【課題】接合時の温度を軽減するとともに、気密性を確保し、圧電振動片と上下基板との電気的な接続が確実にとれる構造を実現することにより、周波数特性に優れた圧電振動子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水晶振動子１０は、両主面に励振電極１４ａ，１４ｂが設けられた水晶振動片１２と枠体１３とを一体に形成した中間水晶板１１と、上側及び下側基板２，３とが互いに直接接合されている。各励振電極１４ａ，１４ｂは、引き出し電極１５ａ，１５ｂ及び枠体スルーホール５０ａ，５０ｂを介して反対側の主面の枠体１３に設けた接続部１８ａ，１８ｂにそれぞれ接続されている。上側及び下側基板２，３のそれぞれに、外部接続端子８ａ，８ｂと電気的に接続されて設けられた基板スルーホール６０ａ，６０ｂに半田９０が埋設されることにより、各励振電極１４ａ，１４ｂと外部接続端子８ａ，８ｂとが導通している。 （もっと読む）

【課題】Ｚ板からなる水晶基板にＺ軸方向へウェットエッチングを施す場合、その異方性により、水晶基板の結晶面で、ウェットエッチングの進行具合が極端に遅くなるが、さらにウェットエッチングをしても溝部に貫通しせずに、所望の形状である溝部を得ること。
【解決手段】Ｚ板からなる水晶基板にウェットエッチングを施して、溝部を形成する際に、Ｚ板からなる水晶基板の結晶面でエッチングの進行具合が極端に遅くなった後、引き続きウェットエッチングを施しても、基板において、ウェットエッチングの進行具合が遅くなる、または止まるので、溝部を貫通させることなく振動腕部に形成させることができる圧電振動片の製造方法を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 製造コストを低減させ且つ正確な周波数で発振する水晶デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】水晶デバイスの製造方法は、電極と枠体とを含む水晶フレームを複数有する水晶ウエハを用意する工程と、ベースを複数有するベースウエハを用意する工程と、開口部を含む第１リッドを複数有する第１リッドウエハを用意する工程と、開口部を封止する第２リッドウエハを用意する工程と、水晶ウエハ、ベースウエハおよび第１リッドウエハを接合する第１接合工程と、第１接合工程後に水晶振動片の振動周波数を測定しこの測定結果に基づいて第１リッドの開口部を介して電極の厚みを調整する調整工程と、調整工程後に、第２リッドウエハを第１リッドウエハに接合する第２接合工程と、個々の水晶デバイスに分割する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】蓋部材と部品素子が搭載されている素子搭載部材との間に設けられている硬化前の紫外光硬化樹脂を真空中で硬化させることができ、生産性を向上させることができ、小型化することができる封止装置を提供する。
【解決手段】蓋部材ＷＨと部品素子が搭載されている素子搭載部材ＷＴとの間に硬化前の紫外光硬化樹脂Ｊが挟まれた状態となっているワークを搭載する搭載手段１１２と、搭載手段１１２が内部に設けられている封止室１１０と、封止室１１０の開口部の縁部に沿って設けられている環状のパッキン１２２及び紫外光を透過する材料からなる透明部材１２１とで構成され、前記封止室１１０の開口部を閉塞する閉塞手段１２０と、封止室１１０と接続されており封止室内の空気を排気する排気手段１４０と、封止室１１０の外部であって透明部材を介して前記搭載手段と対向する位置に設けられており紫外光を放射する紫外光照射手段１３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】陽極接合時に希ガスの発生を防止できるシリコン接合膜の製造方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板２の表面２ｂに、リッド基板３の額縁領域３ｃと陽極接合するための接合膜２３を製造する方法であって、接合膜２３は、希ガスを含まない導入ガスを用いたＣＶＤ法により成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 導電性接着剤の滴下量と滴下位置にばらつきがあっても、圧電素子の電極と導電性接着剤が接触する位置が一定で、接触面積も一定となるような取り付け構造を提供することを課題とする。
【解決手段】 圧電素子２０を収容するパッケージ１０は、圧電素子２０の電極２４−１ａ，２４−２ａが挿入される複数の空間１２ｃを有するガイド部１２ｂを備える。ガイド部１２ｂの複数の空間１２ｃは互いに分離されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減及び製造効率の向上を図った上で、導通性に優れたガラス基板の製造方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】コンテナ７３内に軸方向に沿って、貫通電極となる線材７２を張架する線材張架工程と、コンテナ７３内に溶融ガラス７１を充填する充填工程と、溶融ガラス７１を硬化させ、線材７２が一体化されたガラス体を形成する硬化工程と、ガラス体を軸方向に直交するように切断する切断工程とを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属ボールの溶融によるベース基板とカバーとの接合を確実にして特性を維持する電子部品用パッケージの封止方法を提供する。
【解決手段】いずれも平面視矩形状として外周表面に枠状金属膜６ａ，６ｂを有し、電子素子の配設されるベース基板１と、前記ベース基板１に接合して前記電子素子を密閉封入する平面視矩形状のカバー２とを備え、前記ベース基板１と前記カバー２とを面対向して上下に重ねるとともに、前記ベース基板１及びカバー２の枠状金属膜６ａ，６ｂ間に介在した複数の金属ボールの溶融及び拡散によって前記枠状金属膜６ａ，６ｂ間を接合する電子部品用パッケージの封止方法において、前記複数の金属ボールは少なくとも４個を有して融点が異なる低融点金属ボールと高融点金属ボールからなり、前記低融点金属ボールと高融点金属ボールとが交互に配置された構成とする。 （もっと読む）

