【課題】信頼性を向上することが出来る半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】第１メモリセルＭＣと、第１ワード線ＷＬと、第１ビット線ＢＬに流れる第１電流を検知する第１センスアンプ１２と、を具備し前記第１センスアンプ１２は、第１供給部と、検出器と、前記検出器からの出力をカウントするカウンタと、を含み、前記カウンタは、第２供給部（２２、３１、３３）と、第２蓄積部と、検知部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】比較的高い抵抗率を持つ導電体を電極に用いた場合でも、高信頼な抵抗変化素子を実現する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、第１配線５４と、第２配線５５と、一端を前記第１配線５４に、他端を前記第２配線５５にそれぞれ電気的に接続されたメモリセル４０とを具備する。メモリセル４０は、抵抗値の変化で情報を記憶する抵抗変化層４１と、抵抗変化層４１の両端にそれぞれ接続され、貴金属を含まない第１電極５１及び第２電極５２とを備える。第１電極５１は、外側電極４３と、外側電極４３と抵抗変化層４１との間に設けられた界面電極４２とを含む。界面電極４２の膜厚は、外側電極４３の膜厚よりも薄い。界面電極４２の抵抗率は、外側電極４３の抵抗率よりも高い。第１電極５１の抵抗値Ｒｓは、抵抗変化層５２の低抵抗状態の抵抗値Ｒｏｎよりも低い。 （もっと読む）

【課題】書き込み動作の安定性および信頼性を向上した抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法を提供する。
【解決手段】抵抗変化素子を含むメモリセルに対して電圧パルスを印加することにより、抵抗変化素子を、印加される電圧パルスの極性によって第１の抵抗状態と第２の抵抗状態とを可逆的に変化させる書き込み方法であって、抵抗変化素子を第２の抵抗状態から第１の抵抗状態に変化せしめる時に、抵抗変化素子に対して、第２の電圧パルス（ＶＬ）よりも電圧の絶対値が小さく、かつ、第１の電圧パルス（ＶＨ）と極性が異なる第１の抵抗化プレ電圧パルス（ＶＬｐｒ）を印加する第１ステップと、その後、第１の電圧パルス（ＶＨ）を印加する第２ステップとを含む第１の抵抗状態化ステップを含む。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化素子を有するメモリセルを備えた半導体装置において、フォーミング条件出しによる不良セルが発生しない半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、各々第１の抵抗変化素子を有し、通常動作時にアクセスされる複数の第１のメモリセルと、第１の抵抗変化素子と実質的に同じである第２の抵抗変化素子６０ａ〜６０ｃを有し、通常動作時にはアクセスされずにテスト動作時においてアクセスされる少なくとも一つの第２のメモリセル５４ａ〜５４ｃと、テスト動作時において第２のメモリセルにフォーミングを行う制御回路４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】素子の耐久性の向上を図る。
【解決手段】抵抗変化型素子２０に１回以上の第１のパルス電圧を印加することによって抵抗変化型素子２０の抵抗状態を高抵抗状態から低抵抗状態に切り替えるセットと、抵抗変化型素子２０に１回以上の第１のパルス電圧とは異なる第２のパルス電圧を印加することによって抵抗変化型素子２０の抵抗状態を高抵抗状態から低抵抗状態に切り替えるリセットと、の実行によって抵抗変化型素子２０の抵抗状態を変化させるものにおいて、リセットを実行する際には、第２のパルス電圧のパルス幅を徐々に大きくする。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ要素及びこれを含むメモリ素子を提供する。
【解決手段】両電極の間にメモリ層を含み、該メモリ層は複数層構造を持つ不揮発性メモリ要素である。メモリ層は、ベース層及びイオン種交換層を含み、これらの間のイオン種の移動による抵抗変化特性を持つ。イオン種交換層は、少なくとも２つの層を含む複数層構造を持つ。不揮発性メモリ要素は、複数層構造のイオン種交換層によりマルチビットメモリ特性を持つ。ベース層は酸素供給層であり、イオン種交換層は酸素交換層である。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗素子を含む半導体装置の動作方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の動作方法に係り、可変抵抗素子を含む半導体装置の動作方法は、可変抵抗素子の抵抗を第１抵抗から第２抵抗に変更するための第１電圧を可変抵抗素子に印加し、第１電圧が印加された可変抵抗素子に流れる第１電流を感知し、感知された第１電流の分布を基にして、可変抵抗素子の抵抗を第２抵抗から第１抵抗に変更するための第２電圧を決定し、決定された第２電圧を可変抵抗素子に印加する。 （もっと読む）

【課題】多値記録が可能で、アモルファスと結晶との相混合比を制御する方式に比較して、パルス電流条件のマージンが広い情報記憶素子を提供する。
【解決手段】相変化材料にそれぞれ形状の異なるパルス電流を流すことによって、アモルファス状態、微細な結晶粒からなる固相結晶、粒径の大きな結晶状態からなる溶融結晶の３状態を形成し、従来に比較してパルス電流条件のマージンが広く、信頼性の高い多値記録が可能な情報記憶素子を実現する。３状態を形成するには、相変化材料の組成を変更したり、他の元素を添加したりすることによって、溶融後の再結晶化速度および抵抗を制御する。 （もっと読む）

【課題】リファレンスセルの抵抗状態に応じて、読み出し電流を設定する構成で、誤書き込みによる抵抗の変化が発生することなく、より信頼性の高いリファレンス電流を得ることが可能な抵抗変化型メモリデバイスおよびその駆動方法を提供する。
【解決手段】素子両端に極性の異なる信号を印加することで可逆的に記憶素子の抵抗値が変化するメインメモリセルを含むメモリアレイ部と、素子両端に極性の異なる信号を印加することで可逆的に抵抗値が変化する記憶素子を含み、メインメモリセルのデータを識別するために必要な参照電流を発生させるリファレンスセルを含むリファレンスセル部と、を有し、リファレンスセルの抵抗状態に応じた参照電流の印加電流の向きが設定されている。 （もっと読む）

【課題】簡素で、かつ、高速に、自立的に多重書き込みを回避した書き込みをすることができる抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み回路を提供する。
【解決手段】抵抗変化素子２に対する書き込み回路１であって、抵抗変化素子２が高抵抗状態にある場合にだけ抵抗変化素子２を低抵抗状態に遷移させるための電圧を抵抗変化素子２に印加し、抵抗変化素子２が低抵抗状態にある場合にだけ抵抗変化素子２を高抵抗状態に遷移させるための電圧を抵抗変化素子２に印加する。 （もっと読む）