【課題】一面側に金属電極が形成された半導体基板のアロイ化を良好に行うことを可能にする製造方法および装置を提供する。
【解決手段】一面側に金属電極が形成され、所望により他面側に金属薄膜や化合物半導体層が形成された半導体基板に対し、パルス発振レーザを出射するパルス発振レーザ光源または連続発振レーザを出射する連続発振レーザ光源から出力された波長５００〜５５０ｎｍかつ半値幅３００ｎｓ以上としたパルス発振レーザまたは波長５００〜５５０ｎｍで同一箇所に半値幅３００ｎｓ以上で照射される連続発振レーザを金属電極側から半導体基板に照射しつつ相対的に走査して前記基板に対するアロイ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】蛇行した形状に形成されたリセス部を備えることにより、オン抵抗を低減することができる電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】電界効果トランジスタ１は、チャネル層１１と、チャネル層１１とヘテロ接合を構成するキャリア供給層１２と、キャリア供給層１２の表面から掘り下げて形成されたリセス部１３と、リセス部１３に沿って形成された第１絶縁層３１と、第１絶縁層３１の上に形成された第１ゲート電極２３と、リセス部１３に対してチャネル長方向の一方側に形成されたソース電極２１と、リセス部１３に対してチャネル長方向の他方側に形成されたドレイン電極２２とを備える。リセス部１３は、ソース電極２１とドレイン電極２２とが平面視で平行に対向するチャネル長の範囲内において、蛇行しながらチャネル長方向と交差する方向に延長されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接するソース電極またはドレイン電極とを有しており、ソース電極またはドレイン電極は、チタン、マグネシウム、イットリウム、アルミニウム、タングステン、モリブデンなどの電気陰性度が低い金属のいずれか一つまたは複数を含む混合物、金属化合物または合金を含んでおり、ソース電極またはドレイン電極中の水素濃度は酸化物半導体膜中の水素濃度の１．２倍以上、好ましくは５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流を抑制する、窒化物半導体からなるリセスゲート構造のヘテロ接合ＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のヘテロ接合電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果トランジスタであって、バリア層４とバリア層４の上に形成されたキャップ層５を含む半導体層と、半導体層に下部を埋没するようにして半導体層上に設けられたゲート電極９と、ゲート電極９の側面と半導体層の間に設けられた絶縁膜１０と、を備え、ゲート電極９は、下面のみが半導体層と接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の酸化領域は、３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の高周波電力、および、酸素とアルゴンの混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】アノードスライムの発生およびメッキ欠陥の発生を抑えた半導体ウエハ等の電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、該含リン銅アノード電極の製造方法およびこの含リン銅アノード電極を用いた電気銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】リン含有量が０．０１〜０．０８質量％である電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極において、該アノード電極は熱処理により、その表面の残留歪みが０．０５％以下とされ、該アノード電極は炭化水素系溶剤で洗浄され、回転リングディスク電極法で測定される一価銅の検出量が電解時間３００ｓｅｃ以上において５×１０^−９ｍｏｌ／ｓｅｃ以下である表面清浄度を備える電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極とその製造方法および電気銅メッキ方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができ、かつ、高い絶縁破壊耐圧を有するＩＩＩ族窒化
物系半導体素子、およびＩＩＩ族窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層、絶縁層、および表面にシリコンからなる複数の核領域と前記複
数の核領域の間を埋める絶縁領域を有する複合層がこの順に形成された基板と、前記基板
上に形成されたＩＩＩ族窒化物系半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成
されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる動作層と、前記動作層上に形成された第１の電極お
よび第２の電極とを備え、前記核領域のそれぞれの最大幅Ｌ_１が、前記第１の電極および
前記第２の電極の間の距離Ｌ_２よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。
【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ表示板に対する発明であって、より詳細には、銅（Ｃｕ）とチタニウム（Ｔｉ）とをそれぞれ含む二重層配線に形成される薄膜トランジスタ表示板に関し、構造的にはチタニウムを含む層が銅を含む層より幅が広くて、チタニウムと銅とを共にエッチングする段階と、別にエッチングする段階とを含めて製造することを特徴とする。また、ゲート絶縁膜に段差が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング速度の低下やオン抵抗の増大を抑制しつつ、オフ耐圧を改善可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体層１１および１２は、基板１０上に形成され、第１の電極１０１、第２の電極１０２および絶縁膜１４は、それぞれ、半導体層１１および１２上に形成され、絶縁膜１４は、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に配置され、フィールドプレート電極１７Ａおよび１７Ｂは、複数であり、かつ、絶縁膜１４上に点在し、第１の電極１０１および第２の電極１０２は、半導体層１１および１２を介して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間の電圧印加時における電流の方向と垂直方向の各フィールドプレート電極の長さ、および、前記電流の方向と垂直方向に隣接する各フィールドプレート電極間の距離が、それぞれ、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間の距離以下であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）