【課題】気密性に優れるとともに、実装強度の向上を図ることができる真空パッケージ、真空パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】互いに接合されたベース基板２及びリッド基板３と、ベース基板２とリッド基板３との間に形成された圧電振動片４を封入可能なキャビティＣと、ベース基板２を厚さ方向に貫通し、キャビティＣの内部と外部とを導通させる貫通電極３２，３３とを備えたパッケージ９であって、ベース基板２及びリッド基板３におけるキャビティＣの周囲は、基板２，３同士が接合される接合領域を構成し、ベース基板２における角部には、ベース基板２の厚さ方向から見てリッド基板３の接合面を露出させる切欠き部２６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】陽極接合時の放電現象の発生を抑制し、安定して陽極接合すること。
【解決手段】接合膜３５を介して互いに陽極接合された第１基板５０と第２基板との間のキャビティ内に電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、第１基板５０の接合面５０ａにキャビティ用の凹部Ｃ１を形成する凹部形成工程と、凹部Ｃ１の開口部を覆う被覆部材７１と、被覆部材７１を支持するメッシュ部材７３と、を備えるマスク体７０を第１基板５０の接合面５０ａに配置するマスク体配置工程と、マスク体配置工程の後に、第１基板５０の接合面５０ａにマスク体７０を介して接合膜３５を成膜する接合膜成膜工程と、を有するパッケージの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が大きいＳｉを接合材の材料に採用する場合でも、接合材とガラス基板との間を確実に陽極接合することが可能な、ガラス基板の接合方法、ガラス接合体、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】リッド基板用ウエハ５０の内面に固着された接合材３５と、ベース基板用ウエハ４０とを陽極接合する陽極接合工程を有し、接合材３５は、リッド基板用ウエハ５０の内面にＩＴＯ膜２５とＳｉ膜２６とが順次形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】陽極接合時の放電現象の発生を抑制し、安定して陽極接合すること。
【解決手段】接合膜３５を介して互いに陽極接合された第１基板５０と第２基板との間のキャビティ内に電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、第１基板５０の接合面５０ａにキャビティ用の凹部Ｃ１を形成する凹部形成工程と、凹部Ｃ１を塞ぐ塞ぎ体９０を凹部Ｃ１内に配置する塞ぎ体配置工程と、第１基板５０の接合面５０ａとは反対側の面５０ｂに、塞ぎ体９０が磁着可能な磁石８４を配置する磁石配置工程と、塞ぎ体配置工程および磁石配置工程の後に、第１基板５０の接合面５０ａに接合膜３５を成膜する接合膜成膜工程と、を有しているパッケージの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板を損傷することなく、基板の貫通孔に対して鋲体を迅速かつ確実に挿入することができるパッケージの製造方法と、この製造方法により製造された低コストな圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】平板状の土台部と、土台部の表面から法線方向に沿って立設される芯材部と、を有する導電性の鋲体７の芯材部を貫通孔３０，３１（凹部）に挿入する鋲体配置工程Ｓ３３を有し、鋲体配置工程Ｓ３３は、ベース基板用ウエハ４０（第１基板）の第１面Ｕ（上面）に鋲体７を載置した後、ベース基板用ウエハ４０の第２面Ｌ側（下面側）に配置した磁石部６３（磁石）とベース基板用ウエハ４０とを相対的に走査することにより行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャビティ内の気密を維持しつつ、導通不良のない貫通電極を形成することができるパッケージの製造方法、およびこの製造方法により製造された圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】、貫通電極形成工程Ｓ３０Ａは、ベース基板用ウエハ４０（第１基板）に貫通孔３０，３１を形成する貫通孔形成工程Ｓ３２と、貫通孔３０，３１内に第１ペースト材６１を充填して仮乾燥させる第１ペースト材充填工程Ｓ３５Ａと、第１ペースト材６１に重ねて貫通孔３０，３１内に第２ペースト材６３を充填する第２ペースト材充填工程Ｓ３５Ｂと、を有し、第１ペースト材６１は第２ペースト材６３よりも粘度が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温で容易に陽極接合できると共に、耐環境性を向上させることができるパッケージ製造方法、および電子部品パッケージを提供する。また、製造コストを低減することができるパッケージ製造方法、および電子部品パッケージを提供する。
【解決手段】リッド基板３の接合面３ａに予め固着された接合材３５と、ベース基板２の上面２ａとを陽極接合することにより、パッケージ９を製造するパッケージ製造方法であって、リッド基板３の外面３ｂに陽極となる電荷中和膜５を配置し、ベース基板２の外面に陰極を配置して電圧を印加する陽極接合工程を有し、電荷中和膜５は、導電性材料からなり、リッド基板３の外面３ｂ側に生じる負電荷層を中和し得る。 （もっと読む）

