【課題】チップ占有面積が小さく低消費電力の広帯域RF信号処理回路を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路は、第1制御端子101の第1制御信号Vc1により制御可能なキャパシタンスC_Rを有する第1キャパシタ1と、第2制御端子102の第2制御信号Vc2により制御可能なキャパシタンスC_Lを有する第2キャパシタ3を含み等価的にインダクタLをエミュレートするジャイレータ2、5とからなる共振回路を半導体チップに具備する。キャパシタンスC_RとインダクタLは、並列共振回路を構成する。並列共振周波数を変更する際に、第1と第2のキャパシタ1、3のキャパシタンスを協調的に変更する。並列共振回路は増幅素子Q1の出力電極に接続されるアクティブ負荷に好適である。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳトランジスタ（以下、トランジスタを省略して、単にＭＯＳと表記）のスレッシュホールド電圧が変動しても、正確な発振周波数のＣＲ発振回路を提供する。
【解決手段】 電源端子Ｖccとアース間に抵抗１とキャパシタ２とが接続され、その接続点にゲートが並列接続されたＰＭＯＳ３、４と、ＮＭＯＳ６、７のドレインおよびソースが電源端子Ｖccとアース間に直列に接続され、さらに、ＰＭＯＳ５のソースが、ＰＭＯＳ３、４のドレイン・ソースの接続点に、ゲートがＰＭＯＳ４とＮＭＯＳ６のドレインの接続点に、ドレインがＮＭＯＳ８のゲートにそれぞれ接続され、ＮＭＯＳ８のドレインは電源端子Ｖccに、ソースはＮＭＯＳ６、７のソース・ドレインの接続点にそれぞれ接続されている。その出力がインバータ１０を介して、キャパシタ２の両端にドレイン・ソースが接続されたＮＭＯＳ９のゲートに接続されている。 （もっと読む）

【課題】例えば、さまざまな無線規格に対応するように、利得を変化させることが可能な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】本発明に係る電圧制御発振器１は、第１の電位に一端が接続された第１のＭＯＳトランジスタと、第１の電位に一端が接続され、ゲートが第１のＭＯＳトランジスタの他端に接続され、他端が第１のＭＯＳトランジスタのゲートに接続された第２のＭＯＳトランジスタと、第１の制御電圧に応じてその容量が変化する第１のバラクタと、一端が第１のバラクタの一端に接続された第１のインダクタと、一端が第１のバラクタの他端に接続された第２のインダクタと、第２の制御電圧に応じてその容量が変化する第２のバラクタと、第２のバラクタの一端と第２の電位との間に接続された第３のインダクタと、第２のバラクタの他端と第２の電位との間に接続された第４のインダクタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】誘電体共振器型発振器（ＤＲＯ）の量産においては、誘電体共振器を設置する位置を高い精度で調節する必要があり、組立作業に要する時間が増大してしまう。また、誘電体共振器と電磁的に結合させ、共振器を構成する伝送線路の先端の終端抵抗および接地手段を誘電体基板上に形成すると製造コストが高くなる。
【解決手段】ＤＲＯの構成部品のうち、伝送線路のみを誘電体基板上に形成し、ＭＭＩＣチップ上の発振用能動素子、終端抵抗および接地手段を伝送線路と金属ワイヤ、金属リボン等で接続する。また、誘電体共振器から見て発振用能動素子側の伝送線路の中途に、オープンスタブを形成する。 （もっと読む）

