【課題】圧電振動素子を絶縁容器内にシリコーン接着剤により保持した状態で気密封止した構造の圧電デバイスにおいて、シリコーン接着剤から放出されるシリコーン蒸気成分が圧電振動素子の金属膜上に付着堆積することによって共振周波数が経時的に最終目標周波数よりも低下する不具合を解決することができる圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器、及び周波数安定化方法を提供する。
【解決手段】厚み滑り系の圧電材料から成る圧電基板２０と、該圧電基板面に形成した金属膜２１とを備えた圧電振動素子を導電性接合部材により容器内に保持した圧電振動子において、雰囲気中に露出している金属膜表面が、非結合電子対をもった物質との化学吸着によって形成された膜３０によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】成膜用マスクを用いて被成膜物に成膜した後に成膜用マスクを取り外す際に、被成膜物から成膜された膜が剥がれることを防ぎ、所定の形状の膜を被成膜物に形成することができる膜形成方法を提供する
【解決手段】一方の主面から他方の主面まで貫通し、かつ、一方の主面側の開口部の大きさが他方の主面側の開口部の大きさより大きくなっている成膜用空間を有する成膜用マスクの一方の主面を、被成膜物に接触させて前記成膜用マスクを配置するマスク配置工程と、前記成膜用マスクの他方の主面側から前記成膜用空間内を向く向きに膜を成膜する成膜工程と、前記成膜された前記被成膜物から前記成膜用マスクを取り外すマスク取り外し工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＢＡＷモードで共振するＭＥＭＳ共振子について、製造後に周波数などを測定しながら、大量かつ安価に周波数調整が可能で、位相雑音やジッタの少ないＭＥＭＳ共振子を提供する。
【解決手段】バルク・アコースティック・ウェーブモードで共振する板状の共振子を備えたＭＥＭＳ共振子において、共振子が、密度とヤング率の比がそれぞれ異なる材料が積層した積層構造となっている。この積層構造の表面の一部を除去することにより、共振周波数の調整を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】レーザーによる基板のダメージを抑えつつ、基板の表面に形成された薄膜を、基板を透過したレーザーにより効率的に加工する。
【解決手段】レーザー１を透過させる基板１１と、加工対象物である第一の薄膜１３との間に、レーザー１を透過可能な中間層１２を介在させた状態で、第一の薄膜１３が形成された側とは反対側の基板１１の表面にレーザー１を照射して透過させ、透過したレーザー１を第一の薄膜１３に焦点を結ぶように照射することで、第一の薄膜１３と第二の薄膜１４を加工する。基板１１と第一の薄膜１３との間に中間層１２が介在していることで、その厚みの分だけレーザー１の焦点位置（第一の薄膜１３の位置）が基板１１から遠ざかり、基板１１がレーザー１の高密度領域に晒されることがなくなるため、レーザー１による基板１１へのダメージと、それに伴うレーザー１の基板１１への吸収（減衰）が抑制される。 （もっと読む）

