせる。そして、第２の温度におけるdataおよびaddrを取得する。その結果、発振周波数較正部４０は、第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrを得たことになる。
【００２６】
発振周波数設定部４５は、ＬＵＴ４１を参照し、ＬＵＴ４１に予め格納されたdataおよびaddrと第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrに基づいて、発振周波数の温度係数および絶対値を設定する。設定された発振周波数の温度係数および絶対値は、記憶部４２に保存される。ＤＣＯ５０の出荷後は、記憶部４２の発振周波数の温度係数および絶対値から導出される制御信号がＤＣＯ５０に出力され、ＤＣＯ５０の発振周波数が制御される。
【００２７】
以下、発振周波数較正部４０の構成を具体的に説明する。
【００２８】
図７の記憶部４２には、発振周波数設定部４５で設定された発振周波数の温度係数および絶対値が記録されている。発振周波数の温度係数は、電流源４３に入力される。電流源４３は、記憶部４２に記憶された温度係数に対応したＤＣＯ５０の制御量を示す制御信号ｄ１を生成し、ＤＣＯ５０の可変容量５１に出力される。発振周波数の絶対値は、この絶対値に対応したＤＣＯ５０の制御量を示す制御信号ｄ２として、ＤＣＯ５０のスイッチ５２を制御する。
【００２９】
図８には、図７の電流源４３で２次の温度補正を行う場合の概念が示されている。例えば、０次の温度係数を持った電流源Ｉｃと、１次の温度係数を持った電流源Ｉｐと、２次の温度係数を持った電流源Ｉｓとを足し合わせることによって、２次の温度特性をもった電流源を実現可能である。図９（ａ）は、図８の電流源Ｉｓの等価回路である。電流源Ｉｓは、トランジスタの２次特性を利用することで実現可能である。また、図９（ｂ）は、図８の電流源４３の等価回路であり、電流源Ｉｃ、Ｉｐ、およびＩｓを利用することで実現可能である。その結果、第１の実施の形態と同様の効果に加え、ＬＣ発振器を構成しているトランジスタの非線形特性を考慮した発振周波数の較正が可能となる。なお、Ｉｃ、Ｉｐ、Ｉｓ、α、β、γの係数は、正負を問わない。
【００３０】
（第３の実施の形態）
図１０は、本発明の第３の実施の形態にかかる半導体集積回路装置の構成を示す図であり、図１１は、図１０のＤＣＯの出荷後における制御信号を説明するための図であり、図１２は、リングオシレータに電流源を接続した場合の構成例を示す図であり、図１３は、図１２の電流源と温度特性との関係を示す図である。以下、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【００３１】
図１０の半導体集積回路装置は、第１の実施の形態のＤＣＯ５０をリングオシレータで実現したものである。このＤＣＯ５０の出力Ｖoutは、制御部１３に出力される。
【００３２】
図１０の制御部１３は、図６のＴＤＣと同様の機能であり、ＤＣＯ５０からの出力Ｖoutと基準発振周波数ＲＥＦとを比較し、その差分をデジタル情報として出力する。制御部１３から出力された情報は、dataとして発振周波数較正部４０に入力される。なお、図１０のＯｎ−Ｃｈｉｐと示された部分は、出荷される発振器に搭載される部位である。このリングオシレータは、単相型のリングオシレータの例を示しているが、差動型のリングオシレータでもよい。差動型のリングオシレータの場合、制御部１３は、図６の制御部１０と同等の構成となる。
【００３３】
以下、ＤＣＯ５０の較正手順を説明する。第１の温度でＤＣＯ５０をＬｏｃｋさせる。制御部１３の出力は、ＤＣＯ５０からの発振周波数を決めるための情報dataとして発振周波数較正部４０に入力される。ＡＤＣ３０は、Ｖptatをデジタル信号に変換し、デジタル信号に変換されたＡＤＣ３０からの電位情報addrは、発振周波数較正部４０に入力される。次に、第２の温度の状態でＤＣＯ５０をＬｏｃｋさせる。そして、第２の温度におけるdataおよびaddrを取得する。その結果、発振周波数較正部４０は、第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrを得たことになる。
【００３４】
発振周波数設定部４５は、ＬＵＴ４１に予め格納されたdataおよびaddrと、第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrとに基づいて、発振周波数の温度係数および絶対値を設定する。設定された発振周波数の温度係数および絶対値は、記憶部４２に保存される。ＤＣＯ５０の出荷後は、記憶部４２の温度係数および絶対値から導出される制御信号（data）がＤＣＯ５０に出力される。
【００３５】
以下、発振周波数較正部４０の構成を具体的に説明する。
【００３６】
