【課題】入力振幅の大きさに依存することなく適切な発振振幅を得ることができる、消費電流が少なく、かつ簡略化された周波数逓倍回路を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳインバータのＰＭＯＳＦＥＴ２１、ＮＭＯＳＦＥＴ２２の少なくともどちらか一方に流れる発振電流を個々に制御する電流制御用素子２３、２４と、発振電流の交流成分のみを通過させる容量１０、１１と、容量１０、１１を通過した交流信号を加算処理して逓倍信号を出力する加算手段とから成り、加算手段は、電流制御用素子２３、２４とともに基準電圧によりオフセットされているため、ＣＭＯＳインバータの各ＦＥＴに流れる電流を任意に制限することができ、入力振幅の大きさに依存しない適切な発振振幅を得られる。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成で応答性をよくし、切り替えられる発振信号の各周波数で同一電圧振幅を得られる電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】ＬＣタンク回路１に第１及び第２のキャパシタ群１１，１２を備える、第１及び第２のキャパシタ群１１，１２はそれぞれ２つのキャパシタＣ１，Ｃ２を備える。負性コンダクタンス部２により、ＬＣタンク回路１の共振信号をフィードバックして相互１８０°の位相差を有する２つの発振信号を生成し、２つの出力端ｏｕｔ１，ｏｕｔ２から出力する。電流源３１，３２からなる電流源３から負性コンダクタンス部２を介してＬＣタンク回路１に電流を供給する。制御信号を、ＣＭＯＳスイッチからなる電流源スイッチ４，第１キャパシタスイッチ５及び第２キャパシタスイッチ６に与え、電流源群３から供給する電流とＬＣタンク回路１のキャパシタンスを切り替える。 （もっと読む）

【課題】バイアス抵抗の抵抗値を大きい値に維持して省電力化及び発振効率の向上を図りつつ、広帯域の変調信号に対応することができる電圧制御発振器及びそれを備えた無線通信装置を提供すること。
【解決手段】
印加される電圧に応じて静電容量値が変化するバラクタＭ１，Ｍ２を有し、当該バラクタＭ１，Ｍ２に制御端子Ｔ２を介して印加される制御信号に応じて共振周波数が変化する共振回路３０と、共振回路３０と並列に接続された負性抵抗回路４０とを備え、制御信号の逆相信号が制御端子Ｔ３を介して印加されるキャパシタＣ３、Ｃ４をバラクタＭ１，Ｍ２に接続した。 （もっと読む）

【課題】小型でしかもＱ値を向上させることが可能な周波数可変共振器を提供すること。
【解決手段】本発明一例の周波数可変共振器は、交流電源に一端を接続された第１のインダクタと、前記交流電源の他端にカソード端子を接続され、所定の直流電圧を印加される可変容量ダイオードと、この可変容量ダイオードのアノード端子に一端を接続され、他端を前記第１のインダクタの他端に接続され前記可変容量ダイオードに印加される逆バイアス電圧をカットする第１のコンデンサとからなる直列共振回路と、並列接続された第２のインダクタ及び第２のコンデンサからなり、前記第１のインダクタと第１のコンデンサとの接続点に一端を接続され、他端を前記可変容量ダイオードのカソード端子に接続され、前記直列共振回路の共振周波数とほぼ同じ共振周波数を有する並列共振回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】制御電圧入力端子の個数を減少させることができる新規な可変インダクタならびにその新規な可変インダクタを備える電圧制御発振器、複合型ＰＬＬ回路、フィルタ回路および増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の可変インダクタ５においては、複数のインダクタンス素子６１、６２、６３、６４におけるそれぞれの接続点とグランド１０との間にそれぞれ接続された複数のスイッチダイオード７Ａ、７Ｂ、７Ｃのそれぞれの一端側に対して、複数の定電圧入力端子８Ａ、８Ｂ、８Ｃを介して、互いに異なる定電圧がそれぞれ供給されている。また、本実施形態の可変インダクタ５においては、複数のスイッチダイオード７Ａ、７Ｂ、７Ｃにおけるそれぞれの他端側に対して、１個の制御電圧入力端子９を介して、制御電圧が供給されている。 （もっと読む）

【課題】コルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、帰還部の２つのコンデンサ間とトランジスタのエミッタとを接続する導電線路におけるインダクタンス成分の影響による出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えることのできる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】コルピッツ回路を用いたＶＣＯにおいて、帰還部２のコンデンサ２２、２３について、トランジスタ２１のベースから伸びる端子部８（Ｔ１）及び前記トランジスタ２１のエミッタから伸びる端子部８（Ｔ２）が夫々装着されるベース基板５上のベース用端子（接続部７）とエミッタ用端子とを直結するように第１の帰還容量素子（コンデンサ）２２を配置すると共に、上記エミッタ用端子とアース用端子（接地電極５１）とを直結するように第２の帰還容量素子（コンデンサ）２３を配置する。 （もっと読む）

