【課題】電気光学装置用基板において、製造コストを低減すると共に、アライメント精度を高める。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板上に設けられた第１の絶縁膜（３１０）と、複数の画素（２０）と、複数の画素にわたって第１の絶縁膜に設けられた第１の凹部と、第１の凹部の底面に設けられた第２の凹部と、第２の凹部に設けられた有機半導体層（２４１）と、該有機半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜（２４５）と、該ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を含み、複数の画素のうち一の画素に対応づけられた薄膜トランジスタ（２４）と、ゲート絶縁膜の上層であって、複数の画素にわたって第１の凹部に設けられた走査線（４０）と、薄膜トランジスタと電気的に接続されたデータ線（５０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル長Ｌが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約６０原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いＧｅＮ_ｘハードマスク材料を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の特性を向上させると共に、半導体素子の微細化を容易に実現する。
【解決手段】半導体素子１０１にてゲート電極１１１ｇが設けられる部分の表面を凹凸面に形成する。ここでは、凹凸面のうち凸部ＣＶでは、一対のソース・ドレイン領域１１２ｓ，１１２ｄの表面と同一の面を覆うようにゲート絶縁膜１１１ｚを形成し、そのゲート絶縁膜１１１ｚの上面にゲート電極１１１ｇを設ける。これに対して、凹部ＴＲでは、一対のソース・ドレイン領域１１２ｓ，１１２ｄの表面から内部へ向けて設けられた溝Ｍの面を覆うようにゲート絶縁膜１１１ｚを形成し、その溝Ｍの内部を埋め込むようにゲート電極１１１ｇを設ける。 （もっと読む）

【課題】許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。
【解決手段】材料の層が、ウェハ上に部分的に形成された集積回路内の基板上に形成される。基板はプラズマアニールを受け、その間に基板はイオンでボンバードされる（工程３００）。プラズマアニールは、エネルギーを注入された窒素含有ガスから生成されたプラズマへ基板を曝すことにより実行できる。基板がプラズマアニールされた後、耐熱性金属窒化物の層が基板上に堆積される（工程３０１）。耐熱性金属窒化物の層は、次に、第１セットのイオンでボンバードされる。第１セットのイオンによる耐熱性金属のこのボンバードは、プラズマアニールを実行することにより達成できる。耐熱性金属窒化物は、更に、第２セットのイオンによりボンバードされる（工程３０２）。 （もっと読む）

基板（１２０）、基板の上のＩＩＩ族窒化物層（１０２、１０４，４０６）、及び、ＩＩＩ族窒化物層の上の電気的コンタクト（１０８ａ、１０８ｂ）を含む装置。電気的コンタクトは、導電性材料の複数層（１１０〜１１６）を有するスタックを含み、スタック内の前記層の少なくとも１つがゲルマニウムを含む。スタック内の層は、アルミニウム銅を含むコンタクト層（１１６）を含み得る。スタックは、チタン又はチタン合金層、アルミニウム又はアルミニウム合金層、及び、ゲルマニウム又はゲルマニウム合金層、を含み得る。スタック内の少なくとも１つの層は、約１％から約５％の間のゲルマニウム含有量を有するアルミニウム又はチタン合金を含み得る。

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【課題】酸化物半導体を用いたｐチャネル型トランジスタを提供することを目的の一とする。また、酸化物半導体を用いたｎチャネル型トランジスタとｐチャネル型トランジスタとのＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接するソース電極層及びドレイン電極層とを含み、前記酸化物半導体層に用いる酸化物半導体の電子親和力をχ（ｅＶ）、バンドギャップをＥ_ｇ（ｅＶ）とすると、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に用いる導電体の仕事関数φ_ｍは、φ_ｍ＞χ＋Ｅ_ｇ／２を満たし、かつ、χ＋Ｅ_ｇ−φ_ｍで表される正孔に対する障壁φ_ＢＰは０．２５ｅＶ未満である、酸化物半導体を用いたｐチャネル型トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】高電圧印加時にフィールドプレート構造端に集中する電界強度を緩和し、高耐圧で信頼性の高い窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】フィールドプレート構造を備えた窒化物半導体装置において、ゲート電極１８に、オフ制御の制御電圧を印加するとき、フィールドプレート構造の傾斜面部直下の窒化物半導体層中１３にはキャリアが存在しないようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機高分子等の半導体薄膜形成材料が単結晶でなく、多結晶であっても、印刷方法により金属電極上に安定で良好な有機半導体薄膜を簡便に形成することができ、性能の優れた有機半導体素子を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の金属電極は、下記式（１）で表される化合物を含有する溶液を用いて形成された表面処理層を有することを特徴とする。
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【課題】１枚の基板から得られる複数の半導体発光素子の構造のばらつきを抑制することのできる半導体発光素子の製造方法および半導体積層基板を提供する。
【解決手段】サファイアウエハＷＡの一方の面に、逐次露光方式を用いて凸部および平面を有する凸部形成領域ＳＡと、位置決め用のマークＭを有するマーク形成領域ＭＡとを形成する。その後、サファイアウエハＷＡの一方の面にＩＩＩ族窒化物半導体層を積層した半導体積層基板を作成し、マークＭの形成位置の読み取り結果に基づいて、逐次露光方式を用いて複数の半導体発光素子に対応した電極構造を形成する。 （もっと読む）