【課題】半導体装置とその製造方法において、半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】シリコン基板２０と、シリコン基板２０の上方に形成された層間絶縁膜３８と、層間絶縁膜３８の上に互いに間隔をおいて複数形成されたヒューズ４１ａ、４１ｂと、層間絶縁膜３８の上であって、隣接するヒューズ４１ａ、４１ｂの間に形成されたダミーパターン４１ｘと、ヒューズ４１ａ、４１ｂのうちの少なくとも一部とダミーパターン４１ｘとを覆うと共に、下から順に塗布型絶縁膜４６と窒化シリコン膜４７とを備えたパシベーション膜４８と有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】検査時におけるプロービングの機械的な力学的ストレスや、組立のワイヤ・ボンディングによる機械的な力学的ストレスによって発生する応力を緩和できる構成を有する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、半導体基板上(100)に形成されたパワー・トランジスタ(100A)と、パワー・トランジスタ(100A)の直上に形成され、パワー・トランジスタの第１の電極及び第２の電極として機能する複数の第１の金属パターン及び複数の第２の金属パターンと、複数の第１の金属パターンと電気的に接続する第１のバス(140)と、第２の金属パターンと電気的に接続する第２のバス(150)と、第１のバス(140)及び第２のバス(150)に１つづつ設けられたコンタクト・パッド(304)とを備え、第１のバス(140)及び第２のバス(150)の各々には、少なくとも１つのスリット(10a)が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スパッタ装置の処理能力を損なうことなく、スパッタに異常がないときは金属薄膜の反射率を面内で均一にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、シリコン基板にスパッタ成長により金属膜を形成する第１スパッタ工程と、該第１スパッタ工程の後に該第１スパッタ工程よりも高いＤＣパワーでさらに金属膜をスパッタ成長させる第２スパッタ工程と、該第１スパッタ工程と該第２スパッタ工程の後に、該第１スパッタ工程および該第２スパッタ工程で形成された金属膜の反射率の均一性を測定する検査工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における高周波伝送特性に優れ、コストが安価で、しかも、化学的安定性、電気絶縁性、耐熱衝撃性及び耐熱変形性に優れた絶縁構造を有する電子デバイス用基板及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】環状絶縁部３は、ガラスを主成分とする無機絶縁層３３を含み、無機絶縁層３３は、縦導体２を取り囲んで、半導体基板１に設けられた環状溝３０の内部に充填されている。 （もっと読む）

【課題】チャージアップした電荷を検出する感度を向上させること。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜１４と、前記絶縁膜内に形成され、延伸方向に延伸した延伸部２２を含む第１配線２０と、前記絶縁膜内に設けられ、前記半導体基板と前記延伸部とを電気的に接続するコンタクト２６と、前記絶縁膜内に形成され、前記延伸部と前記半導体基板の面方向に対向し前記延伸部より長さの短い対向部３２と、前記対向部から前記第１配線の反対方向に引き出される引き出し部３４と、を含む第２配線３０と、前記引き出し部に電気的に接続されたアンテナ電極４０と、含む評価素子。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系ＨＥＭＴ及びＭＩＭキャパシタを同一基板上に設ける場合でも小型化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面上に下部電極１１を形成し、下部電極１１上に誘電体膜１２を形成し、誘電体膜１２上に基板１の表面に接する上部電極１４ａを形成する。また、基板１の裏面から基板１をエッチングすることにより、上部電極１４ａの基板１の表面に接する部分に達するビアホール１ａを基板１に形成し、基板１の裏面上にビアホール１ａを介して上部電極１４ａに接するビア配線３６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含む第１の析出物について、円相当直径２０ｎｍ以上の析出物が５００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）