【課題】増幅用のトランジスタに帰還容量成分Ｃ１及び結合容量成分Ｃ２の直列回路を接続したコルピッツ発振回路を用いた電圧制御発振器において、部品点数の削減に寄与できる技術を提供すること。
【解決手段】トランジスタ２１のベースに接続された第１の伝送線路４１とトランジスタ２１のエミッタとアースとの間に接続された第２の伝送線路４２と、を備え、第１の伝送線路４１及び第２の伝送線路４２を互いに接近させて両者の間に線路間容量成分を形成する。この線路間容量成分を前記帰還容量成分Ｃ１として利用すると共に第２の伝送線路４２とアースとの間に形成される寄生容量成分を前記結合容量成分Ｃ２として利用する （もっと読む）

【課題】温度変化に対して発振周波数が安定である発振装置を提供すること。
【解決手段】所定の周波数で発振する発振装置１０において、増幅素子を有し、当該増幅素子の動作点によって発振周波数が変化する発振回路１１と、温度に応じて発振回路の動作点を調整することにより、発振回路の温度による発振周波数のずれを調整する調整回路１５と、を有することを特徴とする発振装置。 （もっと読む）

【課題】設計および製造が容易で、装置のサイズが小さい帰還型発振装置を提供すること。
【解決手段】帰還型発振装置１において、入力端子から入力された信号を増幅して出力端子から出力するバイポーラトランジスタ１０と、マイクロストリップラインによって構成され、バイポーラトランジスタの出力端子と入力端子とを結合して出力端子から入力端子に所定の周波数の信号を帰還してバイポーラトランジスタを発振させる結合回路１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ばらつき条件（温度、電源電圧、経年変化等）下の安定動作を補償しかつ低ゲインの電圧−周波数特性を実現できる位相同期回路を提供する。
【解決手段】バラクタアレイを有するＶＣＯ１０１と、ＶＣＯ１０１の特性をモニターするモニター回路１０２と、モニター結果に応じてバラクタアレイに供給するオフセット量を切り替えるオフセット発生回路１０３とを備える。ばらつき条件下のＶＣＯの特性をモニターした結果からバラクタアレイのオフセット量を調整することで、位相同期回路の動作不良を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振器の制御利得を発振周波数に対して比較的一定に維持し、位相ノイズを低減したプログラマブルバラクタ装置を提供する。
【解決手段】プログラマブルバラクタ装置１００は、複数のデジタルバラクタビットＢ０、Ｂ１、Ｂ２によって制御される複数のバイナリ重み付けバラクタ１０４，１０６，１０８を含み得る。プログラマブルバラクタ装置は、複数のバイナリ重み付けバラクタと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとする制御とを含み得る。プログラマブルバラクタ装置の実効容量を変化させる方法は、複数のバイナリ重み付けバラクタを設けることと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとすることとを含み得る。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成でＶＣＯそのものを利用して個々のＶＣＯの温度補償を含む直線性補償を行うこと。
【解決手段】制御部２０は、２種類の電圧「Ｖ１、Ｖ２」をＶＣＯ１０に供給し、その２種類の電圧「Ｖ１、Ｖ２」に対するＶＣＯ１０の出力信号の２種類の周波数「ｆ１、ｆ２」を検出して、横軸を電圧（Ｖ）とし縦軸を周波数（ｆ）とした場合の直線である「ｆ＝ａ・Ｖ＋ｂ（ａは傾き、ｂは切片）」の係数（ａ、ｂ）を求める。次いで、制御部２０は、ＶＣＯ１０からの出力信号の周波数が「Ｆｏ」となる電圧「Ｖｏ」を「Ｖｏ＝（Ｆｏ−ｂ）／ａ」なる演算式によって求め、求めた電圧「Ｖｏ」をＶＣＯ１０に供給する。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音を劣化させずに２倍波の出力電力を増加できる高周波発振器を得る。
【解決手段】 第１から第３の端子を有する能動素子と、前記第１と第２の端子にそれぞれ接続され、所要の周波数において誘導性となる第１と第２のリアクタンス回路と、前記第３の端子に接続され、前記所要の周波数において容量性となる第３のリアクタンス回路と、前記能動素子の前記第３の端子と前記第３のリアクタンス回路の間に並列に接続され、前記所要の周波数の２倍の周波数においてインピーダンスがショートとなる第４のリアクタンス回路と、前記能動素子の前記第３の端子と前記第３のリアクタンス回路の間に並列に接続され、前記所要の周波数におけるリアクタンスが、前記所要の周波数における前記第４のリアクタンス回路のリアクタンスと絶対値が等しく符号が逆となる第５のリアクタンス回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数とは別の周波数を生成するための回路を別途設けることなく、発振周波数を補正することができるようにする発振周波数補正信号発生回路を提供する。
【解決手段】発振信号を互いに異なる遅延時間にて遅延させて複数の遅延信号を生成し、当該遅延信号の各々に基づくタイミングにて当該発振信号を１周期単位でサンプリングして周期毎のサンプル値群を生成し、互いに異なる時点の２つの測定対象周期における当該サンプル値群の一連のサンプル値を比較してその比較結果に応じて前記補正信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Ｃparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Ｌと、容量素子Ｃと、増幅器３０と、をそれぞれ第１の端子と第２の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第１の端子と第２の端子とから出力する発振器であって、第１の端子と第２の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Ｒ_Ｌより抵抗値の大きな第１の抵抗素子Ｒｃが第１の端子と第２の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型化及び低消費電力化を図ることができる磁気同調デバイス駆動回路及びそれを備えた測定装置並びに磁気同調デバイス駆動方法を提供する。
【解決手段】磁気同調デバイス駆動回路１０は、固定電圧を出力する電源に接続され、印加された出力電圧制御信号に応じた電圧を出力するスイッチング電源回路１１と、スイッチング電源回路１１の出力電圧を所望の同調周波数に応じた電流に変換して同調コイル５１に供給する定電流回路１２と、同調コイル５１の電圧の絶対値を所定値だけ大きくするシフト電圧を供給するシフト電圧供給部１３と、電流が供給された同調コイル５１の電圧とシフト電圧とを加算し、加算後の電圧を出力電圧制御信号としてスイッチング電源回路１１に出力する加算回路１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でキャリブレーションができる回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】回路装置は、無線による送信処理を行う送信回路１００と、送信回路１００を制御する制御部１１０とを含む。制御部１１０は、第１の送信期間では、送信回路１００のキャリブレーションパラメーターＣＬＰとして、第１のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ１を設定し、送信回路１００は、第１の送信期間では、第１のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ１に基づく第１の送信処理を行う。制御部１１０は、第２の送信期間では、キャリブレーションパラメーターＣＬＰとして、第１の送信処理での送信状態の検出結果に基づいて更新された第２のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ２を設定し、送信回路１００は、第２の送信期間では、第２のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ２に基づく第２の送信処理を行う。 （もっと読む）

