【課題】表面処理液が、処理を所望しない裏面側へ回り込むことを防止しつつ、被処理面の端部領域も高精度に処理を施すことが可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１は、処理液Ｘをシート材１０の被処理面１６に沿って流下させて表面処理を施す表面処理装置１であって、端部領域処理面１７ｃを有する端部領域処理部３を備えている。端部領域処理面１７ｃは、シート材１０の被処理面１６に対して、微小隙間を介して対向して設けられている。そして、端部領域処理部３の下端部１７ａは、供給ガイド面１３上を流れる処理液Ｘの一部に対して接するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一次実装後に導電層が露出しにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子の表面に、導電層、密着層、及び、錫又は錫と他の金属との合金からなる低融点金属層が順次積層されている導電性微粒子であって、前記密着層は、置換めっきによって形成されたものである導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、並びに２−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 （もっと読む）

【課題】高いオゾン濃度のオゾン水を用いて被処理材の処理表面にオゾン水処理を行ったとしても、そのオゾン水から発生するオゾンガスの漏洩を抑制することができるオゾン水処理装置及びオゾン水処理方法を提供する。
【解決手段】被処理材Ｐを出し入れする開口部２１が上方に形成されたオゾン水収容槽２と、該オゾン水収容槽２の上部において被処理材Ｐを水洗する水洗装置３と、水洗装置３の上方の空気を排気する排気装置４と、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム合金をエッチングし、またすずめっきをする際の密着性を良好にする。
【解決手段】エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）と水からなるクロム酸フリー水溶液によるエッチング処理を行った後、不働態化処理、Ｚｎの置換めっきを行い、引続いてすずめっきを行なう。不働態化処理と亜鉛置換めっきの中間にピロリン酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム及びフッ化ナトリウムを含有する水溶液による活性化抑制処理を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】所定の被処理面に対して高品質な表面処理を実施することが可能な表面処理装置および表面処理システム、表面処理方法、これによって処理された帯状薄体を提供する。
【解決手段】表面処理装置１０は、帯状薄体Ｓにおける被処理面に沿って表面処理液Ｘを流下させて表面処理を行う装置であって、帯状薄体Ｓに対して所定の微小な隙間ｄを介して近接配置された壁部１２ｂと、この隙間ｄ内において流下する表面処理液Ｘを供給する供給部１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきに用いる鋳型を容易かつ安定的に形成することができるとともに、無電解めっき後、鋳型を必ずしも除去する必要のないコンポジットナノチューブ、およびその製造方法、さらには、コンポジットナノチューブを利用した金属ナノチューブおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アニオン性解離基を備えた有機ナノチューブ３を準備する。かかる有機ナノチューブ３は、親水部３１と疎水部３２を備えたペプチド脂質３０からなり、アニオン性解離基として、カルボキシル基を有している。そこで、有機ナノチューブ３におけるアニオン性解離基と金属イオンとの親和性を利用して、有機ナノチューブ３の少なくとも外周面に金属を無電解めっきし、無電解めっき層５と有機ナノチューブ３とのコンポジットナノチューブ１Ａを得る。かかるコンポジットナノチューブ１Ａから有機ナノチューブ３を除去すれば金属ナノチューブ１Ｂを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基材ポリマー粒子の有する良好な圧縮特性を保持し、圧縮変形を受けた後も導電性の低下が少なく、メッキ皮膜層により酸化防止効果、及びマイグレーション防止効果を有し、更に、粒子自体が導電性を有するため、前記メッキ皮膜層が剥がれた後でも電気抵抗が増大することや、絶縁性になることがなく、導通信頼性に優れた導電性粒子、及び該導電性粒子を製造するための導電性粒子の製造方法の提供。
【解決手段】基材ポリマー粒子に対し、ヨウ素をドープしてポリマー／ヨウ素複合体を調製する１次ドープ工程、該ポリマー／ヨウ素複合体に対し、金属種を反応させて金属ヨウ化物コンポジットを調製する２次ドープ工程、該金属ヨウ化物コンポジットを金属微粒子へ還元し、金属微粒子ドープ粒子を調製する還元工程、を少なくとも含み、更に、前記金属微粒子ドープ粒子を無電解メッキする無電解メッキ工程、を含むことを特徴とする導電性粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】一つの半導体基板に形成された複数品種の半導体素子に対し、それぞれの品種に対応したメッキ処理を施すこと。
【解決手段】複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 （もっと読む）