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国際特許分類[G03F7/20]の内容

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【課題】マスクの大きさが基板上の露光対象領域に比して小さい露光装置において、基板の全面を均一に露光でき、隣接する露光領域間における継ぎムラの発生を防止できる露光装置を提供する。
【解決手段】光源4から出射された露光光をマスク2に導く光学系として、光源4からの出射光を平行光にするコンデンサレンズ6とこれを透過した露光光をマスク面にて入射光と同倍率で結像させるオフナー光学系8とが設けられている。コンデンサレンズ6からの結像面には可変ブラインド7が配置され、結像面において露光光内に介在するシャッタ72,73を有し、シャッタ72,73によりマスク面露光領域におけるスキャン方向に直交する方向の少なくとも一方の端縁をスキャン方向に傾斜するように整形する。そして、2回のスキャン露光にて、マスク面露光領域における傾斜した端縁が重なるように、露光光の整形を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、ショット毎に、マスクと基板とがより平行な状態でギャップ合わせを行って、露光精度を向上させる。
【解決手段】マスクホルダ20とチャック10とを相対的にZ方向へ移動及びチルトする複数のZ−チルト機構30と、マスク2と基板1とのギャップを複数箇所で測定する複数のギャップセンサー30とを設ける。予め露光した基板のパターンを測定して、各ギャップセンサー40の測定点におけるショット毎のオフセット値を決める。ショット毎に、各ギャップセンサー40の測定値を、各測定点におけるショット毎のオフセット値で補正し、補正後の補正値に基づいて、複数のZ−チルト機構30によりマスク2と基板1とのギャップ合わせを行う。 (もっと読む)


【課題】改良されたレベルセンサアレンジメント及びその動作を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置内の基板上の少なくとも1つの実質的な反射層表面の位置を測定するための方法、並びに、関連付けられたレベルセンサ及びリソグラフィ装置が開示される。該方法は、広帯域光源を使用して少なくとも2つの干渉計測定を実行することを含む。各測定間で、広帯域ソースビームの成分波長及び/又は成分波長全体にわたる強度レベルが変化し、強度レベルのみが変化する場合、強度変化はビームの成分波長の少なくとも一部について異なる。あるいは、成分波長及び/又は成分波長全体にわたる強度レベルが異なる測定データを取得するための単一の測定及び後続の測定の処理を、位置を取得するためにも同様に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】露光装置において、光源の寿命を落とすことなく、適切な光量調整を行なう。
【解決手段】光量調整を行なう場合、DMDの有効ミラーをON状態にして投影光の光量を測定し、測定された光量と目標光量との比である使用率を定める。そして、使用率に基づいて、不使用ミラーの配列を示す調光フィルタデータを生成する。このとき、不使用ミラーが略一様な分布で、かつ不規則に並ぶようにする。DMDを利用した光量調整を行なっている間、放電ランプの出力が徐々に低下し、測定光量が目標光量に達しない状況になると、測定光量が目標光量より所定量多い基準光量に達するまで放電ランプの出力をアップする。 (もっと読む)


【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン形状或いは寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置100は、複数の穴を有し、複数の穴を電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材203と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート204と、複数の穴のうち互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士が試料上で並ぶように描画処理を制御する描画処理制御部18と、試料上で並ぶ各ビームのショット間隔が場所によって異なる場合に、最大ショット間隔が所定の量子化寸法で或いは所定の量子化寸法から所定の範囲内で規定された制御グリッド間隔以下になるように、ショット間隔を調整するショット間隔調整部19と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成で、マスクの撓みを補正しつつマスクを保持することができ、高精度で露光転写することができる近接露光装置及び近接露光方法を提供する。
【解決手段】マスクステージ1は、マスクMを下面に真空吸着して保持するマスクホルダ26と、マスクホルダ26の上面側に保持されるカバーガラス32と、マスクホルダ26、マスクM、及びカバーガラス32によって画成される空間33内の空気を吸引して該空間33内を減圧させる吸引機構40と、減圧された空間33内に外部から空気を供給する少なくとも1つの空気導入溝35と、を備える。そして、マスクMをマスクホルダ26の下面に真空吸着してマスクMを保持し、また、吸引機構40によって空間33内の圧力を吸引するとともに、空気導入溝35を介して外部の空気を空間33に供給することで、空間33内の圧力を所定の圧力に調整する。 (もっと読む)


【課題】構成レンズの枚数の増加を抑制しながら、十分な露光領域と大きな開口数とを確保しつつ両側テレセントリックとしながらも、コンパクト化を図った上で製造コストを低減した投影光学系を提供する。
【解決手段】第1物体の像を第2物体上に投影するための投影光学系において、前記第1物体側から前記第2物体に向かって順に、正の屈折力を有する第1レンズ群と、負の屈折力を有し、互いに向き合った凹面の組を形成する一対の負レンズを持つ第2レンズ群と、正の屈折力をする第3レンズ群と、開口絞りと、正の屈折力を有する第4レンズ群と、負の屈折力を有し、互いに向き合った凹面の組を形成する一対の負レンズを持つ第5レンズ群と、正の屈折力を持つ第6レンズ群とから構成され、0.3<f1/fa<1.3、−0.36<f2/fa<−0.08、0.13<f3/fa<0.5の条件を満足する。 (もっと読む)


【課題】光ビーム照射装置から照射される光ビームの走査方向と直交する方向の強度分布を補正して、パターンの高低差を抑制する。
【解決手段】光ビーム照射装置20からの光ビームにより基板1を走査して、基板1にパターンを描画する。描画制御部71は、パターンを描画するための描画データと、補正用パターンを描画するための補正用データとを、光ビーム照射装置20の駆動回路(DMD駆動回路27)へ供給して、走査方向と直交する方向の幅又は位置が走査方向において変化する補正用パターンを、描画するパターンの走査方向に重ねて描画させる。 (もっと読む)


【課題】互いに多層膜の周期長の異なる複数のマスクブランクに対しても、検出感度の高い検査を実現する。
【解決手段】マスクブランクMBに関する情報に基づいてマスクブランクMBの表面に照射するEUV光BMの入射角度を調整し、照明光学系を介して取り込まれたEUV光BMをマスクブランクMBの被検査領域に照射する。EUV光BMの入射角度は、ミラー姿勢制御手段23を用いて多層膜ミラーPM1,PM2の位置および角度を制御することにより調整する。 (もっと読む)


【課題】物体保持装置に保持された物体を迅速に搬出する。
【解決手段】 基板ホルダ30の上面上に載置された基板Pを該基板ホルダ30から搬出する基板Pの搬出方法は、前記基板ホルダ30に予め保持された基板トレイ60に前記基板Pを下方から支持させることと、前記基板トレイ60に前記基板Pを吸着保持させることと、前記基板ホルダ30から前記基板Pに対して気体を噴出することと、前記基板Pが前記基板トレイ60に吸着保持され、且つ前記基板Pに対して前記気体が噴出された状態で前記基板トレイ60を前記基板ホルダ30の上面に平行な方向に沿って相対移動させることにより、前記基板Pを前記基板ホルダ30から搬出することと、を含む。 (もっと読む)


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