【課題】クロックフェイズの切り替わりにおける電圧スパイクの低減と共に出力電圧の収束速度の向上を図る。
【解決手段】第１及び第２の同相電圧検出器３０１，３０２は、ノンオーバーラップ期間が設定された２相クロックで駆動され、第１の同相電圧検出器３０１は、第１のクロック位相において充電動作し、第２のクロック位相において出力同相電圧の生成と電荷保持動作をし、第２の同相電圧検出器３０２は、第２のクロック位相において充電動作し、第１のクロック位相において出力同相電圧の生成と電荷保持動作をし、ノンオーバーラップ期間において、第１及び第２の同相電圧検出器３０１，３０２は、スイッチ３５ａ〜３５ｆ、３６ａ〜３６ｆにより入力段及び出力段と電気的に分離され、同相電圧出力トランジスタのゲート・ソース間寄生容量により電荷保持動がなされる構成となっている。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の利得の温度依存性を抑制し、温度補償回路を有するバイアス回路を備えた電力増幅回路を提供する。
【解決手段】ドレインが高電位に接続され、ソースが接地された増幅用トランジスタを備え、ソースが接地され増幅用トランジスタＧＴｒのゲートにゲートが接続されたカレントミラートランジスタＣＭＴｒによって増幅用トランジスタのバイアス電流を制御する電力増幅回路であって、アノードが制御電源端子に接続された第１のダイオードＤ１と、アノードが第１のダイオードＤ１のカソードに結合され、カソードがカレントミラートランジスタＣＭＴｒのドレインに接続された第２のダイオードＤ２と、一方の端子が第２のダイオードＤ２のカソードに接続され他方の端子が接地された第１の抵抗素子Ｒ１と、第２のダイオードＤ２と並列接続された第２の抵抗素子Ｒ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で入力オフセット電圧の温度依存性が小さいセンサ信号処理装置を提供する。
【解決手段】センサ用電源として第１の電源電圧Ｖ´ｃｃを供給されて動作し、センサ出力Ｖｓ１、Ｖｓ２を出力するセンサ部１００と、信号処理用電源として第２の電源電圧Ｖｃｃを供給されて動作し、センサ出力Ｖｓ１、Ｖｓ２が入力される差動対を使用する差動増幅部を有して信号処理を行なう信号処理部２００と、を有してセンサ信号処理装置１を構成する。この第１の電源電圧Ｖ´ｃｃは、信号処理部２００の差動増幅部２５０の入力電圧範囲の下限領域に設定される。 （もっと読む）

【課題】定電圧発生回路の回路面積及び消費電流を削減しながら、負荷の直流的及び過渡的な変化に対する出力電圧の変化を小さくする。
【解決手段】ＦＥＴ４は、電圧源端子に接続されたドレインと出力端子に接続されたソースとを備える。ＦＥＴ２は、ＦＥＴ４のソースに接続されたゲートと、ＦＥＴ４のゲートに接続されたドレインとを有する。ＦＥＴ１は、ＦＥＴ２のソースと接地端子との間に設けられ、ダイオード接続されている。ＦＥＴ３は、電圧源端子とＦＥＴ２のドレインとの間に接続され、そのドレインとソースとの間に所定の電位差を有し、第１の定電流源として機能する。ＦＥＴ５は、出力端子と接地端子との間に接続される。ＦＥＴ１及びＦＥＴ５によりカレントミラー回路を構成することにより、ＦＥＴ５は第２の定電流源として機能する。 （もっと読む）

