【課題】全く新規なゲル状物質の提供。
【解決手段】（Ａ）繊維状物質、（Ｂ）ＤＳＣにおける融点ピークが１２０℃以上である常温固体のポリオレフィンおよび（Ｃ）液状物質とを含有することを特徴とするゲル状物質。 （もっと読む）

【課題】有機ハロゲン化合物に汚染された土壌及び／又は地下水を、安価に且つ確実に浄化できる鉄粉を主体とする浄化剤及びその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄粉と、少なくとも表面にステンレス鋼が存在する金属粉と、ニッケル塩を混合してなることを特徴とする有機ハロゲン化合物で汚染された土壌及び／又は地下水の浄化剤。また、前記金属粉が、オーステナイト系ステンレス鋼をスチールショットによってショットブラストしたときに発生する鋼粉であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

本発明は、Ｒ‐１２４３ｚｆ、Ｒ‐３２（ジフルオロメタン）およびＲ‐１６１（フルオロエタン）を含んでなる熱伝達組成物を提供する。 （もっと読む）

本発明は、殺害虫剤及びＵＶ吸収剤を含んでいる農薬組成物、及びそのＵＶ吸収剤に関する。本発明は、また、そのＵＶ吸収剤の農薬組成物における使用にも関する。本発明は、また、植物病原性菌及び／又は望ましくない植物体の生長及び／又は望ましくない昆虫もしくはダニの寄生を防除するための、及び／又は植物体の生長を調節するための方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型ポジ型レジスト膜の成膜に好適に用いることができる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）一般式（１）で表される化合物と


と、（ｂ）Ｍ^＋Ｚ⁻で表される感放射線性酸発生剤とを含有する感放射線性組成物。 （もっと読む）

【課題】光硬化性樹脂の光硬化において良好な光硬化性を発現する光塩基発生剤、それを用いた光硬化性樹脂組成物及びその硬化物を提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表される２−アミノトロポン誘導体を含有する光塩基発生剤、それを用いた光硬化性樹脂組成物及びその硬化物とすること。
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【課題】異物となる無機物、有機物等に特異的な活性を有することがなく、工業的な生産が可能であり、食品用途への応用等を期待できる抗氷核活性剤を提供する。
【解決手段】餡粕を、熱水によって２０〜４０分間抽出した抽出エキスの、オリゴペプチドを含む、分子量３５００以下の画分を含有する、抗氷核活性剤と、その製造方法。 （もっと読む）

フッ素化エーテルの製造方法は、極性非プロトン性溶媒中で、
式Ｘ−Ｒ_ｆ^１ＣＨ_２ＯＨにより表されるフッ素化アルコールと、式Ｒ_ｆ^２ＣＨ_２ＯＳ（＝Ｏ）_２Ｒ_ｆ^３により表されるフッ素化スルホネートエステルと、塩基と、を組み合わせる工程と；式Ｙ−Ｒ_ｆ^１ＣＦ_２ＯＣＦ_２Ｒ_ｆ^２−Ｙにより表されるフッ素化エーテルを得る工程と、を含む。Ｒ_ｆ^１は、１〜１０個の炭素原子を有するペルフルオロ化Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキレン基、及び部分フッ素化Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキレン基、及び鎖状ヘテロ原子を有する上記アルキレン基の誘導体から選択される。Ｘは、Ｈ、Ｆ、又はＨＯＣＨ_２−基を表す。Ｒ_ｆ^２は、ペルフルオロ化Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキル基、及び部分フッ素化Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキル基、及び鎖状ヘテロ原子を有する上記アルキル基の誘導体から選択される。Ｒ_ｆ^３は、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基である。Ｙは、Ｈ、Ｆ、又はＲ_ｆ^２ＣＨ_２ＯＣＨ_２−基を表す。対称フッ素化エーテルを調製するために有用な変法も開示する。また、本開示は、この方法に従って調製可能なフッ素化エーテルを提供する。種々の用途におけるフッ素化エーテルの使用も開示する。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として好適な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ｂ１−１５）で表される化合物；該化合物からなる酸発生剤；酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分及び該化合物からなる酸発生剤を含有するレジスト組成物。式中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、一般式（ｂ１５−１）で表される官能基で置換された置換アリール基である。
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【課題】長期間保存してもインクの吐出安定性の低下が少なく保存性に優れるインクジェットインクを与える光酸発生剤を提供する。
【解決手段】カチオン重合性化合物および光酸発生剤を含有する活性光線硬化型インクジェットインクに用いられる活性光線硬化型インクジェットインク用光酸発生剤であって、光酸発生剤が、下記の精製工程を有する製造方法により製造されたものであることを特徴とする。［精製工程：トリアリールスルホニウム塩を、６０℃以上、トリアリールスルホニウム塩の分解温度（℃）未満の温度範囲で、加熱処理する加熱工程および該加熱工程の後に行われるプロトン除去工程を有し、該加熱処理工程の加熱温度をｔ（℃）とし、加熱時間をｈ（ｈｒ）としたとき、Ｋ−５９ｈ≧８２である工程。Ｋは、加熱時間ｈをｘ軸とし、加熱温度ｔをｙ軸として加熱時間−加熱温度曲線を求めｘ＝０からｘ＝ｈまで積分した値である。］ （もっと読む）