【課題】振動素子のチューニングの際に用いるレーザー光による半導体基板の能動領域へのダメージを抑制し、電気的特性の安定した振動デバイスを提供する。
【解決手段】センサーデバイス１において、半導体基板としてのシリコン基板１０は、能動面１０ａ側に半導体素子を含んで構成される集積回路が形成された能動領域を有している。シリコン基板１０上に振動ジャイロ素子２０が配置されたセンサーデバイス１において、能動領域は、振動ジャイロ素子２０の駆動用振動腕２５ａ，２５ｂの先端側の錘部２８ａ，２８ｂ上に設けられた質量調整部としての錘電極４１と平面視で重なる領域を回避して形成されている。これにより、錘電極４１にレーザーを照射して周波数調整を行う際に、レーザーが能動面１０ａに到達したときに集積回路にダメージが加わるのを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動板の内部形状やこの圧電振動板上に形成される励振電極の膜厚等を変化させることなく、幅縦モードと長さ縦モードによる振動の変動率を長さ縦モードの周波数のみによる独立した調整を可能とすることで、高発振周波数に対応して小型化する圧電振動子の周波数特性や温度特性を最適化することのできる圧電振動子を提供することである。
【解決手段】 幅縦モードの主振動を伴う一対の主振動辺１２ａ，１２ｂ及びこの一対の主振動辺と直交し、長さ縦モードの副振動を伴う一対の副振動辺１２ｃ，１２ｄを有し、表面に励振電極が形成された四角形状の圧電振動板１２と、前記一対の主振動辺１２ａ，１２ｂから外方向に延びる支持アーム１３，１４と、前記主振動辺の略中間位置から外方向に突出し、先端に重量を調整するための張出部を有する突起片１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 周波数を上昇させたり下降させたりすることができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 第１観点の圧電デバイス（１００）は、音叉型の圧電振動片（５０）をパッケージ（ＰＫＧ）内に収納する圧電デバイスである。音叉型の圧電振動片（５０）は、圧電材料により形成された基部（２３）と基部から所定方向に平行に伸びる一対の振動腕（２１）と振動腕の先端側に形成される周波数調整部（２６）とを備える。パッケージ（ＰＫＧ）は、レーザ光（Ｌ）が照射されるパッケージの内側の面（ＢＴ）に第１金属膜（５６）を有する。周波数調整部（２６）は、所定方向に伸びる第２金属膜（２８ａ）とレーザ光が透過するように所定方向に伸び第２金属膜が形成されていない電極非形成部（２９ａ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】基部から一対の振動腕が伸びた音叉型の圧電振動片を複数一体的に連結した圧電ウエハに対して音叉型の圧電振動片の周波数を目標周波数へ調整する周波数調整方法を提供する。
【解決手段】 周波数調整方法は、振動腕の先端に形成された周波数調整部の少なくとも一部に第１金属（２４）を形成する工程（Ｓ１１）と、圧電ウエハ（２００）に連結された音叉型の圧電振動片の周波数を測定する工程（Ｓ１２）と、測定された音叉型の圧電振動片の周波数が目標周波数よりも低い場合には周波数調整部に形成された第１金属（２４）を削り取り、測定された音叉型の圧電振動片の周波数が目標周波数よりも高い場合には音叉型の圧電振動片から離れて配置された第２金属（３０２）を昇華させて周波数調整部に付着させる周波数調整工程（Ｓ１３−Ｓ１５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 周波数を上昇させたり下降させたりすることができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 第１観点の圧電デバイス（１００）は、音叉型の圧電振動片（５０）をパッケージ（ＰＫＧ）内に収納する圧電デバイスである。音叉型の圧電振動片（５０）は、圧電材料により形成された基部（２３）と基部から所定方向に平行に伸びる一対の振動腕（２１）と振動腕の先端側に形成される周波数調整部（２６）とを備える。パッケージ（ＰＫＧ）は、レーザ光（Ｌ）が照射されるパッケージの内側の面（ＢＴ）に絶縁物質部（５６）を有する。周波数調整部（２６）は、所定方向に伸びる金属膜（２８ａ）とレーザ光が透過するように所定方向に伸び金属膜が形成されていない電極非形成部（２９ａ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の周波数調整方法において、生産性が高く高精度な周波数調整の装置及び方法を提供する。
【解決手段】圧電振動子の周波数を調整する装置において、ｘ軸方向に配列される複数の圧電振動子に対して所定レートで成膜材料を付着させる成膜源、配列された複数の圧電振動子の成膜対象部分を遮蔽／露出するシャッタ、及びシャッタの開閉動作を制御する制御部を備え、制御部が、成膜前に測定された複数の圧電振動子の周波数分布から算出された複数の圧電振動子の質量分布Ｍ１(ｘ)から算出された各圧電振動子の必要露出時間ｔ(ｘ)に基づいてシャッタの開閉動作を制御するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 品質に優れかつ生産性を向上させた圧電振動デバイスの周波数調整装置を提供するものである。
【解決手段】 周波数調整部から周波数信号Ｓ２，Ｓ３が周波数カウンタ２１，２２にそれぞれ送信される。タイミングチャートに示すように、測定開始信号に基づき１０ｍｓの時間に周波数カウンタ回路のゲートの開放を行い、ゲートを閉じた後測定データを制御部３に送信するという動作を繰り返している。制御部３は周波数カウンタ回路２１，２２から交互に測定データを受信し、予め設定された設定周波数と比較を行い、設定周波数以上になった段階で周波数調整部１に制御信号を送信し、当該音叉型水晶振動素子に対する周波数調整動作を終了させる。 （もっと読む）

【課題】精密な周波数調整が可能な、積層型圧電薄膜フィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層型圧電薄膜フィルタの製造方法は、基板７上に、下部圧電薄膜共振子２０を形成する工程と、下部圧電薄膜共振子２０の周波数を参照して周波数を調整する工程と、周波数を調整した下部圧電薄膜共振子２０上に音響結合層３０を形成する工程と、音響結合層３０上に上部圧電薄膜共振子４０を形成して積層型圧電薄膜フィルタ１を形成する工程と、上部圧電薄膜共振子４０の周波数を参照して周波数を調整する工程と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】周波数粗調部において、Ａｕめっき箇所周辺で耐蝕膜（Ａｕ／Ｃｒ膜）のＡｕが溶出する現象が見られた。Ａｕが溶出すると水晶基板をエッチングする際に当該箇所もエッチングされ、水晶片の欠損が発生する。
【解決手段】水晶基板に耐蝕膜（Ａｕ／Ｃｒ膜）を形成する工程の後で、かつ耐蝕膜（Ａｕ／Ｃｒ膜）を音叉型振動子の外形形状に対応させる工程の前に、音叉型振動子の周波数粗調部に周波数調整用の金属膜（Ａｕめっき）を形成する。 （もっと読む）

