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Fターム[5J081KK02]の内容

LC分布定数、CR発振器 (9,854) | 制御手段及び要因 (1,418) | 制御対象 (468) | 周波数 (387)

Fターム[5J081KK02]に分類される特許

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【課題】高温環境下でも正常に動作してセンサの測定値を正確に求めることができるようにする。
【解決手段】本発明のモニタリング装置1は、センサ2と、このセンサ2が接続され且つワイドバンドギャップ半導体を使用した発振器を備えたインタフェース3と、インターフェース3とは別に配置され且つインターフェース3から出力された発振信号を処理する演算装置4とを備えている。発振器は、基準となる発振信号を出力する第1発振器6aと、センサ2の出力に基づいて発振信号を出力する第2発振器6bとから構成されている。第演算装置4は、第1発振器6aからの発振信号と第2発振器6bからの発振信号とに基づいてセンサ2で測定した測定値を算出する演算部15とを備えている。 (もっと読む)


【課題】小型で周波数特性の良好な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器(VCO)の共振部1は、共振周波数の調整を行うために静電容量が変化する可変容量素子13、14と、インダクタンス素子11と、を含み、エミッタ接地型のトランジスタ21はこの共振部1からベース端子T1に入力された周波数信号を増幅する。帰還部2は帰還用の容量素子22、23を含み、前記トランジスタ21のエミッタ端子T2から出力された周波数信号を、前記ベース端子T1を介してトランジスタ21に帰還させる。そして前記ベース端子T1に印加されるバイアス電圧を調整するためのベース・ブリーダ抵抗R2、R3及びトランジスタ21が共通の集積回路3内に形成され、トランジスタ21の動作点を調整するためにエミッタ抵抗R1はこの集積回路3外に別体の抵抗素子として設けられる。 (もっと読む)


【課題】従来の可変容量素子は、容量値の精度が低い問題があった。
【解決手段】本発明の可変容量素子は、第1の電源端子と出力端子CTOPとの間に接続される第1の容量素子C1と、容量切替信号CSELに応じて導通状態が切り替えられる容量選択スイッチN1と、第1の容量素子C1と並列に接続され、かつ、容量選択スイッチN1と直列に接続される第2の容量素子C2と、容量選択スイッチN1が遮断状態とされる状態において、出力端子CTOPをリセット電圧にリセットする電荷リセット信号INITBに応じて、第2の容量素子C2と容量選択スイッチN1とを接続する容量切替ノードNDaの電圧と出力端子CTOPの電圧とを実質的に同じ電圧に設定する誤差補正回路10と、を有する。 (もっと読む)


【課題】発振周波数が安定するまでに要する時間の短い発振回路及び電子機器を提供する。
【解決手段】周波数補正回路を有する共振回路と、前記共振回路の両端の間に接続された増幅回路とを備えた発振回路が提供される。前記周波数補正回路は、第1のコンデンサと、両端の電位が変動可能に前記第1のコンデンサと直列的に接続された第1のトランジスタと、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】入力電圧に対する出力電流の動作範囲の拡大できる電圧電流変換回路を提供する。
【解決手段】入力電圧INがトランジスターM4の閾値電圧以下の場合には、トランジスターM4はオフである。一方、トランジスターM9によって入力電圧INがレベルシフトされる。そのレベルシフト後の印加電圧VAによってトランジスターM10がオンし、M10に流れるI10が、トランジスターM1に流れるI1となる。また、入力電圧INがM4の閾値電圧を超える場合には、M4がオンし、M4に流れるI4と、M10に流れるI10との和が、M1に流れるI1となる。そして、M1,M2,M3によって形成されるカレントミラー回路によって、M1に流れるI1に応じた電流が、負荷回路10,12に供給される。 (もっと読む)


【課題】VCOに含まれるスパイラルインダクタとMOSバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および/または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】LCタンクVCOは、第1および第2のスパイラルインダクタL1,L2と、第1および第2のMOSバラクタC1,C2とを備える。第1および第2のMOSバラクタC1,C2は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第1のスパイラルインダクタL1と第2のスパイラルインダクタL2の間の領域に配置される。 (もっと読む)


【課題】小型かつノイズ抑制に優れる発振回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振回路100は、インバータ1及び2、タンク回路3を有する。タンク回路3は、出力ノードOUTTと出力ノードOUTBとの間に並列に接続される。インバータ1は、ドレインが出力ノードOUTBに接続されたn型MISトランジスタM1及びp型MISトランジスタM3を有する。インバータ2は、ドレインが出力ノードOUTTに接続されたn型MISトランジスタM2及びp型MISトランジスタM4を有する。p型MISトランジスタM3及びM4のゲート端子は、それぞれ出力ノードOUTT及びOUTBと直接的に接続される。n型MISトランジスタM1及びM2のゲート端子は、それぞれ結合容量CG1及びCG2を介して出力ノードOUTT及びOUTBと接続され、抵抗CG1及びCG2を介してバイアス電圧VBIASが印加される。 (もっと読む)