【課題】 高周波帯域においても寄生抵抗が低く、入出力端子からインダクタを見たときの特性が対称的であり、小型なオンチップ型のインダクタを提供する。
【解決手段】 絶縁層を介した複数の層に亘って入力端子ＩＮ１、ＩＮ２から出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２まで螺旋状にそれぞれ延びた偶数個のインダクタ素子Ｌ１、Ｌ２を有している。インダクタ素子Ｌ１、Ｌ２は、相互の発生磁界が同じ向きとなるように配置されていると共に、入力端子から見たＱ値を含むインダクタ特性と出力端子から見たものとが概ね同じになるように並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＬ回路の電圧制御発振器内の漏洩電流を補償する回路構成を得る。
【解決手段】ループフィルタ（２０）により発振器へ加えられる制御電圧は、基準信号と電圧制御発振器（１２）の出力信号との位相差の関数として位相検出器（１６）により発生される。発振器（１２）は、制御線（３４）を介して制御電圧が加えられるバリキャップダイオード（２８，３０）を含み、同じ構成のバリキャップダイオード（３６，３８）を有する補償回路（Ｋ）が一方の出力（４４）において制御電圧を再生して補償回路（Ｋ）内のバリキャップダイオード（３６，３８）へ加え他方の出力（４６）からはバリキャップダイオード（３６，３８）の漏洩電流に等しい電流を供給する。電流分路分岐が制御線（３４）から延びており、それを介して演算増幅器（４０）により供給される電流に対応する電流が制御線（３４）から流れる。 （もっと読む）

【課題】発振器を構成するＭＯＳトランジスタのソース側に生じる熱雑音を低減できるようにする。
【解決手段】増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２のソースとゲートとの間に帰還ルートを設け、当該帰還ルート上に帰還用トランジスタＭ３，Ｍ４を接続することにより、増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２のソース側に生じるノイズが、帰還用トランジスタＭ３，Ｍ４によって位相が反転した信号とされ、位相反転した状態で増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２のゲートに帰還されるようにして、増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２のソースに発生するノイズを、これと略反転した位相の信号によって打ち消すことができるようにする。 （もっと読む）

【課題】発振周波数精度が高い発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路１は、基準電流を発生する基準抵抗ＲＥ１と、基準抵抗ＲＥ１と別個に設けられ、基準抵抗ＲＥ１に電流を供給するオペアンプＡＭＰ１と、基準抵抗ＲＥ１に印加する基準電圧ＶＲＥＦを決定する基準電圧発生回路２４と、定電圧ＶＲＥＧを発生する定電圧回路２１とを有し、基準電流と定電圧ＶＲＥＧとに基づいて発振周波数を定める集積回路２と、基準抵抗ＲＥ１の温度依存性と同じ温度依存性となるように、基準電圧発生回路２４の出力する基準電圧ＶＲＥＦの温度依存性を設定する設定レジスタ２５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の可変範囲を大きくすることができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】本発明による電圧制御発振器は、ＬＣ共振回路１と、ＬＣ共振回路１と電源ＶＤＤ及び電源ＶＳＳとの間に設けられ、複数の負性抵抗を備える負性抵抗部２、３と、複数の容量群４１〜４４と、複数の負性抵抗回路と、複数の容量群４１〜４４とから選択的に任意の数の負性抵抗回路と容量群とをＬＣ共振回路１に接続する選択回路１０７とを具備する。選択回路１０７によって選択接続された負性抵抗回路は、共振回路１に電流を供給する。ＬＣ共振回路１は、選択回路１０７によって選択接続された容量群によって決定される周波数ｆ_ｖｃｏで発振する。 （もっと読む）