図１１において、記憶部４２には、発振周波数設定部４５で設定された発振周波数の温度係数および絶対値が記録されている。この発振周波数の温度係数および絶対値は、電流源４３に入力され、電流源４３は、記憶部４２からの温度係数および絶対値に対応したＤＣＯ５０の制御量を示す制御信号ｄ３を生成し、ＤＣＯ５０のトランジスタ５３、５４に出力する。なお、図１２のように、トランジスタ５３、５４を介さず電流源４３を直接リングオシレータに接続する構成であってもよい。
【００３７】
図１３（ａ）は、図８の電流源Ｉｓの等価回路である。電流源Ｉｓは、トランジスタの２次特性を利用することで実現可能である。また、図１３（ｂ）は、図８の電流源４３の等価回路であり、電流源Ｉｃ、Ｉｐ、およびＩｓを利用することで実現可能である。その結果、第２の実施の形態と同様に、リングオシレータを構成しているトランジスタの非線形特性を考慮した高精度な発振周波数の較正が可能となる。なお、Ｉｃ、Ｉｐ、Ｉｓ、α、β、γの係数は、正負を問わない。
【００３８】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態にかかる半導体集積回路装置は、第１の実施の形態とほぼ同一の構成であるが、分周器８０、８１、８２を備えている点が異なる。図１４は、ＤＣＯの出力端と制御部の入力端との間に接続された分周器を示す図であり、図１５は、ＤＣＯの入力端に接続された分周器を示す図であり、図１６は、制御部の出力端に接続された分周器を示す図である。以下、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【００３９】
図１４の分周器８０は、ＤＣＯ５０の出力端と制御部１０（または制御部１８）の入力端との間に接続され、ＤＣＯ５０の発振周波数を分周し制御部１０に出力する。この構成にすることで、制御部１０を構成するデジタル変換器（例えばＴＤＣにあたるもの）などの周波数動作範囲を狭くすることが可能となる。また、図１５の分周器８１は、ＤＣＯ５０の入力端に接続され、ＤＣＯ５０に入力される信号を分周する。また、図１６の分周器８２は、制御部１０の出力端に接続され、制御部１０からの信号を分周し、分周された発振周波数を決めるための情報をＤＣＯ５０および発振周波数較正部４０に出力する。図１５および図１６の構成は、図１４の構成と同等の機能を有し、同等の効果を得ることができる。なお、分周器８０、８１、８２を制御部１０の内部に設置する構成であってもよい。
【００４０】
（第５の実施の形態）
第１〜４の実施の形態では、２つの温度Ｔ１、Ｔ２に対する、基準電位Ｖ１、Ｖ２と発振周波数Ｆ１、Ｆ２を測定した。第５の実施の形態では、線形近似によりこの２点間の基準電位および発振周波数を求める。
【００４１】
図１７は、発振周波数較正部で線形補間されたデータを示す図である。発振周波数設定部４５は、測定した発振周波数Ｆ１と発振周波数Ｆ２、および、測定した基準電位Ｖ１と基準電位Ｖ２との間を線形補間する。発振周波数設定部４５は、線形補間後の発振周波数と基準電位とに基づいて、電流源４３に対する温度係数を演算する。その結果、ＤＣＯ５０の較正を精度よく行うことが可能である。
【００４２】
（第６の実施の形態）
第６の実施の形態では、３つ以上の温度に対する、基準電位Ｔと発振周波数Ｆとを測定し、二次関数などの高次の温度係数を演算する。
【００４３】
図１８は、複数の測定点による補間を説明するための図である。発振周波数設定部４５は、温度Ｔ１〜Ｔｎで測定された、複数の発振周波数Ｆ１〜Ｆｎおよび複数の基準電位Ｖ１〜Ｖｎの補間処理を行う。複数の温度Ｔ１〜Ｔｎを用いて補間することにより、高次の温度係数を得ることができるため、第５の実施の形態に比して、より高い精度でＤＣＯ５０を較正することが可能である。
【００４４】
（第７の実施の形態）
図１９は、容量および基準電位の関係を示す図である。図１９（ａ）には、温度に対して一定の発振周波数Ｆ０と、所定の容量Ｃに設定されたＤＣＯ５０の発振周波数の温度特性が示されている。なお、図１９（ａ）には、一例として、５種類の容量に対する温度特性が示されている。図１９（ｂ）には、温度に対して一定の発振周波数Ｆ０となるような複数の容量が示されている。例えば、温度Ｔ１〜Ｔ３で発振周波数ＦがＦ０となる容量はＣ１〜Ｃ３である。また、図１９（ｃ）には、温度に対応する基準電位Ｖが示されている。図１９（ｂ）と（ｃ）において、温度が共通するため、基準電位Ｖおよび容量Ｃは温度の変化に対して一対一の関係になる。
【００４５】
図２０は、第７の実施の形態にかかるＬＵＴを示す図である。ＬＵＴ４１には、発振周波数Ｆの代わりに測定された発振周波数ＦがＦ０となるような制御量を示す容量Ｃ（data）が格納されている。
【００４６】
図２１は、第７の実施の形態をＬＣ発振器に適用した場合の較正動作を説明するための図である。第１の実施の形態と同様に、発振周波数較正部４０には、第１および第２の温度における発振周波数を決めるための情報（data）および電位情報（addr）が入力される。
