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国際特許分類[C23C14/00]の内容

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【課題】蓋部を開閉するための設備をシンプルに構築し易くなって、コストダウンにも有効であるチャンバーラインを提供する。
【解決手段】複数のチャンバー4A〜4Eの並び方向Dに沿って配置されたレール11と、レール11に沿って移動自在であり、複数のチャンバー4A〜4Eに設けられた複数の天板(蓋部)9をそれぞれ昇降させてチャンバーを開閉可能な天板チェンジャー13と、を備える。天板チェンジャー13は、複数のチャンバー4A〜4Eの並び方向Dに沿って移動自在であり、任意のチャンバー4A〜4Eの天板9を昇降できる。その結果として、一つの天板チェンジャー13で複数のチャンバー4A〜4Eを開閉させることができるようになり、チャンバー4A〜4Eを開閉するための設備をシンプルに構築し易くなり、コストダウンにも有効である。 (もっと読む)


【課題】硫化物を成膜する成膜装置において、安全かつ簡単にチャンバー内をクリーニングすることができる成膜装置、および成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜対象を内部に収納するチャンバー2を備え、チャンバー2内の成膜対象(基板6)に硫化物を成膜する成膜装置1であって、クリーニングガス導入機構3と、雰囲気ガス排出機構4と、硫化水素除去機構5とを有する。成膜装置1をクリーニングする際は、導入機構3のバルブ32を開放し導入管31からクリーニングガスを導入して、チャンバー2内の付着物10を硫化水素に分解する。同時に、排出機構4の吸引機(ポンプ43)を作動させ、硫化水素を含むチャンバー2内の雰囲気ガスを排気する。排気された雰囲気ガスに含まれる硫化水素は、除去機構5により取り除かれる。 (もっと読む)


【課題】膜剥離や短絡の発生を抑制し、かつ圧電特性を向上する圧電素子を提供する。
【解決手段】基板7の上に、単一の拡散防止層12と、圧電層13とが、この順序で積層された、基板7を含めた3層構造の圧電素子100であって、拡散防止層12及び圧電層13は、それぞれエアロゾルデポジション法によって成膜された膜であり、拡散防止層12の弾性率は、基板7の弾性率以下でかつ圧電層13の弾性率以上の関係を有する。拡散防止層12は、アルミナを添加したジルコニア、若しくは、チタン酸ジルコン酸鉛、若しくは、膜厚が5μm以上となるジルコニアにより構成する。 (もっと読む)


【課題】形成された付着膜を容易に除去することができる成膜装置用部品を提供する。また、成膜装置用部品に形成された付着膜を効率よく除去することができる付着膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置用部品は、基材と、前記基材に形成されたプレコート層と、前記プレコート層上に形成された多孔質溶射層を有する成膜装置用部品であって、前記プレコート層が、水性無機コーティング剤から形成されたものであり、前記基材の線熱膨張率(α1)と前記プレコート層の線熱膨張率(α2)との差(│α1−α2│)が18×10-6/℃以下であることを特徴とする。
また、本発明の付着膜の除去方法は、付着膜形成後に、水および/または水蒸気によりプレコート層を処理した後、付着膜を除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】形成された付着膜を容易に除去することができる成膜装置用部品を提供する。また、成膜装置用部品に形成された付着膜を効率よく除去することができる付着膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置用部品は、基材と、前記基材に形成されたプレコート層とを有する成膜装置用部品であって、前記プレコート層が、水性無機コーティング剤から形成されたものであり、前記基材の線熱膨張率(α1)と前記プレコート層の線熱膨張率(α2)との差(│α1−α2│)が18×10-6/℃以下であることを特徴とする。
また、本発明の付着膜の除去方法は、付着膜形成後に、水および/または水蒸気によりプレコート層を処理した後、付着膜を除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電子デバイス製造装置の占有スペースの増大や基板を流動させる際のロスタイム
を発生させることなく、蒸着マスクをクリーニングすることのできる電子デバイス製造装
置および電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】電子デバイス製造装置10では、有機膜蒸着室66R、66G、66Bでの
マスク蒸着に用いた蒸着マスクについては、蒸着マスク返却路75を介して、最下流側の
有機膜蒸着室66Bから最上流側の有機膜蒸着室66Rに戻す。蒸着マスク返却路75に
はプラズマ処理装置が設けられており、蒸着マスク返却路75において蒸着マスク40に
プラズマを照射することにより、蒸着マスク40に付着した有機物を除去する。 (もっと読む)


【課題】シールド板、成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、交換後のシールド板に対する脱ガス処理に要する時間を短縮可能とすることを目的とする。
【解決手段】成膜装置内に交換可能に取り付けられると共に、成膜装置内で飛散する成膜材料が堆積される堆積面を有するシールド板を、一対の相対向する表面のうちの一方が堆積面を形成する板状部材と、板状部材に一体的に設けられたヒータと、ヒータと電気的に接続された端子を備えるようにする。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内に残留する水分や内壁に付着したガス成分を従来以上に効率よく除去する。
【解決手段】真空雰囲気下で基板に所定の処理を施す処理室(プロセスチャンバ)200と,処理室内を排気して所定の真空圧力に減圧する排気系270と,所定温度以上の過熱水蒸気を発生させる過熱水蒸気発生装置300と,処理室に設けられた過熱水蒸気導入口204から過熱水蒸気発生装置で発生した過熱水蒸気を導入するための過熱水蒸気導入配管310とを備える。 (もっと読む)


【課題】スプラッシュを低減させ、連続運転を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、成膜材料10を気化させ、成膜材料10を被成膜物の表面に堆
積させることにより成膜を行う成膜装置であって、真空容器14と、真空容器14内に設
けられ、成膜材料10を収容する絶縁性の坩堝18と、坩堝18に収容された成膜材料1
0の表面に生成される副生成物12を除去する副生成物除去部材26と、所定の待機位置
と坩堝18の近傍との間で副生成物除去部材26を移動させるための、先端部24aに副
生成物除去部材26が固定された腕部材24と、を備える。 (もっと読む)


【課題】装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くことなく、被処理基板の表面に対する分子汚染を有効に抑制する。
【解決手段】被処理基板21がセットされるテーブル部20と、前記被処理基板21の一面側を覆う板状部材31を有するとともに当該被処理基板21と接触せず当該被処理基板21との間隔が当該被処理基板21の二次元代表寸法の1/1000以下の大きさとなる位置に前記板状部材31を配するカバー部30と、前記テーブル部20および前記カバー部30を内蔵する減圧チャンバ室10と、を備えて基板処理装置を構成する。そして、前記被処理基板21と前記板状部材31との間隙と当該間隙を除く当該減圧チャンバ室10の内部空間との間で差動排気を成立させつつ当該減圧チャンバ室10内を減圧し、前記減圧チャンバ室10内が所定圧まで減圧された後に、前記被処理基板21と前記板状部材31とを離間させるようにする。 (もっと読む)


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