【課題】 配線基板や実装部品との接合部を形成する際に、半導体製造技術においてはリフロー等の熱処理又は加熱されるため、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）等の耐熱性の低い実装部品の場合には、上手く接合出来ない。
【解決手段】 本発明は、配線基板１と実装部品３の配線導体５，１１間を電気的に接続するための接合部２がメッキ処理により析出された金属により形成される接合構造体である。この接合部２は、配線導体５及び／又は配線導体１１に形成されたバンプの先端部を近接又は当接させて保持し、電解メッキ液１７内で通電させることにより、電解メッキ金属を析出させて形成される。 （もっと読む）

【課題】
１００℃以上にも達する高温下、７〜１２ＭＰａにも達する高圧下であっても、腐食の発生，キャビテーション、さらにはエロージョンによる損耗を抑え、それらの耐環境性を改善し、アルミニウム材を用いた場合に優れた寿命を有する筒内直接噴射装置用の燃料ポンプを提供すること。
【解決手段】
アルミニウム又はアルミニウム合金を有する筒内直接燃料噴出装置における燃料ポンプに、無電解によりＮｉ−Ｐ或いはＮｉ−Ｐ系のめっき被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 表面側電極の表面にメッキ処理法を利用してニッケル膜を被膜するときに、半導体ウェーハの破損を抑制すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であり、半導体ウェーハ１２の表面側に、性質を異にする複数の半導体領域が所定の位置関係で配置されている半導体素子領域１４を形成する工程と、前記の位置関係に対して所定の位置関係でパターニングされている表面側電極を半導体ウェーハ１２の表面側に形成する工程と、その半導体ウェーハ１２の裏面にダイシングフレーム２４付きのダイシングテープ２２を固定する工程と、そのダイシングフレーム２４を介して半導体ウェーハ１２を支持しながら半導体ウェーハ１２にメッキ処理する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのめっき膜の形成に当たり、被処理基板が大型のものであっても所望する領域に均一にめっき膜が形成され、まためっき液の省資源化に資する金属薄膜形成装置および金属薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき法により金属薄膜が形成される被処理基板１２の被処理面にめっき処理用の薬液からなる層を形成すべく、前記被処理基板１２の被処理面の下方にこれと間隔をおいてかつ対向して配置される前記薬液のための吐出手段２６を具備する。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム材の表面に対して、耐食性に加え、金属光沢を付与するとともに、デザイン性の高い彩色を施すことを可能にするマグネシウム材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るマグネシウム材の表面処理方法は、マグネシウム製またはマグネシウム合金製の基材の表面を陽極酸化処理することによって、前記基材の表面に陽極酸化膜を設ける陽極酸化工程（Ｓ３）と、前記陽極酸化膜の表面上にスパッタリング法または真空蒸着法を用いてアルミニウム層を形成するアルミニウム層形成工程（Ｓ６）と、前記陽極酸化膜の表面上に前記アルミニウム層を介して亜鉛層を形成する亜鉛層形成工程（Ｓ７〜Ｓ９）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 表面被覆層にクラックが発生しにくいガラス成形用金型の製造方法を提供する。
【解決手段】 マルテンサイト組織の鋼または低炭素マルテンサイト中にε−炭化物が分散された鋼からなる基材の表面に、非晶質のＮｉ−Ｐ合金からなる表面被覆層を形成する。次いで、これに加熱処理を施すことによって、前記基材をトルースタイト組織またはソルバイト組織に変えるとともに、前記表面被覆層をＮｉとＮｉ_３Ｐの共晶組織に変える。好ましくは、前記基材は、炭素を０．３ｗｔ％以上、２．７ｗｔ％以下、クロムを１３ｗｔ％以下含み、前記加熱処理は、２７０℃以上で行われる。 （もっと読む）

【課題】置換めっき法を用いて、低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができる構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質層１３の孔１４内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法であって、基板上１に、めっき物よりも電気化学的に貴な下地膜１２を介して多孔質層を有する部材を用意する工程、置換めっき法により、該多孔質層の孔内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法。前記めっき物が、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種類以上を含むこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン化銀者感光材料にパターン露光、現像、およびめっきを施す導電性膜の製造方法に用いる、安定性が優れた導電性膜形成用めっき液、及び該めっき液を用いたむらがなく高導電性の導電性膜の製造方法、さらに電磁波シールド膜を提供すること。【解決手段】 ハロゲン化銀写真感光材料に現像処理を施して金属銀部を形成させたのち該金属銀部にめっき処理を施す導電性膜の製造方法に用いるめっき液であって下記一般式（I）〜一般式（III）から選択される少なくとも一つのポリアミノアポリカルボン酸等又はその水溶性塩を含有することを特徴とする導電性膜形成用めっき液及び導電性膜の製造方法。これを用いた導電性膜、透光性電磁波シールド膜及びそれらを装備した画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】 透光性のある、または透明若しくは半透明の樹脂成形体にめっきを施した金属調加飾樹脂成形体を得ること。
【解決手段】 樹脂成形体(14)に無電解めっき層(15)による金属調加飾部(16)を設けた金属調加飾樹脂成形体(10)について、前記樹脂成形体(14)が、アクリロニトリルブタジエンスチレンとポリメチルメタクリレートとのアロイ樹脂を含有する透光性の樹脂組成物(14)で形成した。この樹脂を用いたことで、透光性の樹脂成形体(14)でありながら、その樹脂成形体(14)に、直接無電解めっき層(15)を設けることができる。すなわち、無電解めっきを付けるための下地層などを必ずしも設ける必要がなく、安価でデザインに優れた金属調加飾樹脂成形体(10)が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属付着させるための電解質中に存在する付着金属のイオン濃度を、対応する陰イオン濃度に影響されずに設定、維持する方法、及びその装置を提供する。
【解決手段】電解質流１と交換液流２は、陽イオン交換膜又は微多孔膜３を介して互いに接触するので、交換液流中に存在する付着金属のイオン（Ｎｉ２＋）は、陽イオン交換膜又は微多孔膜３を介して、ドナン透析法によって電解質流２に移動する。これにより、電解質の陰イオン濃度又は陰イオン構成を変えることなく、電解質流１中にある、付着する金属のイオン濃度を設定することができる。 （もっと読む）