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国際特許分類[C23C18/31]の内容

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【課題】カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。
【解決手段】少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、ベンゼン環に直接結合した一つ以上のヒドロキシル基を持つ化合物を含有し、且つポリアルキレングリコール化合物又はポリアルキレングリコールの末端の少なくとも一つ以上のヒドロキシル基をアルコキシ基で封鎖したポリアルキレングリコールエーテル化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。 (もっと読む)


【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子(単一粒子)で存在している割合が高く、接続抵抗の低減に有用な突部が表面に形成されている、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。更に、この無電解メッキ金属薄膜の表面には、接続抵抗を低減できる突部が形成されている。このような導電粒子は、メラミン化合物を樹脂粒子表面に吸着させるメラミン吸着処理工程、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 (もっと読む)


銅イオン源と、式Iの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが30ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化1】


[式中、
−R1基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−R2基は、それぞれ独立して、R1またはアルキルから選ばれ、−XとYは独立して、また各繰返単位のXが独立して、C1〜C6アルキレン及びZ−(O−Z)m(但し、Z基はそれぞれ独立してC2〜C6アルキレンから選ばれる。)から選ばれるスペーサー基であり、−nは0以上の整数であり、−mは1以上の整数である。] (もっと読む)


【課題】安価でありながら刃先の耐摩耗性、硬度、じん性及び耐衝撃性に優れたることで寿命が長い帯鋸の提供を目的とし、さらには、この帯鋸に好適な部分メッキ方法及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】帯鋸の刃先部分にのみ、部分的に無電解ニッケルメッキ皮膜を形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


本発明はマイクロまたはナノ気孔を有する分離膜支持体の片面または両面にカーボンナノ構造体−金属複合体がコーティングされたカーボンナノ構造体−金属複合ナノ多孔膜に関する。また、本発明は、カーボンナノ構造体−金属複合体を界面活性剤存在下で分散させた後、分離膜支持体の片面または両面にコーティングする段階と、前記コーティングされた分離膜支持体を熱処理を施して前記金属を前記分離膜支持体に融着させる段階と、を含むカーボンナノ構造体−金属複合ナノ多孔膜製造方法に関する。
本発明によるカーボンナノ構造体−金属複合ナノ多孔膜は前記カーボンナノ構造体−金属複合体で金属のサイズが数nm〜数百nmであるため低温で溶融する特徴を有する。従って、低温で熱処理を施すことにより前記金属とカーボンナノ構造体を網状に連結し、前記金属を分離膜支持体に融着させることで製造される新しい形態のナノ多孔膜及びその製造方法を提供することができる。また、本発明によるナノ多孔膜を水処理分離膜として使用する場合、分離膜における問題、即ち細菌が原因となる詰まり現象による分離膜寿命の問題を解決することができる。 (もっと読む)


【課題】成膜工程における半導体ウェハの反り量を低減し、搬送ミスやウェハ割れを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造法は、互いに対向する一方表面1aおよび他方表面1bを有する基板1を準備する工程と、基板1の一方表面1aおよび他方表面1bにめっき法により導電層であるNiめっき膜7およびAuめっき膜8を形成する工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 生産性よく、パターンが施された金属箔を製造する方法により得られた金属箔を提供する。
【解決手段】 (イ)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広で導電性基材が露出している凹部が形成されているめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、(ロ)上記めっき用導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程を含むパターンが施された金属箔の製造方法。絶縁層は幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されており、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】樹脂層との密着性に優れためっき膜の形成に有用な、表面が平滑であっても、その表面に形成されるめっき膜との高密着性を達成しうるめっき用感光性樹脂組成物、それを用いた、表面金属膜材料、及びその作製方法などを提供する。
【解決手段】めっき触媒若しくはその前駆体と配位結合性の相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマー、及び、合成ゴムとエポキシアクリレートモノマーとベンジルアルコール基を有する重合性モノマーとからなる群より選択される1種以上を含有するめっき用感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性を有する基板を容易に製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】金属線14を有する基板10の製造方法であって、基板層12に金属層14aを積層する工程と、金属層14aの表面の少なくとも一部を樹脂層16で被覆する工程と、樹脂層16により被覆されていない金属層14aの部分をエッチングにより除去することで、基板層12上に金属線14を形成する工程と、を含む、基板10の製造方法とすること。 (もっと読む)


【課題】 特に、無電解メッキによりNiX層とPd層とを積層メッキする構成において、前記Pd層が安定して析出して接触信頼性等を向上させることが可能な弾性接点及びその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 弾性接点20は、Ni−X(ただしXは、P、W、Mn、Ti、Be,Bのうちいずれか一種以上)にて無電解メッキされたアモルファス状態のNiX層32と、前記NiX層32の表面にNi−Xにて無電解メッキされ、元素Xの含有量が前記NiX層32よりも少ない結晶質状態の下地層33と、前記下地層33の表面に無電解メッキされたPdあるいはPd合金の金属層34とを有する。 (もっと読む)


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