【課題】発振回路を構成するリングオシレータと電流制御回路をそれぞれ個別に特性調整することを可能にする。
【解決手段】発振回路３０の電流制御回路１には定電流源３、第１の電流決定回路４、第２の電流決定回路５、及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＴ３が設けられる。第１の電流決定回路４はＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＴ１及びＮＴ２から構成され、第２の電流決定回路５はＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＴ１及びＰＴ２から構成される。ダイオード接続されるＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＴ１は低電位側電源Ｖｓｓ側に一定な電流Ｉ_１を流す。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＴ２は低電位側電源Ｖｓｓ側に電流Ｉ_１に対応する一定な電流Ｉ_２を流す。ダイオード接続されるＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＴ１は低電位側電源Ｖｓｓ側に電流Ｉ_２を流す。Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＴ２は低電位側電源Ｖｓｓ側に電流Ｉ_２に対応する一定な電流Ｉ_３を流す。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化を行っても出力部のトランジスタを確実に動作させ、出力信号を確実に出力させる発振信号出力回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路１１０からバイアス電圧を増幅部１３０、発振部１２０に印加して発振信号を出力し、発振信号の出力信号ＸＴＢを容量結合し、出力信号ＸＴＢをバイアス電圧でかさ上げし、出力信号ＸＴＰ、ＸＴＮを生成する。生成された出力信号ＸＴＰ、ＸＴＮを出力段１５０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ４Ａ、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４Ａに入力し、稼動させる。出力信号ＸＴＰ、ＸＴＮの電圧が同時に下がれば、電圧が下がり、電流も下がるのでＨ側が出力され、出力信号ＸＴＰ、ＸＴＮの電圧が同時に上がれば、電圧が上がり、電流も上がるのでＬ側が出力される。従って、出力段１５０は大きな利得を得て確実に動作し、閾値電圧がばらついても、バイアス電圧が変化し、確実に出力信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】動作が誤発振状態または準安定状態となったことを検出し、誤発振状態または準安定状態から抜け出して正常な発振状態にとすることができるＶＣＯをを提供する。
【解決手段】本発明の電圧制御発振回路は、互いに逆相の差動のクロック信号が入力される差動遅延素子を縦続接続し、バイアス電圧によって差動遅延素子に流れる電流の量を制御することで、該差動のクロック信号の遅延量を制御する差動リングオシレータ型の電圧制御発振回路であり、いずれかの差動遅延素子の差動出力の出力電圧と、異常動作を検出する電圧に設定されたリファレンス電圧とを比較することにより異常発振を検出して検出信号を出力する位相検出部と、差動遅延素子毎に設けられ、検出信号が入力されると、差動出力対間の電位差を増幅するクロスカップル回路とを有している。 （もっと読む）

【課題】位相ノイズを制御する電圧制御発振器及びその利用方法を提供する。
【解決手段】電源電圧に対応する発振周波数を持つ第１出力信号を生成する電圧制御発振部と、それぞれの第１出力信号の伝達コンダクタンス成分をｎ（ｎは自然数）次微分した値を増幅する増幅部と、を備え、電圧制御発振部の出力端及び増幅部の出力端は連結されており、それぞれの出力端に、それぞれの第１出力信号が増幅された第２出力信号が出力される電圧制御発振器。これにより、矩形波と類似した形態の波形を持つ出力信号を出力することによって、電圧制御発振器の出力信号の位相ノイズを効率的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】バッテリーの放電特性に伴う出力電圧の変化によるクロック生成回路からの発信周波数の変動を抑制し、かつバッテリーの蓄電残量を有効利用することのできるクロック生成回路を提供することを課題とする。
【解決手段】バッテリーの出力電圧を検出するための出力電圧検出回路と、出力電圧検出回路で検出された出力電圧の値により分周数を判定する分周数判定回路と、出力電圧の値により基準クロック信号を出力する発振回路と、分周数に応じた基準クロック信号の波の数をカウントするカウンター回路と、カウンター回路のカウンター値により、基準クロック信号を分周する分周回路を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＣへの集積化が容易で、かつ、ノイズの発生を低減することも可能な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】抵抗Ｒ１，Ｒ２と、クロスカップルされた発振用のペアトランジスタＭ１，Ｍ２による正帰還回路と、可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２と、可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２に対して固定のバイアス電圧を与えるバイアス回路Ｍ４，Ｍ５とを備え、可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２の容量値を同調電圧Ｖ_Ｔによって可変させることで発振周波数を制御できるようにすることにより、ＩＣ化に向かないインダクタや大きな電流性ノイズを出しやすい定電流源を用いずに電圧制御発振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣへの集積化も容易で、かつ、浮遊容量の発振周波数への影響も効果的に低減することが可能な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】バリキャップＶＣ３，ＶＣ４のアノード共通接続点に設けられた第１のスイッチ回路Ｐ１と、第１の制御電圧Ｖ_ｔの供給配線上に設けられた第２のスイッチ回路Ｐ２と、バリキャップＶＣ３，ＶＣ４の各アノードと第２の制御電圧ＶＣＯＮＴの入力端子との間にそれぞれ接続された複数の抵抗Ｒ１，Ｒ２とを備え、バリキャップＶＣ３，ＶＣ４を切り離すために第１のスイッチ回路Ｐ１をオフにしたときは、バリキャップＶＣ３，ＶＣ４が抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して第２の制御電圧ＶＣＯＮＴの入力端子に接続されるようにし、バリキャップＶＣ３，ＶＣ４を使用するときは第１および第２のスイッチ回路Ｐ１，Ｐ２をオンとし、同調電圧Ｖ_ｔによって発振周波数を制御できるようにする。 （もっと読む）

