【解決手段】
各々が能動回路領域を含むチップの積層体において、多重チップ積層体内の複数のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）開口をパターニングし、エッチングし、そして熱的伝導性材料で充填することによって、多重チップ積層体からの熱を熱的に伝導させるための複数のＴＳＶ構造が形成され、複数のＴＳＶ開口は、いずれの能動回路領域をも貫通せずに多重チップ積層体の実質的に全体を通って延びる第１の大きなＴＳＶ開口と、能動回路領域まで下に延びるが通過はしない第２の小さい開口と、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】ウエハ上の低誘電率材料及び相互接続材料に損傷を与えることなく、ウエハ上のダマシン処理によるサイドウォールポリマーを除去するための水性洗浄溶液及び洗浄溶液を用いる方法を記載する。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体処理システム（３２０）の前駆物質を生成する装置を提供する。
【解決手段】装置は、側壁（４０２）、上部、底部を有するキャニスタ（３００）を含んでいる。キャニスタ（３００）は、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）を有する内容積（４３８）を画成している。一実施形態においては、装置は、更に、キャニスタ（３００）を部分的に取り囲んでいるヒータ（４３０）を含んでいる。ヒータ（４３０）によって、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）間に温度勾配が生じる。また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１は、素子形成面である第１の面１ａ及びその反対側の第２の面１ｂを有する。第１の面１ａから第２の面１ｂまで半導体基板１を貫通するように貫通孔２０が形成されている。貫通孔２０の内壁上に絶縁膜２１及びバリア膜２２が順次形成されている。絶縁膜２１及びバリア膜２２が形成された貫通孔２０が埋まるように導電部２３が形成されている。貫通孔２０の周辺に位置する部分の半導体基板１における少なくとも第１の面１ａ側にゲッタリングサイト３０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の微細化に対処しうる、製造が容易で安価な低コンタクト抵抗の半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】Ｓｉ基板(１)上の不純物領域(７)を覆うように層間絶縁膜(８)が形成され、その層間絶縁膜（８）には、層間絶縁膜（８）を貫通して不純物領域（７）を掘り込むようにコンタクトホール（９）が形成されている。コンタクトホール（９）内には、金属膜（１０）、バリア層（１１）、金属シリサイド（１２）およびソース、ドレイン配線（１４）が形成されている。ソース、ドレイン配線（１４）は、タングステンから形成されている。 （もっと読む）

【課題】 パッド内での過度の電流集中を抑制することが可能なパッド構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の上に、絶縁性材料からなる第１の絶縁膜が形成されている。第１の絶縁膜の上に、導電材料からなるパッド部が形成されている。パッド部に電気的に連続し、第１の幅Ｗ１を有する配線部が形成されている。第１の絶縁膜の上であって、パッド部の外周線から第２の幅Ｗ２より内側の第１の領域に、複数の第２の絶縁膜が配置されている。配線部とパッド部との境界線に最も近い第２の絶縁膜を連ねる直線のうち、配線部をパッド部内に延長した領域と重なる部分が、パッド部の導電材料と交差する長さをＬ３としたとき、Ｗ１≦２×Ｗ２＋Ｌ３を満たす。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ構造を有する半導体集積回路装置において、パッドからチップ内部素子へ加わる応力の影響に起因するタイミング信頼性の劣化を低コストで防止する。
【解決手段】フリップチップ構造を有する半導体集積回路装置において、応力の影響を受ける半導体チップ１０１の外周列におけるパッド１０２の構造及び配置位置等について、応力の影響に起因するＬＳＩの動作不具合が発生しにくいように予めレイアウトする。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性の優れたシリコン膜を形成する成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基体上にジシラン及びトリシランの少なくともいずれかを用いて第１温度で第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記基体及び前記第１膜を、水素を含む雰囲気中において、前記第１温度から、前記第１温度よりも高い第２温度に向けて昇温する昇温工程と、前記昇温の後に、前記第１膜の上に、シランを用いて前記第２温度で第２膜を形成する第２膜形成工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）