【課題】パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い選択的な無電解めっき方法、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地の金属より卑な金属を無電解めっき方法により選択的に積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、表面に導電体２を有する被めっき体へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、表面に導電体２を有する被めっき体を浸漬することを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い無電解めっき方法であり、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地金属上に無電解めっきにより金属を積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、導電体２へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への無電解めっき方法及び活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、導電体２を浸漬することを特徴とする導電体２への無電解めっき方法及び活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ、微細で深い溝パターンを形成可能なメタルマスクを提供すること。また、微細で深い溝パターンを有するガラス成形型を提供すること。
【解決手段】開口パターン部１０ａと非開口パターン部１０ｂとを有するメタルマスク１０の非開口パターン部１０ｂを、触媒金属１８が付与された下地層１２の表面に積層された無電解Ｎｉめっきまたは無電解Ｎｉ合金めっきよりなるめっき層１４と、めっき層１４の表面を被覆するＮｉＦ_２層１６とから構成する。このメタルマスク１０を介して型基材部２０表面をエッチングする工程を経て、溝部を有するガラス成形型とする。 （もっと読む）

【課題】形成されためっき面の外観不良が発生しないフィルムキャリアテープの製造方法とその製造に用いられる無電解スズめっき装置を提供する。
【解決手段】無電解スズめっき装置は、フィルムキャリアテープ２に無電解スズめっきを施すめっき槽１と、該めっき槽１のめっき液面より上に配置された液切り治具１１とシャワー装置１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成で、炭素繊維複合材の複合材表面に銀鏡反応を利用した銀鏡層を形成可能であり、かつ複合材表面との密着性に優れたレジャー用品に応用可能な銀鏡層形成方法、及び銀鏡層を有する炭素繊維複合材を提供することを課題とする。
【解決手段】銀鏡層形成方法は、アンダーコート層構築工程、第一塩化スズ溶液噴霧工程、第一塩化スズ溶液除去工程、硝酸銀溶液噴霧工程、銀鏡層形成工程、未反応溶液除去工程、銀鏡反応抑制工程、リンス液除去工程、エアーブロー工程、乾燥工程、及びトップコート層構築工程を具備し、これによって形成された複合材２は、アンダーコート層５、銀鏡層３、及びトップコート層７を有し、トップコート層７によって銀鏡層３が強固に密着されている。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用するとともに短時間で均一な被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液は、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方と界面活性剤を含み、平均粒径が１００μｍより大きい金属粉末を金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させたものを、超臨界状態又は亜臨界状態で無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を発生させることなく短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１００μｍより大きいものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき液を短期間で交換することなく配線パターン間の金の析出が抑制されるめっき装置と、めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき装置１０は、めっき液７を貯留する金属製のめっき槽１、めっき液７に浸漬される電極２および電源部６を備えている。めっき槽１には、それぞれ電源部６に繋がれた参照電極のリード線４と対極のリード線５とが接続されて、めっき槽１が陽極とされ、電極２には、電源部６に繋がれた試料電極のリード線３が接続されて、電極２が陰極とされる。電源部６によって、めっき槽１と電極２との間の電位差が自然分極電位に設定される。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内のめっき液の温度や流動を均一にすることで、ワーク等の被めっき物に均一なめっきを施すことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】リザーブ槽２０からポンプ５０によってめっき液Ｂをめっき槽１０へ導入させ、多孔管６０の吐出口６２よりめっき槽１０上方へ吐出させることで、めっき槽１０内のめっき液Ｂに流動が与えられる。このとき、吐出口６２が複数箇所に設けられ、また、その開口方向が多孔管６０の上方および両側方であり、さらに、多孔管６０の上部に多孔質板９０が設けられていることから、めっき槽１０内のめっき液Ｂの流動は均一化される。また、めっき液Ｂの温度については、リザーブ槽２０内に設けられたヒーター８０、ヒーター制御部８１および攪拌機７０によって調節され、その後に温度調節されためっき液Ｂがめっき槽１０へ導入される。 （もっと読む）

【課題】安定した表面処理を行うべく、濁りが少なく安定な銅の表面処理液および表面処理液を接触させる銅の表面処理方法を提供する。
【解決手段】スズ化合物と、フッ素化合物と、錯化剤とを含有し、表面処理液全体に対する遊離フッ素の濃度が０．１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下の範囲内であり、表面処理液のｐＨが５以下である。 （もっと読む）