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国際特許分類[C23C14/00]の内容

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【課題】超微粒子の粒径を大幅に変えることができしかも超微粒子の収率のよく、また基板上の成膜範囲を制御できるヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】スパッタカソード室11と成膜室12とを有し、スパッタカソード室で生成された原子及び超微粒子の集合体を成膜室内の基板に吸着させて薄膜を形成するようにした装置において、成膜室にレンズ効果により超微粒子を収束、発散をさせる静電レンズが設けられる。 (もっと読む)


【課題】マイクロ電池製造時のリチウム真空堆積プロセスで用いられるメカニカルマスクから安全にリチウムを除去するとともに、該リチウムをリサイクルする方法を提供する。
【解決手段】支持体上の金属リチウムの除去方法は、プラズマ応用ステップを備える。プラズマは、50Wから400Wの間のパワーを持つ炭素源及び酸素源から形成される。プラズマは、金属リチウムを炭酸リチウムに変換する。さらに、水溶液に炭酸リチウムを溶解させるステップを備える。 (もっと読む)


【課題】液中プラズマを用いて液体のみならず固体をも原料とした皮膜を基材の表面に成膜する方法において、成膜条件の大幅な変更を伴うことなく、所望の割合で固体の原料を含有する皮膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の液中プラズマを用いた成膜方法は、第一の原料を含む固体からなるターゲットTと基材Sとを互いに対向させて、第二の原料を含むまたは含まない液体L中に配設する配設工程と、液体L中にスパッタガスGを供給して少なくともターゲットTと基材Sとの間に気相空間Vを形成する気相空間形成工程と、気相空間Vに少なくともスパッタガスGのプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマによりターゲットTをスパッタリングさせて基材Sの表面に少なくとも第一の原料を堆積させる。 (もっと読む)


【課題】真空装置における配線作業の作業効率を向上可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空装置の配線に用いるコネクタユニット1であって、当該真空装置本体2に着脱自在に装着可能な配線用基盤3と、配線用基盤3上に、装置側端子台4、第1の外部装置側端子台5A、第2の外部装置側端子台5Bが設けられている。装置側端子台4、第1の外部装置側端子台5A、第2の外部装置側端子台5Bは、複数の端子部41、51、54を有し、当該端子部41、51、54と電気的に接続され且つコネクタ付きケーブルと接続可能なコネクタ接続部を有する。装置側端子台4、第1の外部装置側端子台5A、第2の外部装置側端子台5Bは、それぞれ着脱自在の端子間ケーブル45によって端子部41、51、54同士が電気的に接続可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、成膜炉内のパーティクル数を抑制できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜炉内に基板を配置し該基板上に成膜を行う成膜装置であって、該成膜炉と、該成膜炉に接続されたパージガス導入管と、該成膜炉に接続されたパージガス排気管と、該成膜炉内のパーティクル数を測定する測定手段と、該測定手段により測定されたパーティクル数が多いほど、該成膜前に該パージガス導入管から該成膜炉へ導入するパージガスの量を増加させる手段とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置基板のスパッタリングプロセスで特に周辺部に付着するパーティクルを抑制できるスパッタリング装置および半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空処理室1内に、ステージ2と、ターゲット4と、デポリング8と、カバーリング7とを備える。またプラズマ発生手段と、ステージ2に静電チャック作用を発生させる直流電源3と、ターゲット4のコンディショニング時にステージ2全体をプラズマから遮蔽して保護するシャッターディスク9と、クリーニング時にステージ2の基板設置面のみを覆ってプラズマから保護する保護ディスク12とを備える。保護ディスク12が上記サイズであることにより、ステージ2の側壁とデポリング8との間の余剰な成膜物も除去が可能となる。 (もっと読む)


【課題】スパッタ装置において、スパッタ堆積膜(スパッタ膜)の剥がれを防止する防着板を改良し、スパッタ膜の剥がれ起因のパーティクルを低減する。
【解決手段】基板101周部に、ターゲット104に対向するように防着板107を設置し、この防着板107の表面に、複数の凹面105a,105b,108,110を形成すると共に各凹面105a,105b,108,110のつなぎ目に溝106a〜106cを形成し、スパッタ膜を各凹面105a,105b,108,110と各溝106a〜106cの内部に堆積させ、スパッタ終了後にスパッタ膜が各凹面105a,105b,108,110の内側に囲われ圧縮されるようにすることにより、スパッタ膜の防着板107からの剥がれを防止する。 (もっと読む)


【課題】酸を含まない水を用いて防着板やマスクの洗浄を行える技術を提供する。
【解決手段】Liイオン二次電池を製造する工程で用いられる、マスクと防着装置等の、電解質膜が厚く形成される真空部品は、真空槽から着脱自在であるように構成されている。これらの部品を洗浄する場合は、電解質膜が付着した真空部品を取り外し、付着した電解質膜に、中性の水(pH6〜8)を注水、又は散布して、真空部品から電解質膜を剥離させる。モル比Qの値が大きくなるに従って残渣率が小さくなる傾向があり、モル比Qの値が0.26以上の値では、試験基板表面に成膜されたLiPON薄膜の80%以上が剥離しており、中性の水によってLiPON薄膜を剥離できた。方法は、モル比Qの値が0.26以上のLiPON薄膜を剥離するのに効果的である。 (もっと読む)


【課題】ベーキング処理により反応容器内の真空度を短時間で高めることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Wが配置される反応容器2と、反応容器2内にガスを導入するガス導入管と、反応容器2内を減圧排気する真空ポンプ15,16と、反応容器2の内面に沿って配置されたシールド板31と、シールド板31を加熱するベーキングヒータとを備え、ベーキングヒータによりシールド板31を加熱しながら、真空ポンプ15,16により前記反応容器2内を減圧排気する。 (もっと読む)


【課題】硫化物を成膜する成膜装置において、安全かつ簡単にチャンバー内をクリーニングすることができる成膜装置、および成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜対象を内部に収納するチャンバー2を備え、チャンバー2内の成膜対象(基板6)に硫化物を成膜する成膜装置1であって、クリーニングガス導入機構3と、雰囲気ガス排出機構4と、硫化水素除去機構5とを有する。成膜装置1をクリーニングする際は、導入機構3のバルブ32を開放し導入管31からクリーニングガスを導入して、チャンバー2内の付着物10を硫化水素に分解する。同時に、排出機構4の吸引機(ポンプ43)を作動させ、硫化水素を含むチャンバー2内の雰囲気ガスを排気する。排気された雰囲気ガスに含まれる硫化水素は、除去機構5により取り除かれる。 (もっと読む)


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