【課題】第２の発振回路の起動を待つことなく第１の発振回路の出力により高精度なクロック信号を得る。
【解決手段】クロックシステム１は、ＣＲ発振回路１１、水晶発振回路１２、及びトリミング回路１５を含む。ＣＲ発振回路１１は、内部回路１７に供給されるクロックＣＬＫ１を生成する。水晶発振回路１２は、ＣＲ発振回路１１の発振周波数の調整に使用される。トリミング回路１５は、ＣＲ発振回路１１と水晶発振回路１２の間の発振周波数差の検出結果に基づいて、ＣＲ発振回路１１の発振周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】周囲温度や外部電源電圧の変化による高速ＯＣＯに与える参照電圧および参照電流の変動を防止し、電源モジュールの回路面積が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】高速ＯＣＯ１０は、参照電流および参照電圧で定まる大きさの高速クロックを出力する。温度センサ５は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度を検出し、電圧センサ４は、高速ＯＣＯ１０の動作電圧を検出する。電源モジュール１２は、ＢＧＲを含み、ＢＧＲが出力する基準電圧に基づいて、参照電圧、参照電流、高速ＯＣＯの動作電圧を生成する。フラッシュメモリ８は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度および動作電圧に対応する、参照電圧および参照電流のトリミングコードを定めたテーブルを記憶する。ロジック部１３は、検出された周囲温度および動作電圧に対応する参照電圧および参照電流のトリミングコードに基づいて、参照電流および参照電圧の値を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の周波数逓倍器による悪い高調波抑圧比を改善し、又、周波数逓倍器からの発振周波数は、他の高調波に妨害されにくいため、周波数逓倍器装置及びその操作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の周波数逓倍器装置は、高調波発生器、高調波抑制器及び特定高調波応用装置を含んでいる。前記高調波発生器は、基本周波数を有する入力信号を受信して、第一高調波信号成分及び第二高調波信号成分を含む高調波信号を発生させる。前記高調波抑制器は、前記高調波信号を受信して、前記第一高調波信号成分を抑制し、前記第二高調波信号成分を高める。前記周波数逓倍器装置は、高められた前記第二高調波信号成分を受信する。 （もっと読む）

【課題】発振器の不安定動作を回避し低消費電力化を実現する発振器複合装置と方法の提供。
【解決手段】インダクタ（１１１）と容量（１１２）を含む共振回路（１１０）を備えた発振器（１００）と、前記発振器の発振出力信号を入力し、且つ、電源側からの電流パスを構成し前記電流パスの前記第１の電源と反対側の一端が前記発振器の前記インダクタ（１１１）の中点に接続された差動対を含む分周器（２００）とを、グランドと電源間に縦積みに配置し、分周器（２００）の直流供給電流端子（２３０）からグランド側に流れる直流電源電流を、発振器（１００）の電源電流として再利用する。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の変動を防止することができる発振装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのゲート電圧に応じて入力端子の信号を出力端子から出力するトランスファゲートＰＭ５，ＮＭ５と、トランスファゲートの出力端子の信号を入力し、入力した信号の論理反転信号を出力する第１のインバータＩＶ１と、第１のインバータの出力端子の信号を入力し、入力した信号の論理反転信号を出力する第２のインバータＰＭ６，ＮＭ６と、第１のインバータの出力信号の論理反転信号を入力し、入力した信号の論理反転信号をトランスファゲートの入力端子に出力する第３のインバータＰＭ４，ＮＭ４と、トランスファゲートの出力端子及び第２のインバータの出力端子間に接続される第１の容量Ｃ１と、トランスファゲートの出力端子及び基準電位ノード間に接続される第２の容量Ｃ２とを有する発振装置。 （もっと読む）

【課題】周波数可変範囲の広い発振回路及び発振回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の端子と第２の端子との間に接続されたインダクタンス素子と、インダクタンス素子と並列に第１の端子と第２の端子との間に接続された増幅回路と、第１の端子及び第２の端子に接続された第１の容量素子と、を備えた共振型発振回路であって、インダクタンス素子の配線の途中に２箇所以上の引き出し部を設け、２箇所以上設けた引き出し部の間にオンしたときに当該引き出し部間を短絡するスイッチ素子と第２の容量素子とが並列に接続されている。 （もっと読む）

温度補償ＣＭＯＳ ＲＣ発振回路は、抵抗と温度相関バイアス電流とを用いてソースバルク電圧を変化させて、温度に対するＭＯＳＦＥＴの閾値電圧の変動を安定させる。この温度層間バイアス電流はまた、抵抗を流れる。温度が上昇すると、バイアス電流も増え、ＭＯＳＦＥＴのソースバルク電圧を上昇させる。上昇したソースバルク電圧は、高い温度にてＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を安定させるのを補助する。この発振器には省電力ロジックも組み込まれており、低い電力消費で高い周波数が得られる。本発明では、得られる発振器が低出力設計となってしまう高利得オペアンプや高速比較器はなく、他のシステムとともにシングルチップに組み込むことができる。 （もっと読む）

