説明

国際特許分類[C23C14/00]の内容

国際特許分類[C23C14/00]の下位に属する分類

国際特許分類[C23C14/00]に分類される特許

141 - 150 / 429


【課題】 ターゲット物質の歩留りを向上させ、無駄なく簡単に薄膜を形成するためのターゲット物質含有液体の製造方法、ターゲット物質を含有する薄膜の形成方法、ターゲット物質含有液体を提供する。
【解決手段】 ターゲットを用いたプラズマスパッタリング法を用い、前記ターゲットが配置された処理室と同一の処理室内に配置された液体材料に向けてターゲット物質をスパッタリングすることにより、前記ターゲット物質を前記液体材料中に分散させることを特徴とするターゲット物質含有液体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Wに処理を施す処理室21a又は21bを備えた処理部2と、処理室21a又は21bに、被処理基板Wを搬入出する搬入出室31と、搬入出室31に設けられ、被処理基板Wを収容する被処理基板キャリアCが取り付けられる被処理基板用ロードポート32a乃至32cと、搬入出室31に設けられ、ダミー基板Wdを収容するダミー基板キャリアCdが取り付けられるダミー基板用ロードポート33と、搬入出室31に設けられ、ダミー基板Wdを格納するダミー基板格納部34と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】磁気ディスクを製造するために使用する、直線的に配置した複数のモジュール式処理室の列から、保守等のために一つの室を交換/置換する際にその作業が迅速且つ効率的に行えるような処理室設計を提供すること。
【解決手段】この処理ライン50は、各処理室50a−50gを、好ましくは二等辺の、台形に構成し且つ交互に逆向きに配置したので、一つの室50fの交換はそれをラインと垂直に動かすだけでよく、両側に隙間を創るためまたは無くするために他の室50e、50gを動かす必要がなく、シール56を損傷することもない。従って、室交換のために必要な時間および労力を短縮でき、シール56の使用寿命を延すことができ、ライン停止時間が短いので生産性が向上する。 (もっと読む)


【課題】一つの排気路(主排気路)のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】減圧排気弁10は、一端が真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する排気路中に取付けられる。この減圧排気弁10は、バルブ本体11と、前記バルブ本体11内に回動可能に収容され、内部に形成された連通孔が少なくとも3つに分岐されると共に、その一つの連通孔に通気孔を有する多孔質体13が配置されたボール弁体12とにより構成されている。前記バルブ本体内におけるボール弁体の回動位置に応じて、前記減圧排気弁10は、閉弁状態、前記多孔質体を介した開弁状態、前記多孔質体を介さない開弁状態が選択できるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】有機EL素子の蒸着マスクを低ダメージで効率よく洗浄し、蒸着剤を効率よく回収することで、蒸着マスクの利用回数を上げ、蒸着剤の再利用効率を上げることができる装置を実現する。
【解決手段】蒸着マスク2にパルスレーザ10を照射して、蒸着剤を蒸着マスク2から分離する。吸引ノズル3から蒸着剤を吸引し、サイクロン6で空気と蒸着剤を分離し、サイクロン6の底部に蒸着剤を堆積させる。その後、バルブ12を開き、蒸着剤を蒸着剤回収部7に回収する。その後、バルブ13を開け、蒸着剤精製部8に蒸着剤を移動させて蒸着剤を精製する。バルブ14を開け、精製された蒸着剤を蒸着剤保管部9に保管する。これにより、蒸着マスク2をダメージなく洗浄出来るとともに、蒸着剤を高い効率で回収することが出来る。 (もっと読む)


【課題】真空引き時にチャンバ内に発生するパーティクル及び/又はアウトガスを吸着、除去することができる基板処理装置の真空排気方法を提供する。
【解決手段】ウエハWを載置するステージ12を備えたチャンバ11を大気開放後に減圧する基板処理装置の真空排気方法において、ステージ12表面を保護部材25で覆う保護部材被覆ステップと、チャンバ11を密閉する密閉ステップと、密封したチャンバ内を減圧する真空排気ステップとを有する。保護部材25は、パーティクルP及びアウトガスを捕集するガス吸着能を備えたトラップ部38と、基部26とを有する。 (もっと読む)


【課題】安価な薄膜顔料を提供する。
【解決手段】
本発明の成膜装置Aは、円筒形の成膜対象物2の下方にルツボ3が配置され、上方にアーク蒸発源4とスパッタリングターゲット5が配置されている。スパッタリングターゲット5によって剥離層を形成し、反応性ガスを導入しながらアーク蒸発源4による成膜とルツボ3からの蒸着成膜によって誘電体積層膜を形成する。金属材料の粒子を発生させる場合、アーク蒸発源の粒子放出量が多いので、成膜速度が速く、安価な薄膜顔料を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】成膜方法、基板保持具及び成膜装置において、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することを目的とする。
【解決手段】チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法において、チャンバ内で前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁石により磁界を発生させてチャンバ内の塵埃を磁石により吸着するように構成する。 (もっと読む)


【課題】サセプタに付着する膜の密着性を上げることで、発塵を防ぐ表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面処理方法は、SiO2あるいはSiCを用いて、SiO2を主成分とするサセプタの表面をブラスト処理する工程(H)と、そのサセプタ表面をエッチングする工程(I)とを備える。サセプタは、サセプタ本体と、サセプタ本体の上に設けられ、基板よりも一回り小さいサイズで形成され、サセプタの一部分として、基板を下から支える段差部とを備え、マスキングする工程において、段差部がマスキングされ、基板の端部とサセプタ本体との間の導通が防止され得ることが望ましい。 (もっと読む)


【課題】 ターゲット交換後、可及的速やかに製品へのスパッタリングによる成膜処理が行い得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ1内にターゲット5を配置した後、真空チャンバを真空引きし、不活性ガスを導入して低真空領域に保持し、真空チャンバを加熱してベーキングする工程と、低真空領域から高真空領域まで更に真空引きする工程と、高真空領域に達すると、真空チャンバ内にスパッタガスを導入すると共にターゲットに電力投入し、ターゲットの積算電力が所定値に達するまでターゲットをプレスパッタする工程とを備える。そして、プレスパッタ後に、前記ターゲットに対向する位置に基板を搬送し、前記基板への成膜処理を開始する。 (もっと読む)


141 - 150 / 429