【課題】小型に構成され、高調波と基本波との電力比を増加可能な高周波発振器を得る。
【解決手段】印加された電源電圧に基づいて、発振周波数の基本波で発振動作を行い、発振周波数の２倍波を出力する２倍波取り出し型発振器１０と、２倍波取り出し型発振器１０の出力端子に接続され、発振周波数の２倍波を通過帯域とする出力回路２０とを備え、出力回路２０は、２倍波取り出し型発振器１０に電源電圧を供給する電源端子２１と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する結合線路２２と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する伝送線路２３と、結合線路２２の結合量に応じた出力電力を得る第１負荷抵抗２４と、電源端子２１に対して並列に接続されたキャパシタ２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】休止期間は消費電力を削減すると共に起動特性のよい発振器を提供する。
【解決手段】発振信号がコールドスタートからの規定の定常状態条件に達する時を早める回路を含んでいる発振信号を生成するための装置。装置は、発振信号を生成するための発振回路４１２と、前記発振回路に第１の電流を供給する第１の制御可能電流源４０４と、発振回路に第２の電流を供給する第２の制御可能電流源４０８と、を含み、第１および第２の電流は、発振信号が規定の定常状態条件に達するための時間分を縮小するのに適している。装置は、１以上の通信チャネルを確立するために低い負荷サイクルパルス変調を用いる通信システムに有益であるかもしれず、それによって装置はパルスのほぼ始めで発振信号を生成し始め、パルスのほぼ終わりに発振信号を終了する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＶＣＯを備えた半導体装置において、発振信号の発振振幅のばらつきの抑制および低消費電力化を実現する。
【解決手段】ＶＣＯ３０は、ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＬＣタンクＶＣＯと、ＶＣＯの発振周波数帯域から一の発振周波数を選択するための周波数選択信号を生成する自動周波数選択回路４２と、ＶＣＯの制御電圧を生成するＰＬＬ３２と、周波数選択信号に基づいて差動型のＭＯＳトランジスタのゲートに供給するバイアス電圧を調整するバイアス回路５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＲＣ発振器によりクロック信号を生成するシステムにおいて、クロック信号の周波数を大きく変動させずに補正して規定の範囲に保つことのできる電子機器およびクロック補正方法を提供することにある。
【解決手段】 ＲＣ発振器の抵抗または容量の設定を切り替えてクロック信号の周波数を複数段階に変更可能な周波数変更手段と、この複数段階の変更量を表わしたトリミングテーブルを記憶する記憶手段と、周波数変更手段の設定を切り替えてクロック信号の周波数を補正するクロック補正制御手段とを備えた電子機器およびそのクロック補正方法である。そして、クロック補正制御手段は、トリミングテーブルのデータに基づき、クロック信号の周波数を補正前の周波数から規定の周波数へ次第に近づいていくように周波数変更手段の設定を切り替えて（Ｓ７，Ｓ８）、クロック信号の周波数を補正する。 （もっと読む）