制御信号に応じて設定可能インダクタンスを有する切換可能インダクタネットワークを提供するための技術。前記切り替え可能インダクタネットワークは、差動モード動作の寄生素子の影響を低減するために完全に対称的なアーキテクチャを採用することができる。前記切り替え可能インダクタネットワークは、特に、マルチモード通信回路への用途、例えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）またはそのような回路におけるアンプもしくはバッファに適している。 （もっと読む）

【課題】温度安定化された電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ３１０ａ、３１０ｂに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース３７０、３８０により供給されることができる。温度依存電圧ソース３７０、３８０は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ３１０ａ、３１０ｂ、３２０ａ、３２０ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】十分に高い周波数帯域において、広帯域にわたって柔軟に発振周波数を調整すること。
【解決手段】信号線１３１は、電源から直流電圧Ｖｄｃが印加されると、電源に接続された始端を節とし、終端を腹とする４分の３波長の定在波を発生させる。ストリップ１３２−１〜１３２−ｎは、それぞれスイッチ１３３−１〜１３３−ｎを介してグランド層に接続されている。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎは、切替制御部１４０による制御に従って、それぞれストリップ１３２−１〜１３２−ｎとグランド層との接続及び非接続を切り替える。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎの接続及び非接続を切り替えることにより、擬似的に信号線１３１とグランド層の間の距離が調節され、伝送線路部１３０における実効誘電率が変化して、定在波の周波数を調整することができる。 （もっと読む）

キャパシタンススイッチング素子（２００）が、トランジスタ（２０５、２１０）によって直列に接続された、第１のキャパシタ（２４０）と第２のキャパシタ（２４５）とを含む。トランジスタのゲートは、一組の抵抗器（２２０、２３０）を介して第１の信号（ｂ０／）によってバイアスをかけられ、ソースおよびドレインは、第２の組の抵抗器（２１５、２２５、２３５）を介して第２の信号（ｂ０）によってバイアスをかけられる。信号はレベルシフトされており、相補的であってよい。素子をオンにするためには、第１の信号（ｂ０／）をＶＤＤに設定することができ、第２の信号（ｂ０）をゼロに設定することができる。素子をオフにするためには、第１の信号（ｂ０／）をＶＤＤ／２の倍数に設定することができ、第２の信号（ｂ０）をＶＤＤ／２の倍数プラス１（the multiple plus one）に設定することができる。素子が発振器同調回路で使用されるとき、トランジスタの圧力ストレスが低減され、トランジスタを薄酸化物で製作することができる。発振器は、セルラアクセス端末のトランシーバにおいて使用されてもよい。
（もっと読む）

【課題】コンデンサへの充放電及び差動対を使用した発振回路において、回路規模や消費電力の増大を抑制しつつ安定した発振を可能とする。
【解決手段】トランジスタＭ１０は、トランジスタＭ１，Ｍ２からなる差動対に定電流ｉ１を供給する。Ｍ１には直列に抵抗Ｒ１が接続され、Ｍ１とＲ１との接続点の電位ＶＢがＭ２のゲートに印加される。一方、Ｍ１のゲートには、定電流ｉ２を生じるトランジスタＭ４と抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ１の並列接続体との接続点の電位ＶＡが印加される。Ｍ４は、Ｍ２のオフ期間に定電流ｉ２を供給し、オン期間に定電流の供給を停止する。抵抗Ｒ２，Ｒ１それぞれの抵抗値をｒ２，ｒ１として、（ｒ１・ｉ１）＝（ｒ２・ｉ２）を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の電源電圧や温度の変動がある場合においても、発振波形の周波数変動を低減させる。
【解決手段】リミッタＬｍ１は、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の電圧と、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値とを比較し、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の電圧が、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値を超えた場合、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の振幅を、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値に制限する。 （もっと読む）

【課題】 信号振幅が大きい高調波信号を提供することができる発振器を提供する。
【解決手段】 一導電型又は逆導電型の第１のＭＯＳトランジスタ２０と、第１のＭＯＳトランジスタ２０のドレイン端子に接続された負荷素子３０と、第１のＭＯＳトランジスタ２０のソース端子に接続され、高調波信号を出力する基本発振器４０とを備え、第１のＭＯＳトランジスタ２０のドレイン端子から、基本発振器４０から出力される高調波信号の増幅信号を出力することを特徴とする発振回路。 （もっと読む）