【課題】温度特性の良好な発振回路およびこの発振回路を用いた高周波発振型近接スイッチを提供する。
【解決手段】ＬＣタンク回路と負性抵抗回路のトランスコンダクタンス値を可変制御するトランスコンダクタンス設定回路を備え、負性抵抗回路は、第１のトランスコンダクタンスアンプの出力に接続されて所定レベルに出力信号の振幅を制限する非線形回路と、この非線形回路の出力を第１のトランスコンダクタンスアンプの入力にフィードバックする。またトランスコンダクタンス設定回路は、そのトランスコンダクタンス値を可変自在な第２のトランスコンダクタンスアンプと、このアンプの出力信号を積分した制御信号を出力する積分回路を備え、第１および第２のトランスコンダクタンスアンプは、それぞれ積分回路から出力される制御信号を受けてこの制御信号に応じたトランスコンダクタンス値に制御される。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作に適し、動作周波数レンジが広げられ、安定動作が得られ、位相ノイズやジッタの低減を図れる。
【解決手段】電圧可変容量回路は、電圧可変容量手段としてのＮＭＯＳ４２と、ＮＭＯＳ４２のドレインにソース電位と異なる電位を供給するための電位供給部４１とから構成されている。ＮＭＯＳ４２のゲート４２ｇと接地端子ＧＮＤとの間に発生する等価容量Ｃｇを可変できる電位範囲や、変化の傾きを電気的・回路設計的に調整することが可能となる。更に、電圧制御端子ＶＣに印加する制御電位ｖｃに対して等価容量Ｃｇは単調に変化し、制御電位ｖｃの有効な電位範囲は拡大する。前記電圧可変容量回路をＶＣＯに用いることで、ＶＣＯの発振周波数ｆは、電圧制御端子ＶＣに印加する制御電位ｖｃによって、制御できる。 （もっと読む）

【課題】定常時の位相雑音を抑制しかつその抑制状態への移行を速やかに行うことが可能な電圧制御発振器、並びに電圧制御発振器用のバイアス装置およびバイアス調整プログラムを提供すること。
【解決手段】外部からの制御で電流調整を行い得る第１の素子および第２の素子と、バイアス電流が流されることにより発振動作し、かつ第１の素子によってバイアス電流が調整されている第１の状態および第２の素子によってバイアス電流が調整されている第２の状態において発振動作が可能な発振回路と、第１の状態と第２の状態とを切り替え可能な切り替え回路と、第１の状態におけるバイアス電流を第１の電流として推定する電流推定回路と、第１の電流に応じた第２の電流を第２の状態における発振回路のバイアス電流として流すように第２の素子を制御する制御回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、残留位相雑音特性を劣化させることなく、発振周波数の広帯域化を可能とする電圧制御発振器を提供することにある。
【解決手段】本発明は、第1の制御電圧印加端子１１に所定の電圧Ｖｃ１を印加することにより、所望の周波数を発振する能動回路を備えた電圧制御発振器において、前記能動回路に第２の制御電圧印加端子１３から所望の制御電圧Ｖｃ２を印加することにより、当該能動回路の自己共振周波数を可変（又は広帯域化）することを特徴とするものである。 （もっと読む）