【課題】 スルーホールを削減してプリント基板の製造コストアップを防ぎ、基板の線膨張率の違いによる発振周波数ずれを防ぎ、基板に窓を空ける必要がなく、発振周波数範囲が狭くなるのを防ぎ、かつ中心周波数の調整が可能なマイクロ波発振回路の提供。
【解決手段】 マイクロ波発振回路１００は、上部基板１と、その表面に設けられる第１表層パターン２と、第１表層パターン上に設けられ第１表層パターンと電気的接続される可変容量素子３と、上部基板の表面の第１表層パターンとは異なる位置に設けられる第２表層パターン４と、第２表層パターン上に設けられ第２表層パターンと電気的接続される発振素子５と、上部基板の裏面に設けられる第１および第２裏面パターン６，７と、下部基板８と、下部基板の表面に設けられる第３表層パターン９と、下部基板の裏面に設けられる第３裏面パターン１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】周波数可変範囲の広い発振回路及び発振回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の端子と第２の端子との間に接続されたインダクタンス素子と、インダクタンス素子と並列に第１の端子と第２の端子との間に接続された増幅回路と、第１の端子及び第２の端子に接続された第１の容量素子と、を備えた共振型発振回路であって、インダクタンス素子の配線の途中に２箇所以上の引き出し部を設け、２箇所以上設けた引き出し部の間にオンしたときに当該引き出し部間を短絡するスイッチ素子と第２の容量素子とが並列に接続されている。 （もっと読む）

本開示は、周波数シンセサイザ内での周波数の生成における使用のための発振器であって、少なくとも１つの巻きを伴って金属線ループを形成する第１の誘導素子と、前記第１の誘導素子との間で第１の共振回路を形成するように構成され、少なくとも１つの第１の接続端子を通じて前記第１の誘導素子と接続される第１の容量回路と、を備え、前記第１の容量回路は、少なくとも１つの容量素子、並びに、発振を確立し及び維持するように構成される電子コンポーネント配置を含む、発振器に関する。当該発振器は、少なくとも１つの容量素子と電子コンポーネントの配置とを含む第２の容量回路が、前記第１の誘導素子との間で第２の共振回路を形成するように構成され、前記第１の容量回路の前記第１の接続端子に対して前記第１の誘導素子の反対側に位置する少なくとも１つの第２の接続端子を通じて前記第１の誘導素子と接続されることと、前記第１及び第２の共振回路が実質的に同等の周波数にチューニングされることと、を特徴とする。本発明は、周波数シンセサイザ及び通信ネットワーク内での使用のためのネットワークノードにも関する。 （もっと読む）

【課題】良好な高周波特性を維持しつつ、増幅器の使用周波数帯域切換えが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】結合係数ｋ１を有し、互いに並列に接続されるコイルＬ１１及びコイルＬ１２と、コイルＬ１１及びコイルＬ１２に直列に接続されるコイルＬ１３と、コイルＬ１１に並列に接続されるコンデンサＣ１１と、コイルＬ１２に並列に接続されるコンデンサＣ１２と、コイルＬ１１の一端と、コンデンサＣ１１の一端とに接続される入力端子ｐ１と、コイルＬ１２の一端と、コンデンサＣ１２の一端とに接続される入力端子ｎ１と、入力端子ｐ１と、入力端子ｎ１とにそれぞれ逆位相の入力信号を供給する入力信号供給部２００とから構成されることを特徴とする半導体集積回路。 （もっと読む）

温度補償ＣＭＯＳ ＲＣ発振回路は、抵抗と温度相関バイアス電流とを用いてソースバルク電圧を変化させて、温度に対するＭＯＳＦＥＴの閾値電圧の変動を安定させる。この温度層間バイアス電流はまた、抵抗を流れる。温度が上昇すると、バイアス電流も増え、ＭＯＳＦＥＴのソースバルク電圧を上昇させる。上昇したソースバルク電圧は、高い温度にてＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を安定させるのを補助する。この発振器には省電力ロジックも組み込まれており、低い電力消費で高い周波数が得られる。本発明では、得られる発振器が低出力設計となってしまう高利得オペアンプや高速比較器はなく、他のシステムとともにシングルチップに組み込むことができる。 （もっと読む）

制御信号に応じて設定可能インダクタンスを有する切換可能インダクタネットワークを提供するための技術。前記切り替え可能インダクタネットワークは、差動モード動作の寄生素子の影響を低減するために完全に対称的なアーキテクチャを採用することができる。前記切り替え可能インダクタネットワークは、特に、マルチモード通信回路への用途、例えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）またはそのような回路におけるアンプもしくはバッファに適している。 （もっと読む）