【課題】キャビティ内の真空状態を確実に維持しつつ、強度の低下を抑制できる信頼性の高いパッケージ、およびパッケージ製造方法を提供する。
【解決手段】互いに接合材３５を介して陽極接合されるベース基板２、およびリッド基板３と、これらベース基板２とリッド基板３との間に形成されるキャビティＣとを有し、このキャビティＣ内に圧電振動片４を封入可能なパッケージ９において、ベース基板２の接合面２ａに、短側面２ｂに開口部を有する電極用凹部２２を形成すると共に、電極用凹部２２に取り出し電極２４を形成し、取り出し電極２４の外表面２４ａに絶縁部２６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属ボールの配置を確実にして封止不良を抑制した圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板及びカバーに相当した矩形状領域を縦横に有するベース基板ウェハ１Ａ及びカバーウェハ２Ａを備えて両者を上下に重ねるとともに、前記両者の各枠状金属膜６ａ、６ｂ間を金属ボールの溶融拡散によって接合した圧電デバイスの製造方法において、例えば上側となるカバーウェハ２Ａに前記金属ボールが配置される貫通穴１３を前記枠状金属膜６ｂの直上又は前記枠状金属膜６ｂの隣接する間に設け、前記金属ボールの溶融金属が下側となるベース基板ウェハの枠状金属膜６ａに流出するとともに、前記ベース基板ウェハ１Ａとカバーウェハ２Ａとの間を拡散して封止した構成とする。 （もっと読む）

【課題】加熱などを必要とせず、また、製造時や使用環境においてガスを発生することなく、より強い強度で水晶が接合できるようにする接合方法を提供する。
【解決手段】スパッタ法により、水晶基板１０１の接合面に対する物質層１０２の形成、および水晶基板１１１の接合面に対する物質層１０２の形成を開始した後、０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満の層厚の物質層１０２が各々形成された水晶基板１０１の接合面および水晶基板１１１の接合面とを、物質層１０２を介して着接する。物質層１０２の層厚が、１ｎｍになる前に、２つの基板の着接を行う。 （もっと読む）

【課題】絶縁物のベース基板と絶縁物の蓋基板とを金属膜を介して安定的に陽極接合できる電子デバイスパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】蓋基板３の両面に互いに導通する金属膜を成膜する工程と、蓋基板３とベース基板２とをアライメントして重ね合せる工程と、ベース基板２における蓋基板３に接合される面とは反対の面全面に負電極板２１を接触させ、蓋基板３におけるベース基板２に接合される面とは反対の面全面に正電極板２２を接触させ、正電極板２２と負電極板２１との間に電圧を印加することでベース基板２と蓋基板３とを陽極接合する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）