【課題】品質係数Ｑ値が高く、容量比の小さい超小型の音叉型屈曲水晶振動子と水晶ユニットと水晶発振器の製造方法を提供する。
【解決手段】逆相の屈曲モードで振動し、音叉基部と音叉基部に接続された第１及び第２音叉腕とを備えた音叉型水晶振動子７０と、ケース７１と、蓋７２を備えて構成されるユニット１７０であって、水晶ウエハの上面と下面の各々に金属膜を形成し、その上にレジストを塗布、第１及び第２音叉腕とを形成し、第１及び第２音叉腕の各々の上面と下面に溝を形成、その上に形成された第１電極が、第２音叉腕の側面に形成された第２電極に接続され、同様に第２音叉腕に形成された第３電極が、第１音叉腕の側面に形成された第４電極に接続され、音叉型屈曲水晶振動子の発振周波数が少なくとも２回、異なる工程で調整されていて、ケースの固定部に音叉型屈曲水晶振動子が固定され、ケースに蓋が接続される。 （もっと読む）

【課題】励振電極の材料を選択して生産性を高めた水晶振動子を提供する。
【解決手段】下地電極６ａ上に本電極６ｂの設けられた励振電極６を水晶片２の両主面に有し、前記水晶片２の一主面の励振電極６に対する質量負荷効果によって振動周波数を調整した水晶振動子において、前記一主面の励振電極６は下地電極６ａ上にＡuを設け、前記他主面の励振電極６は下地電極６ａ上にＡgを設けた構成とし、例えば前記下地電極の膜厚は同一として、前記他主面の本電極であるＡgの膜厚は前記一主面の本電極であるＡuよりも大きくした構成とする。 （もっと読む）

【課題】圧電振動片の振動周波数を測定しながら調整することができると共に、振動周波
数の調整量を大きく採ることができ、振動周波数の経時変化が少ない圧電振動片及びその
製造方法を提供すること。
【解決手段】中央部が薄板化された振動部３１と、前記振動部の中央部に形成された励振
電極３２とを備えた圧電振動片３０の前記励振電極上に振動周波数調整膜３４を備える。
これにより、圧電振動片の振動周波数を所定値よりも常に低くすることができるため、圧
電振動片の振動周波数の調整時には振動周波数調整膜の厚みを減少させるのみでよいので
、圧電振動片の振動周波数の調整量を大きく採ることができると共に、振動周波数の経時
変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】シャッタ端面での反射イオンや反跳粒子の影響を少なくし、周波数調整を精度よく行うことが可能な周波数調整装置を提供する。
【解決手段】パターンマスク１５のマスク穴１５ａを介してウエハ１０に対してイオンビームＢを照射すると共に、所定のマスク穴を選択的に開閉し、ねらいの素子のイオンビーム照射時間を調整するシャッタ１４を設ける。シャッタ１４の端面１４ａをイオンビームの拡散角度よりも大きい傾斜角度を有する傾斜面とすることで、シャッタ端面１４ａでの反射イオンや反跳粒子を少なくできる。 （もっと読む）

【課題】多数の素子が密に配置されたウエハを対象として、同時に複数の素子の周波数調整を精度よく行うことが可能な周波数調整装置を提供する。
【解決手段】複数の素子が密に配置されたウエハ１０を、搬送手段により一方向に搬送しながら、ウエハに対してイオンビームを照射し、ねらいのエリアのイオンビーム照射時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する。シャッタ１４ａ，１４ｂとウエハ１０との間に配置したパターンマスク１５のマスク穴１５ａ，１５ｂをエリア毎に独立に設けると共に、マスク穴をウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設ける。マスク穴を個別に開閉できるようにシャッタ１４ａ，１４ｂを各マスク穴に対応して設け、ウエハ搬送方向に直交する方向の１列のエリア１０ａの周波数調整を複数段階で行う。 （もっと読む）

【課題】圧電振動素子及びベアチップＩＣを共に気密裡に封止し、加熱工程が少なく、ベ
アチップＩＣ保護用のポッティング剤を必要しない圧電デバイスの製造方法を得る。
【解決手段】ベアチップＩＣ１２を収容した第２パッケージ本体１１の凹所に、水晶振動
素子３を実装した第１パッケージ本体１の底部を嵌め込む。第１パッケージ本体１の底部
と、第２パッケージ本体１１に塗布したガラス封止材２１とが接し、第１パッケージ本体
１の電極７ａ〜７ｄと、第２パッケージ本体１１の電極２０ａ〜２０ｄとが導電性のポリ
イミド系樹脂を介して接する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、振動周波数が温度変化の影響を受けにくい特性を有する圧電振動片及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】腕部１８と励振部２３とからなる部位が、温度が高くなるほど固有振動周波数が低くなる特性を有するベース１を用意する。その後に、腕部１８の第１の区間１９に、温度が高くなるほど固有振動周波数が高くなる特性を有するシリコン酸化膜３０を、膜厚を調整して支持させることで、腕部１８と励振部２３とからなる部位の温度に対する固有振動周波数の特性を調整する。その後に、腕部１８の第１の区間１９よりも基部１６から離れた第２の区間２１に、錘金属膜２８を、膜厚を調整して支持させることで、腕部１８の駆動時の振動周波数を調整する。振動周波数の調整は、シリコン酸化膜３０の膜厚に影響を与えないように行う。 （もっと読む）