【課題】ＬＣの並列共振による電圧制御発振器を構成するための可変インダクタであって、小型かつＱ値の劣化を抑制した、複数周波数発振可能な可変インダクタを提供すること。
【解決手段】可変インダクタ１００は、線対称軸Ｙ−Ｙ’を有し、Ｙ−Ｙ’上の点Ｂを通るＹ−Ｙ’に関して線対称なインダクタ部Ｉｎｄ１及びＩｎｄ２を備える。インダクタ部Ｉｎｄ２は、点Ｂ以外でインダクタ部Ｉｎｄ１と交わらず、インダクタ部Ｉｎｄ１及びＩｎｄ２は共に曲線のみで構成される。インダクタ部Ｉｎｄ１の線路長はＩｎｄ２の線路長よりも短い。Ｉｎｄ１は、Ｙ−Ｙ’上の点Ｚ１を中心点とした円周上の円弧で構成され、端子Ｄ’から点Ｂを通って端子Ｄ’とＹ−Ｙ’に関して線対称な端子Ｄ’’まで延在する。Ｉｎｄ２は、Ｙ−Ｙ’上の点Ｚ２を中心点とした円周上の円弧で構成され端子Ｅ’から点Ｂを通って端子Ｅ’とＹ−Ｙ’に関して線対称な端子Ｅ’’まで延在する。 （もっと読む）

【課題】製造バラツキ等による、Ｓ／Ｎ比の劣化が発生すると、出力信号の品質が劣化する可能性がある
【解決手段】本発明は、振幅制御値に応じて動作状態となる個数が変化する複数の第１電流源と、前記複数の第１電流源から出力されるバイアス電流値の合計値に応じて振幅が制御される出力信号を生成する信号生成回路と、振幅設定値に応じて動作状態となる個数が変化する複数の第２電流源と、前記複数の第２電流源から出力される振幅設定電流の合計値と前記出力信号の振幅に応じて生成される振幅検出電流との差に基づき振幅検出信号を出力する振幅検出回路と、前記振幅検出信号に基づき前記振幅制御値を変更する制御回路と、を有する発振回路である。 （もっと読む）

【課題】基準周波数生成回路は、ロジック回路の電源ノイズの影響を受けて、周波数偏差やピリオドジッターの悪化を引き起こしていた。
【解決手段】ＣＰＵや周辺回路などのロジック回路１２の電源はレギュレータ１３より供給し、基準周波数生成回路１１の電源には電源の高周波ノイズを１０ｄＢ以上の減衰量を持つローパスフィルター１０を介してから供給する。これによりロジック回路１２で発生する高周波ノイズ起因での周波数偏差やジッターの悪化を抑えることができ、この基準周波数をＵＡＲＴシリアル回路に接続して通信ができる。 （もっと読む）

調節可能な発振周波数を有する発振器は、端子で負性入力抵抗を示している能動素子、負性入力抵抗を示しているその能動素子の端子と連結した発振回路、および、その発振器の発振周波数が調節可能である調節可能なオーム抵抗を有する素子を含む。 （もっと読む）

【課題】可変容量ダイオードの最小サイズに制限を有する半導体集積化プロセスによる複数のバッファ回路を用いたＶＣＯにおいて、制御電圧の変化に対する発振周波数の変化を必要に応じて小さくできるようにしたバッファ回路を提供すること。
【解決手段】カスコード接続されたトランジスタＱ１〜Ｑ４とＬ１、Ｌ２ インダクタＬ１、Ｌ２により形成されているバッファ回路において、時定数回路素子を構成する可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２をトランジスタＱ３、Ｑ４のソース端子側に接続したもの。基本動作上でトランジスタＱ３、Ｑ４のソース端子の電圧変動が小さくなるので、電圧制御端子Ｖcont１に印加する電圧を変化させたときの可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２による静電容量の変化が小さくなる。制御電圧の変化に対して静電容量の変化が小さくなれば、ＶＣＯに適用したときに制御電圧の変化に対する発振周波数の変化が抑制され、安定度が向上する。 （もっと読む）

【課題】制御電圧に対する可変容量の容量値の変化の線形性を向上して位相ノイズを低減した電圧制御発振回路の実現。
【解決手段】制御電圧に応じて発振周波数が変化する発振信号OUT,OUTXを出力する電圧制御発振回路において、印加電圧に応じて容量値が変化する複数の可変容量VAC1-VAC4と、制御電圧を分圧して複数の可変容量に印加する分圧電圧VT,VT1-VT3を生成する分圧電圧生成部R1-R4と、を備える。 （もっと読む）