【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、清浄化処理を施した前記銅箔の張り合わせ面に、乾式成膜法で融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて形成した表面処理層を備えることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置及び成膜方法に関し、ＦＣＡ法により成膜する際に、成膜レートを維持しつつ、被成膜基板上に付着するマクロパーティクル数を低減する。
【解決手段】 アーク放電によるプラズマ発生ガンを備えたプラズマ発生部と、発生したプラズマを被成膜基板へ誘導するフィルターと、前記被成膜基板を保持および処理するチャンバーとを有する成膜装置に、前記プラズマ発生部に前記発生したプラズマの中央位置にプラズマ径よりも小径の防着板を設置する機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことが可能な被処理体の移載機構を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックス６と、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器６４内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段１８との間で、被処理体の移載を行う被処理体の移載機構５２において、昇降手段５４により上下方向へ昇降可能になされた昇降台５６と、昇降台に設けられて、被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段５８と、フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させるイオン発生手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極針を自動的にクリーニングできるとともに、クリーニングにより生じた塵埃等を外部に飛散させない機構を備えた除電器を提供する。
【解決手段】電極針清掃時は、電動機７３１が回転してシャッタ部材７１を第１の位置から第２の位置に移動させ、筺体２の第１の開口部２２を閉鎖する。次に電動機７３１が小刻みに正転と反転とを反復することにより、ブラシ７２ａ、７２ｂがそれぞれ対応する電極針４２ａ、４２ｂをシャッタ部材の移動方向に関して両方向から清掃できるように、シャッタ部材７１が往復動する。当該往復動の間は、シャッタ部材７１は第１の開口部２２を開口しないので、電極針から除去された塵埃等が第１の開口部２２から外部に放出されることはない。 （もっと読む）

本明細書に記載の実施形態は概して半導体処理チャンバ用の構成材、半導体処理チャンバ用の処理キット及び処理キットを有する半導体処理チャンバに関する。一実施形態において、スパッタリングターゲット及び基板支持体を取り囲むための下方シールドが提供される。この下方シールドは、スパッタリングターゲットのスパッタリング面及び基板支持体を取り囲む寸法設計の第１直径を有する円筒状外方バンドを備え、この円筒状バンドは、スパッタリングターゲットのスパッタリング面を取り囲む上部壁と、基板支持体を取り囲む底部壁とを備え、下方シールドは更に、載置面を備え且つ円筒状外方バンドから半径方向外側に延びる支持棚部と、円筒状バンドの底部壁から半径方向内側に延びるベースプレートと、ベースプレートに連結され且つ基板支持体の周縁部を部分的に取り囲む円筒状内方バンドとを備える。
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【課題】真空蒸着装置において、蒸着材料の供給及び回収動作を安定させる。
【解決手段】真空槽、蒸着材料を加熱蒸発させる蒸発源、蒸着材料を収容する容器、容器を複数積載して収納する収納器、および、容器を収納器と蒸発源の間を移動させる移載手段を備える真空装置であって、収納器を少なくとも棒材からなる枠組みで構成した。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内部から排出されるパーティクルの数を用いてチャンバの内部状況を正確に推定することができるチャンバの内部状況推定方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０においてＮＰＰＣシーケンスを実行した際の全排出パーティクル数の時系列データからガス衝撃力モード、ガス粘性力モード及び静電気力モードに対応した特性値（閾値越え開始点、閾値越え終了点、閾値越え積算時間及び閾値越え回数）が抽出され、該特性値とウエハ上パーティクルの数の相関関係（感度、ばらつき）が算出され、さらに、算出された相関関係及び新たな時系列データにおける特性値に基づいてウエハ上パーティクルの数が推定される。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる減圧排気弁１０は、一端が前記真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する排気路中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記減圧排気弁１０が、前記排気路に接続される管部１１と、前記管部内に収容された、前記排気路５を開閉する開閉弁１２と、前記開閉弁１２に設けられた、通気孔を有する多孔質体部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】噴霧法を用いて膜原料を溶解した溶液を噴霧させる薄膜作製炉である。溶媒を使用するので噴霧直後に溶媒は気化し膜原料の微細な粒子は基材に接近させるとき過熱された基材に気体状態で基材表面への常温常圧の表面蒸着および浸透蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜の製法については多種の製法、イオン、スパッタリング、真空等の製法が用いられている。原点に返り室温下での製法を用いる。このことは炉３の構造、加熱温度、空圧、溶媒の質量、基材の軟化点、蒸着に用いる先端ノズル５の改良および過熱温度、空圧、溶液量、噴霧距離等を勘案して炉３の開閉と噴霧時の温度と溶液量のおよび温度、空圧、軟化点の確認との一致、噴霧時の距離。以上の技術的一致点にて蒸着することにより既存の表面蒸着ではなく、浸透蒸着を可能にする。 （もっと読む）

【課題】発光強度が、粒径によらず、ほぼ均一で高い発光が得られる半導体ナノ粒子含有膜及び半導体ナノ粒子を提供する。また、当該半導体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供する。
【解決手段】スパッタ法により形成された半導体ナノ粒子含有膜であって、膜厚が０．５〜１０μｍであり、当該膜内に、結晶化した半導体ナノ粒子が、５．０×１０^６〜１．０×１０^８個／μｍ^３含有されていることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜及びそれから分取り出された半導体ナノ粒子。 （もっと読む）