【課題】多孔体金属の表面において発光物質の浸み出しが均一化されたプラズマ光源の製造方法を提供する。
【解決手段】１対の同軸状電極１０間に管状放電を形成してプラズマを軸方向に封じ込めるプラズマ光源の製造方法であって、各同軸状電極１０は、棒状の中心電極１２と、中心電極１２を間隔を隔てて囲む管状のガイド電極１４と、中心電極１２とガイド電極１４の間に位置しその間を絶縁するリング状の絶縁体１６とからなり、絶縁体１６は、内側と外側の絶縁性緻密部分１６ａと、その間に挟持された導電性多孔部分１６ｂとからなり、導電性多孔部分は、導電性金属の微粒子を焼結して多孔体に成形し、多孔体の形状を機械加工し、多孔体におけるプラズマと対向する面及び反対面について、電解エッチングすることによって製造される。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどのウエハー上にレーザー光を用いて露光することで描画を行う描画装置において、ナノミクロンオーダーの高精度な位置決めを行うこと。
【解決手段】レーザー光を一定方向に往復させて所定の間隔でドットパターンの描画を行う光学素子用の描画装置であって、レーザー光を照射する照明光学系と、
基盤を載置するＸＹステージと前記照明光学系と前記ＸＹステージとの相対位置を測定する前記ＸＹステージ上に設置されたナノスケールと、前記基盤上の描画信号の基準位置とその描画信号波形データ出力と、前記ナノスケールによって測定された往路のドットパターンの描画終了位置から、復路のドットパターンの描画開始位置を抽出する軸制御ユニットと、前記軸制御ユニットによって抽出された描画開始位置から描画を開始するように前記照明光学系の位置を補正する位置補正手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光におけるフレアを低減する。
【解決手段】ＥＵＶ露光時にマスクを介して発生するフレア量を評価するステップと、フレア量の評価結果に基づいてマスクにダミーマスクパターンを付与するステップと、ダミーマスクパターンが付与されたマスクを介してＥＵＶ露光されたレイアウトパターンについてのフレア補正および近接効果補正を行うステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線描画装置におけるスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】生成部から送信される描画データを第１記憶部１２１及び前記第２記憶部１２２のうち選択された一方に記憶させる動作と、前記第１記憶部及び前記第２記憶部のうち他方に記憶された描画データを読み出して前記第３記憶部１２３に記憶させる動作とが並行して行われるように、前記第１記憶部、前記第２記憶部及び前記第３記憶部の動作を制御する第２制御部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】放射が調整される少なくとも３つの光路を備える放射ビーム調整システムを提供する。
【解決手段】パルス放射ビームを調整する放射ビーム調整システムは、少なくとも第１、第２及び第３の光路に沿ってパルス放射ビームを分割する放射ビーム分割器と、単一の出力パルス放射ビームを形成するために、少なくとも第１、第２及び第３の光路からの放射パルスを再結合する放射ビームコンバイナと、第１の光路に沿って伝搬する放射パルスに合わせて構成された放射パルストリマと、を備え、放射パルストリマが、単一の出力パルス放射ビームの総エネルギー量が実質的に所定のレベルになるように、第１の光路内で前記放射パルスをトリミング処理し、第１、第２及び第３の光路の光路長は、放射ビーム分割器と放射ビームコンバイナとで異なっている。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置において物品サポートに対して物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを提供する。
【解決手段】静電クランプはスタックを含む。スタックは、電極の第１の面６が第１の誘電体または半誘電体層１９に接触し、電極の第２の面８が第２の誘電体または半誘電体層２１に接触しているように配置された電極７、９を含む。誘電体または半誘電体層１９、２１は、少なくとも第１の部分７上に与えられた電荷を維持するために与えられている。電極は、クランプ１の外面上に配置されているわけではなく、電圧供給源とアースへの電気的接続も、静電クランプ１のスタック構造内に与えられていている。 （もっと読む）

【課題】２つの同軸状電極内に発生した面状放電を同軸状電極間の管状放電に繋ぎ変える電流路の繋ぎ変えの安定性を高め、プラズマ光源の出力、安定性、信頼性を高めることができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】２つの同軸状電極a内の中心電極ｂとガイド電極ｃとの間に発生した面状放電２を同軸状電極間の管状放電４に繋ぎ変える「繋ぎ変え時点」が、同軸状電極aに対する放電電圧による放電電流のピーク時点より前に設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＡＧ（光酸発生物質）二重層を用い、残留物が無くＬＥＲも僅かな犠牲ポリマー層、及び犠牲ポリマー層の分解方法と、これを使用して改良されたエアキャビティー、又はエアギャップを作製するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＡＧ二重層はその中に光酸発生物質を組込み、上部のＰＡＧ濃度は構造物の低部より高い。ＰＡＧが非存在の犠牲層１５が基板１０上に形成される。犠牲層が乾燥された後、ＰＡＧ単層２０が形成され、層１５と層２０はＰＡＧ二重層２５を形成する。次いで二重層２５の像様暴露（光線照射３５）遮蔽物３０を使用して行われる。暴露部分は熱分解法によって除去されて、基板上に残った非暴露部分４０を残す。次いで保護被覆層５０が構造体上に配置され、部分４５の分解及び保護被覆５０を通る分解生成物の浸透のために適当な温度に加熱した後、エアギャップ５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームの移動に起因する位置誤差の発生をできるだけ抑えてより正確な測定用パターンの描画を行うことで、精度良くセトリング条件の算出を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画装置の評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】測定用パターン１１を描画する制御データを記憶部３１ｉに格納するステップと、制御データに基づき荷電粒子ビームＢを使用して測定用パターン１１を描画するとともに、新たに測定用パターン１１の描画が行われる位置まで今後測定用パターン１１の描画が行われる予定の領域ごとにデータ分解能と同程度の微小ショットを打ちつつ荷電粒子ビームＢを移動させるステップと、全ての測定用パターン描画後露光するステップと、露光後の測定用パターン１１を基に、その位置誤差を確認するステップと、確認された位置誤差に基づいて最適なセトリング条件を算出するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】ディスク状磁気記録メディア用の微細パターンを回転ステージを回転させつつ電子ビーム走査により描画する際の周方向描画位置の精度を向上させる。
【解決手段】各半径位置の周方向の所定領域毎に、その所定領域が電子ビーム照射位置に位置する前に生じる所定のエンコーダパルスE_nから所定時間Δt_nの経過後(t_n+Δt_n)に、その所定領域の描画データ信号群に基づくパターン描画を開始することを原則とし、回転速度ムラに起因してある所定領域についての描画開始の基準となるエンコーダパルスE_nから所定時間Δt_nが経過する前に、その所定時間Δt_nの経過後に生じるべきエンコーダパルスE_n+1が生じた場合には、その発生時刻t'_n+1にその領域のパターン描画を開始する。 （もっと読む）