【課題】成膜装置の稼働率と被処理物の処理効率を向上させることができるハースライナーカバー交換機構を提供する。
【解決手段】小径孔１６Ｂと大径孔１６Ａとで構成された鍵穴状の穴１６が形成された鍔部１０Ｂを有し成膜装置のハース１４の上部に設けられるハースライナーカバー１０を交換するハースライナーカバー交換機構であって、垂直方向に移動可能となり、かつ垂直方向に延びる軸３０の軸回りに回転可能になるハンド３６を有し、ハンド３６は穴１６に引っ掛けてハースライナーカバー１０を保持する保持部３８を備え、ハンド３６が軸の軸回りに回転するときの回転方向の接線は小径孔１６Ｂから大径孔１６Ａに延びる穴１６の中心線と一致し、保持部３８が穴１６に挿入された状態でハンド３６が軸３０の軸回りに回転することにより保持部３８と穴１６が係合する。 （もっと読む）

本発明は、コーティング設備の副次面に適用されるべき洗浄法に関する。コーティングの前に、付着防止層（１０）が副次面に塗布される。コーティング材料が付着防止層に付いた後、ドライアイス噴射またはＣＯ_２スノー噴射によって副次面が洗浄される。
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【課題】有機シリカ膜を成膜したのちのプラズマ反応室の内壁のクリーニング時間を短縮する。
【解決手段】まずプラズマ反応室内壁をプリコート膜で被覆する（プリコート工程）。次いで基板上に、シリコン炭素組成比（Ｃ／Ｓｉ）が１以上である有機シリカ膜を成長させる（基板処理工程）。次いで、基板を取り出した後、プラズマ反応室内壁に付着した有機シリカ膜とプリコート膜とをプラズマを用いて除去する（クリーニング工程）。プリコート膜としては、基板上に成膜された有機シリカ膜よりも少なくとも炭素含有率が低い有機シリカ膜である高酸素含有プリコート膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物に形成される膜の膜質の低下が抑えられたスパッタリング装置を得ること。
【解決手段】複数の第１小型マグネトロンカソード３１ａおよび第２小型マグネトロンカソード３１ｂの中央磁石３２ａ，３２ｂ付近に生じる非エロージョン領域は、分断されて個々で存在するので、連続した一体の中央磁石で構成されたマグネトロンカソードと比較して狭くできる。個々の非エロージョン領域が狭いことで、非エロージョン領域に形成された厚膜に発生する応力を緩和でき、膜応力等による剥がれが減少することで、パーティクルの発生を抑えることができる。したがって、基板に形成される膜に取り込まれるパーティクルを減少でき、膜質の低下が抑えられるスパッタリング装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】駆動機構の複雑化やフットプリントの増加を最小限に抑えつつ、防着板によって構成されたシールド空間の排気コンダクタンスを向上し、残留ガスを効果的に減少させた成膜装置を提供する。
【解決手段】シールド空間に開口部を設け、真空ポンプと真空チャンバとの間の排気口を封止可能な可動板を、成膜時に前記開口部を塞ぎ前記排気口を開く第１のポジションと、被処理基板搬送時に前記開口部と前記排気口の両方を開く第２のポジションと、前記排気口を封止する第３のポジションと、に移動可能なように構成された成膜装置。 （もっと読む）

【課題】流体の排気抵抗を小さくするとともに、小型化及び低背化を実現できる開閉バルブを提供する。
【解決手段】相互に直交する方向に開口する吸気口１４と排気口１６が形成されたバルブ本体１２と、バルブ本体１２の内部に配置され、排気口１６を開放する弁体３４と、弁体３４を直進運動させる弁体可動部２６と、軸方向が吸気口１４に対して直交しかつ排気口１６に対して平行となるように配置され弁体３４を軸回りに回転可能にする揺動軸３０と、弁体可動部２６の直進運動を当該直進運動と揺動軸３０の軸回りの回転運動に変換して弁体３４に伝達する運動変換機構４０と、を有し、弁体３４は運動変換機構４０により直進運動及び回転運動を行い、吸気口１４及び排気口１６に対して直交する姿勢となる位置に移動して排気口１６を開放する。 （もっと読む）

【課題】焼入れ鋼等の高硬度鋼の切削加工で、すぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、ｃＢＮ相とＴｉＮ相との複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、該硬質被覆層中のｃＢＮ相の体積割合は４０〜８０％であり、残りは、非晶質ＴｉＮ相と結晶質ＴｉＮ相の混相からなり、混相に占める上記非晶質ＴｉＮ相の面積割合は３０〜８０％であって、非晶質ＴｉＮ相は、ｃＢＮ粒子の表面を被覆している。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、クリーニング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるＣＦ₄を実質的に副生しない新規なクリーニングガスを提供する。
【解決手段】
ＣＨＦ₂ＣＯＦを含んでなる堆積物のクリーニングガスであって、Ｏ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｆ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＸＦ_n（式中、ＸはＣｌ、ＩまたはＢｒを表し、ｎは１≦ｎ≦５の整数を表す。）、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃、Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなどを含むことができ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物などを含む堆積物に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 スプラッシュやパーティクルの発生に直結するアーク放電発生時の電流上昇を効果的に制限しつつ、アーク処理終了時に放電電圧が過大となることを防止し得る電源装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電源装置Ｅは、プラズマＰに接触するターゲットＴに直流電圧を印加する直流電源部２と、この直流電源部からの正負の出力５ａ、５ｂにて電極に発生するアーク放電を検出すると共に、そのアーク放電の消孤処理をし得るアーク処理部３とを備える。アーク処理部によりアーク放電の発生が検知され、消孤処理が開始されたときに前記電極への出力が定電流特性を有し、その消孤処理の終了までに前記電極への出力が定電圧特性を有するように、前記出力を切り換える出力特性切換回路６、ＳＷ２を備える。 （もっと読む）