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国際特許分類[H01J37/08]の内容

国際特許分類[H01J37/08]に分類される特許

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【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ1と、チップ1にガスを供給するイオン源用ガスノズル2とイオン源用ガス供給源3からなるガス供給部と、チップ1との間で電圧を印加し、チップ1の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極4と、イオンを試料13に向けて加速させるカソード電極5からなるイオン銃部19を備え、イオン銃部19より試料13側に位置し、イオン銃部19から放出されたイオンビーム11の照射方向を調整するガンアライメント電極9と、試料13にイオンビーム11を集束させる集束レンズ電極6と対物レンズ電極8からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 (もっと読む)


イオン注入システムのイオン源の性能および寿命が向上する、イオン注入システムおよび方法であって、そのような向上を得るために有効な、同位体濃縮されたドーパント材料を使用することによる、またはドーパント材料と補給ガスとを使用することによるイオン注入システムおよび方法。 (もっと読む)


【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ1と、チップ1にガスを供給するイオン源用ガスノズル2とイオン源用ガス供給源3からなるガス供給部と、チップ1との間で電圧を印加し、チップ1の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極4と、イオンを試料13に向けて加速させるカソード電極5からなるイオン銃部19を備え、イオン銃部19とレンズ系の間に配置された第二のアパーチャ10と、試料13にイオンビーム11を集束させる集束レンズ電極6と対物レンズ電極8からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。
【解決手段】放電槽2でプラズマを発生させ、引き出し電極7より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極30によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Wに対して、傾斜した方向から入射させる。 (もっと読む)


【課題】集束イオンビーム装置に用いられる誘導結合型プラズマイオン源において、プラズマ室を冷却する手段と方法、並びにプラズマ室と接地電位の間の異常放電を防止する手段と方法を提供する。
【解決手段】プラズマ室102の外壁106に沿って絶縁性液体126を流すことによってプラズマ室を冷却する。プラズマ源ガスは接地電位にあるタンク150からレギュレータ152、調整弁156、および流量制限器158を介してプラズマ室102に供給される。前記流量制限器を前記プラズマ室の近傍に設けて、プラズマ電位と接地電位との間の電圧が比較的ガス圧力の高いところに加わるようにすることによって、プラズマ室と接地電位の間の異常放電を防止する。 (もっと読む)


【課題】イオンビーム発生装置の第2電極と、第2電極と接続される電源との間に、並列接続してバイパス回路を設けることにより、電源の焼損を防ぐことができる。
【解決手段】イオンビーム発生装置は、プラズマ発生源5と、プラズマ発生源1により発生されたプラズマを閉じ込めるための放電槽10と、放電槽の前面に設けられた引出し電極20とを備え、該引出し電極20は、放電槽10側に設けられ、かつ正極直流電源7と接続するための第1電極2と、第1電極2の前面に設けられ、かつ負極直流電源8と接続するための第2電極3と、第2電極3の前面に設けられ、接地された第3電極4と、第2電極2と接続され、かつ該負極直流電源8と並列接続されたバイパス回路14とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ビーム引出開始時の加速電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出できるイオン粒子電源を提供する。
【解決手段】フィラメント電源2と、アーク電源3と、イオン源の壁1と電極6間に直流電圧を印加してイオン粒子を加速するための加速電源4とから構成する。加速電源4は、
商用交流電源に接続された交流スイッチ7と、交流スイッチ7の出力を整流して直流に変換する整流器9と、整流器9の出力を平滑して直流電圧を得るためのコンデンサ10と、
加速電源出力指令値を交流スイッチ7に与えてその出力電圧を制御するための制御手段20を備える。制御手段20は、直流電圧と電圧設定値との偏差に応じて加速電源出力基準を得る電圧制御手段22と、加速電源4とアーク電源3が共にオンしたとき、所定の関数を発生する関数発生器22とを有し、加速電源出力基準と関数発生器22の出力を加算して加速電源出力指令値を得る。 (もっと読む)


【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁(1A)、取付けプラットホーム(40)および抽出グリッド電極アセンブリ(20)の熱膨張係数α、αおよびαが、α>α≧αの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はMo、WまたはCであり、また、プラットホームの材料はTiまたはMoである。 (もっと読む)


【課題】ターゲット表面に入射する正のイオン流による急速な帯電に起因するアーク放電を生じることなく、絶縁材料の堆積にも使用できるイオンビーム源を提供する。
【解決手段】非導電ターゲットとともに使用するイオンビーム源であって、イオンを抽出するグリッド1〜4と、このグリッドにパルス電力を供給する電源(直流電源16およびビーム制御装置17)とからなり、前記電源は、グリッド1電源〜グリッド3電源と、前記グリッドに対する電力の供給を接続および遮断するスイッチのセット19と、このスイッチを制御する電力スイッチング装置21と、スイッチの切替を行うためのパルス発生器20とを有する。 (もっと読む)


【課題】被スパッタ面の面積を可及的に大きくすると同時に、被スパッタ部材の取り付け構造を簡単化するだけでなく反射電極構造体をコンパクトにしつつ、陰極から射出される電子の反射効率を向上させる。
【解決手段】プラズマ生成容器2内に設けられ、陰極3に対向配置されて電子を陰極3側に反射する反射電極構造体4であって、プラズマによりスパッタリングされて所定のイオンを放出するものであり、被スパッタ面41Aとその裏面とを貫通する貫通孔411を有する被スパッタ部材41と、被スパッタ部材41の貫通孔411に挿入されて被スパッタ部材41を支持するとともに、貫通孔411を介して被スパッタ面41A側に露出した反射電極面42Xを有する電極本体42とを備える。 (もっと読む)


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