【課題】共振回路における発振周波数の公差を低減し、ＰＬＬ回路に用いられる論理回路の低電圧化傾向の下でも、発振周波数の高周波化を図る。
【解決手段】発振周波数を可変制御するＬＣ同調型の電圧制御発振器において、発振用トランジスタ１のエミッタ側で、接地電位となる一対のスルーホールＨ1 ，Ｈ2 の間に、同一線路長のマイクロストリップ線路からなる２つのショートスタブＰ1 ,Ｐ2 を形成し、これらショートスタブＰ1 とＰ2 との間に上記トランジスタ１のエミッタを接続する。即ち、ショートスタブＰ1 とＰ2 は、エミッタ接続点を中心に対称となる位置で並列に接続される。また、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 でＤＣカットされたバラクタＣｖのカソードに、０〜５Ｖの制御用電圧Ｖｔを印加すると共に、アノードに、基準電圧源６から例えば−５Ｖの基準電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】マイクロストリップラインのトリミングによってＱ値の劣化を招くことなく、各種の周波数帯への調整を可能とする。
【解決手段】電圧制御発振器は、発振用トランジスタのベースに接続された共振回路を有しており、この共振回路には、バラクタダイオードとともにマイクロストリップライン１０が設けられている。マイクロストリップライン１０は、その一端が制御端子に接続されており、他端がビア７を介してグランド電極に接続されている。またマイクロストリップライン１０は、その一端に位置する入力導体部１０ｂから他端に位置する接地導体部１０ｅに至る導電路がスパイラル形状をなしており、導電路の途中が粗調用導電体１０ａを介してグランドに接続されている。 （もっと読む）

【課題】高品質のクロック信号を分配することができるクロック信号分配装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１のインダクタ及び第１の容量に応じた周波数で共振して信号を発振する複数のＬＣ共振発振器（３０２，３０３）と、第２のインダクタ及び第２の容量に応じた周波数で共振し、入力クロック信号に同期した信号を発振する注入同期型ＬＣ共振発振器（３０１）と、前記複数のＬＣ共振発振器及び前記注入同期型ＬＣ共振発振器の発振ノードを接続する伝送線路（３１１，３１２）とを有することを特徴とするクロック信号分配装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】発振回路の発振周波数を広帯域に制御可能でＩＣ化に適した比較的小規模な発振回路を提供する。
【解決手段】一方の電源に接続される電流源と、他方の電源に接続されて誘導起電力によって電流を変動させる１組の負荷インダクタと、前記電流源と前記負荷インダクタとそれぞれに結合する１組の差動回路と、前記一方の差動回路の入力と前記他方の差動回路の出力との間に抵抗値を制御可能な可変抵抗を備えて正帰還が掛るように構成されて、前記可変抵抗の抵抗値に対応して発振周波数が定まる高周波発振回路である。 （もっと読む）

【課題】共振器型発振器のＱ値などの特性を高く維持させた設計をより容易に行えるようにする技術を提供する。
【解決手段】静電容量Ｃaの２ⁿ倍（ｎは０〜５までの整数）となっている計６個）のコンデンサ２１１ａ〜ｆが並列に接続され、それらコンデンサ２１１ａ〜ｆにはスイッチ２１２ａ〜ｆがそれぞれ直列に接続されている。コンデンサ２１１ａ〜ｆは、静電容量が大きいものほど、インダクタと接続させる配線４０２の長さが短い位置に配置されている。それにより、出力する信号の周波数が低くなるほど、配線４０２の抵抗がＱ値に及ぼす影響を低減させる。 （もっと読む）

【課題】発振回路の出力周波数範囲を従来に対して拡大方向にもっていくことにより、発振周波数を目的とする周波数に合致させ易くした電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】発振に寄与するトランジスタＴｒのソース端子に、第１の誘導性素子Ｔｓｃと、印加される電圧により容量が変化するダイオード素子Ｃ１〜Ｃ４により構成される容量性素子を直列接続したもの、が接続されているとともに、トランジスタＴｒのソース端子に、第２の誘導性素子Ｔｓの一端が接続されており、第２の誘導性素子Ｔｓの他端が接地されており、トランジスタＴｒのゲート端子に、第３の誘導性素子Ｔｇを介してバイアス電圧端子Ｖｇｇが接続されており、トランジスタＴｒのドレイン端子に、出力側の回路３を介して出力端子Ｖｏｕｔが接続されている。 （もっと読む）

【課題】温度安定化された電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ３１０ａ、３１０ｂに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース３７０、３８０により供給されることができる。温度依存電圧ソース３７０、３８０は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ３１０ａ、３１０ｂ、３２０ａ、３２０ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】十分に高い周波数帯域において、広帯域にわたって柔軟に発振周波数を調整すること。
【解決手段】信号線１３１は、電源から直流電圧Ｖｄｃが印加されると、電源に接続された始端を節とし、終端を腹とする４分の３波長の定在波を発生させる。ストリップ１３２−１〜１３２−ｎは、それぞれスイッチ１３３−１〜１３３−ｎを介してグランド層に接続されている。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎは、切替制御部１４０による制御に従って、それぞれストリップ１３２−１〜１３２−ｎとグランド層との接続及び非接続を切り替える。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎの接続及び非接続を切り替えることにより、擬似的に信号線１３１とグランド層の間の距離が調節され、伝送線路部１３０における実効誘電率が変化して、定在波の周波数を調整することができる。 （もっと読む）