【課題】後段にフィルタを挿入しなくても、低歪みの発振波形を得ることが可能な発振器を提供する。
【解決手段】発振器100は、MOSFETである第1トランジスタM1および第2トランジスタM2を有するクロスカップルドインバータ10を備える。この発振器100は、発振動作中に、第1トランジスタM1、第2トランジスタM2それぞれのゲートソース間電圧Vgs1、Vgs2、ドレインソース間電圧Vds1、Vds2、ゲートソース間しきい値電圧Vth1、Vth2の間に、
Vds1≧Vgs1−Vth1
Vds2≧Vgs2−Vth2
なる関係が成り立つよう構成される。 (もっと読む)


【課題】従来の発振回路では、出力信号のジッタを抑制できない問題があった。
【解決手段】本発明の発振回路は、発振周波数設定電流に基づき蓄積された電荷量に応じて発振周波数制御電圧Vcpを生成するフィルタコンデンサCpumpと、発振周波数制御電圧Vcpに応じて出力する発振信号Foutの周波数を変動させる発振器30と、発振信号Foutの周期に基づき論理レベルが切り替えられるタイミング制御信号を生成する制御回路40と、タイミング制御信号に基づき発振信号Foutの周期の長さに応じて連続的に電圧レベルが変化する周波数検出電圧Vcapを生成する周波数検出回路10と、周波数検出電圧Vcapと基準電圧Vresとの電圧差に応じて発振周波数設定電流を連続的に可変してフィルタコンデンサCpumpに出力する差動増幅器20と、を有する。 (もっと読む)


【課題】周波数制御により生じるノイズを低減すると共に、制御線を減少させて消費電力および面積を削減することが可能なデジタル制御発振器を提供する。
【解決手段】発振器制御ワードに応じた発振周波数の発振信号を出力するデジタル制御発振器であって、Nビットの前記発振器制御ワードを、上位N−A(但し、A≧1で、N>A)ビットと下位Aビットに分割し、前記上位N−AビットをN−AビットのBynary制御を行う第1のコードOTWbに、前記下位Aビットを2^(A+1)−2ビットのUnary制御を行う第2のコードOTWuに変換して出力する制御手段と、前記制御手段から出力される前記第1および前記第2のコードに応じた発振周波数の発振信号を出力する発振器24と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】情報通信の安定化を図りうる通信装置を提供する。
【解決手段】通信装置は、送信機1と受信機2を含む。送信機1は、送信すべき情報INを変調して出力する変調回路3と、この変調回路3からの送信出力信号を放射する送信アンテナ電極4と、を有する。受信機2は 送信アンテナ電極4と対をなし、送信アンテナ電極4から放射された送信出力を受信する受信アンテナ電極5と、この受信アンテナ電極5と送信アンテナ電極4との間に存在する準静電界の静電容量Cを回路要素として発振動作を行う発振回路6と、この発振回路6からの出力信号を復調する復調回路7と、を有する。 (もっと読む)


【課題】
発振周波数を切り替えたときの発振停止を抑制した発振回路を提供する。
【解決手段】
発振回路は,第1の基準電圧側に設けられた第1,第2のインダクタL,Lxと,第2の基準電圧と第1,第2のインダクタとの間にそれぞれ設けられゲートとドレインが交差接続された第1,第2のトランジスタP1,Px1と,第1,第2のインダクタンスそれぞれに接続され複数の周波数制御用キャパシタC0〜Cn,Cx0〜Cxnを並列に有する第1,第2のキャパシタ群と,第1,第2のキャパシタ群の対応する周波数制御用キャパシタ間に設けられ発振周波数制御信号に基づいて導通または非導通に制御される複数の第1のスイッチSW0〜SWnと,第1のスイッチの両端子と所定電圧との間にそれぞれ設けられた複数の第2のスイッチSWp,SWxpとを有し,発振周波数制御信号の切り替わり時に,導通から非導通に切り替えられる第1のスイッチの両端子に設けられた第2のスイッチが一時的に導通する。 (もっと読む)


【課題】第2の発振回路の起動を待つことなく第1の発振回路の出力により高精度なクロック信号を得る。
【解決手段】クロックシステム1は、CR発振回路11、水晶発振回路12、及びトリミング回路15を含む。CR発振回路11は、内部回路17に供給されるクロックCLK1を生成する。水晶発振回路12は、CR発振回路11の発振周波数の調整に使用される。トリミング回路15は、CR発振回路11と水晶発振回路12の間の発振周波数差の検出結果に基づいて、CR発振回路11の発振周波数を調整する。 (もっと読む)