【課題】、数百メガヘルツの発振周波数を有する発振信号を出力する場合において、半導体集積回路内に設けられた他の回路の特性劣化を抑制することができる発振回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の内部に設けられた内部キャパシタと、半導体集積回路の外部に設けられた外部キャパシタ及び外部インダクタとからなる共振回路と、共振回路に入力端及び出力端が接続された増幅回路と、を有し、共振回路は、内部キャパシタ、外部インダクタ、並びに内部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなる第１閉回路と、外部キャパシタ、外部インダクタ、並びに外部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなり、第１閉回路の配線抵抗よりも小なる配線抵抗を有する第２閉回路と、を有することを特徴とする発振回路。 （もっと読む）

【課題】携帯機と車載器との間で無線通信を行うに際し、車載器に使用される振動子の発振周波数の温度ばらつきを軽減する。
【解決手段】受信ＩＣ２２には車載器２０の温度を測定する第２温度センサ２７が内蔵されている。そして、補正部２３は、携帯機１０の第１振動子１１および車載器２０の第２振動子２１の周波数温度特性のデータマップがそれぞれ記憶されており、受信ＩＣ２２から携帯機１０の温度を示す送信側温度情報を入力すると共に第２温度センサ２７から車載器２０の温度を示す受信側温度情報を入力し、送信側温度情報、受信側温度情報、およびデータマップに基づいて取得したオフセット値を第２振動子２１に付加することで、第２振動子２１の第２周波数を第１振動子１１の第１周波数に近づける補正を行う。 （もっと読む）

【課題】集積回路上に構成可能で、容量可変比率が大きくかつＱ値が高く、ＶＣＯを構成した時に直線性の高い制御電圧と発振周波数の関係を実現する電圧可変型容量を提供すること。
【解決手段】下部電極を共通接続した複数のＭＯＳ型容量素子（CM1〜CMn）と、該複数のＭＯＳ型容量素子の上部電極に一端を接続し、他端を共通接続する同数の非電圧可変型容量（C1〜Cn）と、これらのＭＯＳ型容量素子と非電圧可変型容量の接続点に夫々異なる固定バイアス電圧を与える手段（VB1〜VBn及び抵抗）により構成され、前記複数のＭＯＳ型容量の共通接続された下部電極に制御電圧を加える。 （もっと読む）

【課題】小型で周波数特性の良好な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器（ＶＣＯ）の共振部１は、共振周波数の調整を行うために静電容量が変化する可変容量素子１３、１４と、インダクタンス素子１１と、を含み、エミッタ接地型のトランジスタ２１はこの共振部１からベース端子Ｔ１に入力された周波数信号を増幅する。帰還部２は帰還用の容量素子２２、２３を含み、前記トランジスタ２１のエミッタ端子Ｔ２から出力された周波数信号を、前記ベース端子Ｔ１を介してトランジスタ２１に帰還させる。そして前記ベース端子Ｔ１に印加されるバイアス電圧を調整するためのベース・ブリーダ抵抗Ｒ２、Ｒ３及びトランジスタ２１が共通の集積回路３内に形成され、トランジスタ２１の動作点を調整するためにエミッタ抵抗Ｒ１はこの集積回路３外に別体の抵抗素子として設けられる。 （もっと読む）