ＬＵＴ４１には、第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrに基づいて、温度に対して一定の発振周波数Ｆ０となる容量Ｃと電位Ｖが対応付けて格納される。
【００４７】
図２２は、ＤＣＯの出荷後における制御信号を説明するための図である。図２２において、ＬＵＴ４１には容量Ｃが記録されている。電流源４３は、容量Ｃから温度係数を設定するための制御信号を生成し、容量部５５に出力する。また、容量Ｃの絶対値に対応した制御量である制御信号が、容量部５５に出力される。この容量部５５は、図７で説明した可変容量５１あるいはスイッチ５２に相当するものであり、ＬＣ発振器には、この容量部５５が少なくとも１つ設置されているものとする。図２２の発振周波数較正部４０は、ＤＣＯ５０の発振周波数を補償する発振周波数補償部として機能する。この構成にすることで、ＤＣＯ５０における温度Ｔの変動に対する発振周波数の温度補償が可能である。
【００４８】
なお、第７の実施の形態では、容量Ｃが格納されたＬＵＴ４１をＬＣ発振器に用いた場合を説明したが、リングオシレータにも適用可能である。この場合、ＬＵＴ４１の容量Ｃは、電流源４３に入力され、電流源４３は、温度係数および絶対温度を設定するための制御信号を生成し、ＤＣＯ５０のトランジスタ５３、５４に出力する。また、図１２のように、トランジスタ５３、５４を介さず、電流源４３を直接リングオシレータに接続する構成であってもよい。
【００４９】
また、ＤＣＯ５０を制御するdataには、容量Ｃの代わりに電流値を用いてもよい。すなわち、ＬＵＴ４１には、第１および第２の温度に対応するdataおよびaddrに基づいて、温度に対して一定の発振周波数Ｆ０となる電流Ｉと電位Ｖとが対応付けて格納される。この電流値は、電流源４３からの電流の大きさを示し、リングオシレータの発振周波数を変化させる。電流源４３からの電流とリングオシレータの発振周波数は、ほぼ比例の関係にある。発振周波数設定部４５は、ＬＵＴ４１を参照し、発振周波数の温度係数および絶対値を設定する。設定された発振周波数の温度係数および絶対値は記憶部に保存される。電流源４３は、記憶部に記憶された温度係数に対応した制御信号を生成し、ＤＣＯ５０の容量部５５に出力する。記憶部に記憶された絶対値は、この絶対値に対応した制御信号として容量部５５に出力される。このように、容量Ｃの代わりに電流値を用いた場合でも、発振周波数の温度係数を設定するための制御信号を生成することが可能である。
【００５０】
また、図２１の発振周波数較正部４０は、図１８で説明した補間処理を行う構成でもよい。この場合、図２１の発振周波数較正部４０は、発振周波数設定部４５の補間処理機能を備えているものとする。
【符号の説明】
【００５１】
１０、１３制御部、１１ＴＤＣ、１２差動単相変換器、２０電圧源、３０ＡＤＣ、４０発振周波数較正部、４１ＬＵＴ、４２記憶部、４３電流源、４５発振周波数設定部、５０ＤＣＯ、５１可変容量、５３、５４トランジスタ、５５容量部、８０、８１、８２分周器

【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振器と、
前記発振器の発振周波数を決める情報および温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源から得られる電位情報に基づいて、前記発振器を制御する制御信号を出力する発振周波数較正部と
を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記発振周波数較正部は、
前記発振周波数を決める情報および前記電位情報に基づいて、所望の発振周波数の温度係数および絶対値を求め、前記制御信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記発振周波数較正部は、
前記発振周波数を決める情報および前記電位情報に基づいて、前記発振周波数が温度に対して一定の発振周波数となる容量または電流を求め、前記制御信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
発振器の発振周波数を較正する発振周波数較正方法において、
前記発振器の発振周波数を決める情報と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源から得られる電位情報に基づいて、制御信号を生成する制御信号生成ステップと、
前記制御信号で前記発振器を制御する制御ステップと
を含むことを特徴とする発振周波数較正方法。
【請求項５】
前記制御信号生成ステップは、
任意の第１および第２の温度における、前記発振器の発振周波数を決める情報と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源から得られる電位情報基づいて、制御信号を生成することを特徴とする請求項４に記載の発振周波数較正方法。

【図１】