【課題】制御電圧に対する周波数の変化量を自由に調整できる電圧制御発振回路及びPLL回路を提供する。
【解決手段】制御電圧に応じて容量成分が制御される可変容量素子Cv1、Cv2と、可変容量素子に直列に接続された直列容量素子Cs1、Cs2と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続された並列容量素子Cp1,Cp2と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続され、誘導成分を構成する誘導素子Lとを有する電圧制御発振回路100において、直列容量素子及び並列容量素子は、各々その容量成分を切り換え可能な構成されており、直列容量素子の容量成分及び並列容量素子の容量成分を切り換えることにより、制御電圧に対する発振周波数の変化量が調整されている。 (もっと読む)


【課題】負性抵抗回路において反射特性を向上させること。
【解決手段】制御端子、第1端子および第2端子を有する第1トランジスタとQ1、前記第1トランジスタの前記第2端子に接続された制御端子、第1端子およびDC電源が接続される第2端子を有する第2トランジスタQ2と、前記第1トランジスタの前記第1端子と前記第2トランジスタの前記第1端子との信号を前記第1トランジスタの制御端子に共通に帰還させる正帰還回路22と、前記第2トランジスタの前記第1端子と前記正帰還回路との間に接続された第1キャパシタC1と、前記第1トランジスタの前記第2端子と前記第2トランジスタの前記制御端子との間の第1ノードN1と、前記第2トランジスタの前記第1端子と前記第1キャパシタとの間の第2ノードN2と、をDC的に接続する経路12と、を具備する電子回路。 (もっと読む)


【課題】周囲温度や外部電源電圧の変化による高速OCOに与える参照電圧および参照電流の変動を防止し、電源モジュールの回路面積が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】高速OCO10は、参照電流および参照電圧で定まる大きさの高速クロックを出力する。温度センサ5は、高速OCO10の周囲温度を検出し、電圧センサ4は、高速OCO10の動作電圧を検出する。電源モジュール12は、BGRを含み、BGRが出力する基準電圧に基づいて、参照電圧、参照電流、高速OCOの動作電圧を生成する。フラッシュメモリ8は、高速OCO10の周囲温度および動作電圧に対応する、参照電圧および参照電流のトリミングコードを定めたテーブルを記憶する。ロジック部13は、検出された周囲温度および動作電圧に対応する参照電圧および参照電流のトリミングコードに基づいて、参照電流および参照電圧の値を調整する。 (もっと読む)


【課題】n(nは1以上の整数)次の関数で表現される温度特性を持った信号のn−1次の温度係数を調整する際に、n次の温度係数の影響を軽減し、且つコストの増大を抑えることができる、温度特性の調整データを生成する方法を提供する。
【解決手段】温度特性調整データ生成方法は、n(nは1以上の整数)次の関数で表現される温度特性を持った信号を生成する回路を有する半導体装置の温度特性を調整するデータ(803)を、プログラム処理装置(6、10)を用いて生成する方法であって、n+1よりも少ない数の温度における前記信号の値を、前記信号に関する目標値に所定の補正値を加えた値(601)に近づけるように温度特性を調整するデータを生成するデータ生成処理を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、従来の周波数逓倍器による悪い高調波抑圧比を改善し、又、周波数逓倍器からの発振周波数は、他の高調波に妨害されにくいため、周波数逓倍器装置及びその操作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の周波数逓倍器装置は、高調波発生器、高調波抑制器及び特定高調波応用装置を含んでいる。前記高調波発生器は、基本周波数を有する入力信号を受信して、第一高調波信号成分及び第二高調波信号成分を含む高調波信号を発生させる。前記高調波抑制器は、前記高調波信号を受信して、前記第一高調波信号成分を抑制し、前記第二高調波信号成分を高める。前記周波数逓倍器装置は、高められた前記第二高調波信号成分を受信する。 (もっと読む)


【課題】発振器の発振周波数の較正作業を短縮することができる半導体集積回路装置および発振周波数較正方法を提供する。
【解決手段】DCO50と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源20から得られる電位に応じたDCO50に設定すべき発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を記憶する記憶部42と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 (もっと読む)


【課題】発振器の不安定動作を回避し低消費電力化を実現する発振器複合装置と方法の提供。
【解決手段】インダクタ(111)と容量(112)を含む共振回路(110)を備えた発振器(100)と、前記発振器の発振出力信号を入力し、且つ、電源側からの電流パスを構成し前記電流パスの前記第1の電源と反対側の一端が前記発振器の前記インダクタ(111)の中点に接続された差動対を含む分周器(200)とを、グランドと電源間に縦積みに配置し、分周器(200)の直流供給電流端子(230)からグランド側に流れる直流電源電流を、発振器(100)の電源電流として再利用する。 (もっと読む)


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