【課題】電流源側の駆動能力の大幅な改善を図り、回路の消費電力やエリアの大幅な削減を図るようにしたソースフォロア回路の提供。
【解決手段】この発明は、入力電圧を受けるＭＯＳトランジスタＭ１と、ＭＯＳトランジスタＭ１とカスコード接続される電流源１０とを備えている。電流源１０は、ＭＯＳトランジスタＭ１とカスコード接続されるＭＯＳトランジスタＭ２と、ＭＯＳトランジスタＭ１とＭＯＳトランジスタＭ２との共通接続部と、ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートとの間に接続されるコンデンサＣ１と、ＭＯＳトランジスタＭ２のバイアスを印加する経路上に配置される抵抗Ｒ１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】初期動作を安定させるスタートアップ回路を備え、消費電力を低減すると共に、回路規模の増加を抑制した全差動増幅器を提供する。
【解決手段】図１に示す全差動増幅器は、入力信号を受け付ける差動対を含み、差動信号を出力する差動増幅器と、差動信号を増幅し、差動出力信号から出力コモンモード電圧を生成する出力コモンモード電圧生成回路と、出力コモンモード電圧と所定の基準電圧を比較することでコモンモードフィードバック信号を生成し、コモンモードフィードバック信号を差動増幅器にフィードバックすることで、出力コモンモード電圧と基準電圧を実質的に一致させるコモンモードフィードバック回路と、入力信号に基づいて、差動信号を略電源電圧にプルアップ又は略接地電圧にプルダウンするスタートアップ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の極端な増大を招くことなく、電源投入時の過渡期に出力端子を接地側に落とことを可能にすること。
【解決手段】正転入力電圧ＶＩＮ＿Ｐと反転入力電圧ＶＩＮ＿Ｎの差分を増幅する差動増幅回路１０と、該差動増幅回路１０の出力信号を入力し増幅してＰＭＯＳトランジスタＭ１２とＮＭＯＳトランジスタＭ１３の共通接続点から出力電圧ＶＯＵＴを出力する出力回路２０とを有する演算増幅器１００である。トランジスタＭ１３のゲートに一端が接続されたコンデンサＣｘ１とトランジスタＭ１２のゲートに一端が接続されたコンデンサＣｘ２を備え、コンデンサＣｘ１，Ｃｘ２の他端は抵抗Ｒｘ１を介して高電源端子１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電流信号の伝送線上の負荷に流れる電流の値の変化を低減させることのできる定電流回路およびフィールド機器を提供する。
【解決手段】電流（電流信号）Ｉ_Sが流れる伝送線Ｌ１上の負荷Ｆに対して直列に接続され、該負荷Ｆに流れる負荷電流Ｉ₁の値を検出する電流検出部２１と、負荷Ｆおよび電流検出部２１の上流で伝送線Ｌ１から分流して負荷Ｆおよび電流検出部２１の下流で伝送線Ｌ１に合流するバイパス電流Ｉ₂の値を、負荷電流Ｉ₁の値に基づいて制御する電流制御部２５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】位相余裕を減らすことなく電源立ち上げ時における出力電圧の立ち上がりを速くする。
【解決手段】電源電圧が立ち上がると、入力電圧ＶinpがＶinmよりも高くなるので、トランジスタ９がオン、トランジスタ１０がオフとなり、差動対１１に供給される動作電流は全てトランジスタ９に流れる。電流検出回路６２に電流が流れないので、トランジスタ７３がオフし、第２の定電流回路６９が出力する増分動作電流Ｉ２は、ダイオード７２を通して差動対１１に流れ込む。トランジスタ９に流れる電流は定常動作電流Ｉ１＋増分動作電流Ｉ２となり、位相補償コンデンサ８の充電電流が増えて出力電圧Ｖｏの立ち上がりが速くなる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】完全差動型オペアンプの動作の安定度を向上し、高速動作を可能にする。
【解決手段】差動増幅部は、第１ステージの第１の差動増幅回路と、第２ステージの第２の差動増幅回路２から構成される。位相補償回路５は、第２の差動増幅回路２の差動入力端子と差動出力端子との間に接続されている。第１のＣＭＦＢ回路３は、第１ステージの差動増幅回路１の差動出力電圧ＶＰ，ＶＮの第１の同相電圧ＶＣ１が第１の基準電圧になるように、第１の差動増幅回路１をフィードバック制御する。第２のＣＭＦＢ回路４は、第２の差動増幅回路２の差動出力電圧ＶＯＵＴＰ，ＶＯＵＴＮの第２の同相電圧ＶＣ２が第２の基準電圧になるように、第２の差動増幅回路２をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】同相入力電流成分に対する耐性を大きくする。
【解決手段】差動トランスインピーダンス増幅器は、入力信号合成回路１２で得られた、入力端子ＩＴ，ＩＣのそれぞれの信号を合成した同相入力電圧と、出力信号合成回路１５で得られた、出力端子ＯＴ，ＯＣのそれぞれの信号を合成した参照電圧との差電圧に応じた制御信号を制御用増幅器１３で生成し、可変電流源ＩＳ１，ＩＳ２で、この制御信号に応じた量の電流を入力電流信号から引き抜く。入力信号合成回路１２は、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３と、容量Ｃ３１とから構成される。出力信号合成回路１５は、抵抗Ｒ４１〜Ｒ４３と、容量Ｃ４１とから構成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】入力電位および基準電位が入力される差動増幅器、利得段および出力電位が出力される出力段を有する半導体装置において、該出力段にオフ状態でのリーク電流が低いトランジスタを配置することで、該利得段から供給される電位が一定に保持される半導体装置である。また、オフ状態でのリーク電流が低いトランジスタとしては、酸化物半導体層を有し、且つ酸化物半導体層にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることである。 （もっと読む）

【課題】加工コストを増大させず、適応型バイアシング出力段を用いた高スイング演算増幅器を提供する。
【解決手段】出力段１２３は、ＶＤＤＡノードと出力ノードとの間のプルアップ電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタＴ３及びバイアシングトランジスタＴ４）を含み、前記出力ノードと接地ノードとの間のプルダウン電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタＴ１及びバイアシングトランジスタＴ２）も含む。前記バイアシングトランジスタＴ４，Ｔ２を提供することは、前記トランジスタＴ３，Ｔ４において低下される最大電圧を低減させ、それによって前記トランジスタＴ１〜Ｔ４がＶＤＤＡよりも低い破壊電圧を有するのを可能にする。 （もっと読む）

【課題】差動入力部を有するとともに、出力部を構成するカレントミラー回路のミラー比を調整して入力オフセット電圧をもたせた電圧電流変換回路において、差動入力部および入力オフセット電圧の温度特性を平坦なものにする。
【解決手段】平坦な温度特性を有する第１の定電流Ｉｂ１に正の温度特性を有する第２の定電流Ｉｂ２を加えた電流をバイアス電流として、ＭＰ１０及びＭＰ１１からなる差動入力部に供給することにより、差動入力部の温度特性とバイアス電流の温度特性とを相殺させて差動入力部の温度特性をゼロ（平坦なもの）にすることができる。また、電流吐き出し型の第１のカレントミラー回路の出力と、電流吸い込み型の第２のカレントミラー回路の出力との接続点を電圧電流変換回路の出力端子Ｏｕｔ２とし、この接続点に第１の定電流Ｉｂ１に比例した電流を加える構成により、温度特性のない入力オフセット電圧も実現することができる。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧に対応する生産プロセスで生産された製品に対して高い電源電圧を供給した場合にも、ホットキャリアに起因するオペアンプ特性の劣化を回避することができるオペアンプを提供する。
【解決手段】バイアス電源回路が、２つのカレントミラー回路の間に挿入された一対の抵抗部を有して定電流バイアス電位の他に付加バイアス電位を生成し、差動増幅器が、差動入力トランジスタ対と能動負荷トランジスタ対との間に挿入され且つ当該付加バイアス電位によってバイアスされる電圧降下用トランジスタ対を含むオペアンプ。 （もっと読む）

【課題】 オーディオ信号の振幅が負側に過大になったときのパルス幅変調信号の応答性を安定させる。
【解決手段】 パルス幅変調回路１０は、クロック生成回路１１と、差動増幅回路１２と、第１充電電流生成回路１３と、第２充電電流生成回路１４と、スイッチＳＷ１〜ＳＷ４と、コンデンサＣ１，Ｃ２と、第１放電用定電流回路１５と、第２放電用定電流回路１６と、第１パルス生成回路１７と、第２パルス生成回路１８と、パルス合成回路１９と、充電開始電圧維持回路２０とを備える。充電開始電圧維持回路２０は、コンデンサＣ１、Ｃ２の電圧が定電流Ｉｄによる放電動作によって電圧Ｖａよりも低下しようとするときに、電源電圧をコンデンサＣ１、Ｃ２に供給することによって、コンデンサＣ１、Ｃ２の充電開始電圧がＶａよりも低下することを防止する。 （もっと読む）

【課題】スイッチに流れるオフリーク電流の影響を抑制し、利得の発振を抑える。
【解決手段】差動増幅器１６は、入力信号が入力される入力端子２７，２８と、前記入力信号が増幅された出力信号を出力する出力端子２５，２６と、を備える差動増幅器１６であって、前記入力信号を増幅し前記出力信号を生成する増幅部２１と、前記増幅部２１と電源端子との間に接続され、第１導電型トランジスタＴ３４，Ｔ３５と、前記第１導電型トランジスタＴ３４，Ｔ３５のゲート端子をドレイン端子に接続するかまたは前記出力端子２５，２６に接続するかを切り替える切り替えスイッチ２２と、を有する負荷回路２３と、前記切り替えスイッチ２２のオフリーク電流を低減するキャンセル電流を生成するリークキャンセルスイッチ３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動があった場合でも広い出力電圧範囲が得られるカレントミラー回路を提供する。
【解決手段】この低電圧カスコードカレントミラー回路は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１〜Ｑ５と抵抗素子１を備える。トランジスタＱ３のオーバードライブ電圧Ｖｏｖ＿Ｑ３は、トランジスタＱ４，Ｑ５のオーバードライブ電圧Ｖｏｖ＿Ｑ４，Ｖｏｖ＿Ｑ５の和に等しい。定電流Ｉｃと抵抗素子１の抵抗値Ｒ１との積は、トランジスタＱ５の飽和マージンＶｄｓｍ＿Ｑ５となる。したがって、プロセス変動があった場合でも、トランジスタＱ５の飽和マージンＶｄｓｍ＿Ｑ５は変化しない。 （もっと読む）